ZIP архив

Текст

;й 157440 .Клясс Н 011 21 я, 11 ааСССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Под 2 иснал группа Л 97" СЫФА, Г. Клименко СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛОСКОСТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВЗа:влево 15 ноября 1962 г. за М 80273926-9в Комитет по лелам изобресенпй и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в Еоллетсне изобретений и товарных знаков16 за 1963 г.11 звестен способ изготовлсния пслупроводниковых приборов с оп)еделенным видом вольтамперных характеристик пмтем дифф зии при 1 еси никеля в гераний, В указанном способе никель вводится в герК 1 ании В резлътяте сплавлени 51 Германия с Ртяллоз контакта, ЛРГированным никелем, с последующей диффузией никеля.Предлагаемый способ изготовления плоскостных полупроводниковых приборов отличается от известного тем, что процесс диффузии пр 1- меси никеля проводят импльсно путем воздействия на образец, предварительно покрытый слоем никеля, тепловь 1 м импульсом определеннОй форхы. Ук 2325 п-:ОР Отли 1 ие позволяет получить Оорятные характеристикии приборог, вида Ь=-ЛУ", где п=1 - 5.Сущность предлагаемого способа заключае 1 ся в следующем. Образцы полупроводникового материага с одной стороны покрывают пленкой никеля толщиной 2,к. Покрытие образцов производится лишь со стороны, на которой в альпейшем будет образовываться р - и-переход. Образец маскируется рядами круГльх масок, диаметр кот 01 эых равен диаметру р - п-перехода, лишний никель удаляется травление Для удаления масок Образец промывается в толуоле и после суши 1 разрезается на заготовки так, чтооы никелевый пятачок был посредине каждого кристалла.Подготовленные таким ооразом образцы подвергаются импульсной термообработке в атмосфере очищенного водорсда. Выбор параметров .еплового импульса, воздействующего на образцы, определяется вел, - чиной заранее заданноГО коэффициента 72. После этОГО путем травлепп 51 удаляют никелевую пленку и приповерхностный слой кристЛла,Ъв 157440 и затем обычным путем производится вплавление индия, чем создаот о - и-переход на обрабо 1 анном никелем участке поверхности кристалла.Таким образом, предлагаемый способ основан на неравномерной, регулируемой выкристаллизации никеля в германии, что приводит к созданию в райне р - и-перехода особого объемного распределения д. - . - фектов кристаллической структуры. В результате этого возможно по,учить плоскостные р - гг.переходы с обратными характеристиками вида Ь=Н, где гг:=1 - 5 и выбирается, исходя из типа полупроводникового прибора. Предмет изобретения Составитель Л, 3. Рубинчик Текрел А. А. Камышникова Корректор Т, В. Муллина Рс.лактор Кутафина олп. к печ. 27/1 Х - 63 г. с 1 ормат бум. 70 с, 108/1 в Обьем 0,18 изл. л,Заказ 20777 Тирак 1250 Цена 4 коп,ЦНИИ 1;И Госуларствепнсго ко итета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр. Серова, д, 4.Типография, пр. Сапунова, 2. Способ изготовления плоскостных полупроводниковых приборов, например на германии, путем диффузии примеси никеля, нанесенного предварительно на одну из поверхностей образца, о т л и ч а ю щ и й с я чем, что, с целью получения обратных характеристик приборов вида О=И", где гг=1 - 5, процесс диффузии примеси проводят импульсно, воздействуя на образец тепловым импульсом.

Смотреть

Заявка

802739

МПК / Метки

МПК: H01L 21/385

Метки: 157440

Опубликовано: 01.01.1963

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-157440-157440.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">157440</a>

Похожие патенты