156250
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 156250
Текст
М 156250 Класс Н 011; 21 р, 1,аСС Сз ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 17 одписная группа ЛБ 97А, И. Курносов и А. С. Сущик СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН ИЯ СТАБИЛ ИТРОНАНА ОСНОВЕ КРЕМНИЯЗаявлено 25 мая 1962 г. за Ло 770098/26-9в Комитет по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР Спублнковано в Бюллетене пзооретений и товарных знаков16 за 1963 г.Известен способ изготовления стабилитрона нг основе кремния, по которому предварительно создается вспомогательный диффузионный слой противоположного типа проводимости, который затем проплавляется навеской металла.Предлагаемый способ изготовления стабцлитрона на осцове кремния отличается от известного тем, что электродный металл навески. после проплавления предварительно созданного диффузионного слоя, вытравливают до образовавшегося рекристаллизованного слоя ц наносят металлизированный невыпрямляющцй контакт со стороны сплавления по всей поверхности р в ,г-перехода. Такой способ благодаря наличию контакта по всей плошади пластины исключает возникновение механических напряжений в пластине полупроводникового материала и облегчает сборку прибора. Предлагаемый способ изготовления стабилитрона на основе кремния с пробоем в заданной области без пробоя на поверхности, свободного от механических напряжений, закгпоч а ется в следующем.На пластинке кремния а-типа предварительно создается диффузионный слой р-типа, например, бора. После этого производится вплавление малой навески алюминия с размерами, обеспечивающими необходимую плошадь р - п-перехода. Режим диффузии и вплавления подбирается так, чтобы алюминий проплавил образованный при диффузии р - и-переход. Затем алюминий и силумин вытравливаются, например, в соляной кислоте, при этом снимаются механические напряжения в р - п-переходе. По всей поверхности пластины кремния, це156250зависимо от площади сплавного р - ц-перехода, способом гальванического никелпрования наносится металлизированный невыпрямляющий контакт, Далее пластина разрезается на квадраты, которые после травления и лакировки боковых граней поступают на сборку,Режим диффузии подбирается таким образом, что напряжение пробоя диффузионного р - и-перехода больше сплавного в 2 - 3 раза, и следовательно, р - ц-переход малой площади, работающий в области пробоя при минимальных токах, порядка миллиампер. будет шунтирован весьма малым обратным током диффузионного р - а-перехода,Применение предлагаемого способа дает следующие преимущества.Рабочая область р - гг-перехода не выходит на поверхность кристалла, т. е. поверхностный пробой исключен.Р - гг-переход можно получить, практически, любой площади. что определяется только величиной навески алюминия.Отсутствуют механические напряжения в р - а-переходе, он более однороден и у стойчив к циклическим испытаниям.Прп любои величине рабочей плогцади р - а-перехода присоединение контакта производится по всей площади перехода.Предмет изобретенияСпособ изготовления стабилитрона на основе кремния путем создания вспомогательного диффузионного слоя и проплавления его навеской металла, отличающийся тем, что, с целью искгцочения механических напряжений в пластине полупроводникового материала и облегчения сборки прибора, электродный металл навески вытравлива 10 т до Ооразовав 111 егося рекристзллизованного слоя и наносят мета 1- лизированный невыпрямляющий контакт со стороны сплавления по всей площади р - п-перехода.Составитель Л. Рубинчик Реда 1:тор П. Ф. Старцева Техред А. А, Камышникова Корректор М. И. Эльмус Поди, к печ. 10/г 11 - 63 г. Формат бум, 70 Х 081/1 г, Объем 0.18 изд. л,Зак. 2003/17 Тирагк 1950 Цена 4 коп.ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССРМосква, Центр, пр. Серова, д, 4.Типографии, пр. Сапунова, 2.
СмотретьЗаявка
770098
МПК / Метки
МПК: H01L 21/288
Метки: 156250
Опубликовано: 01.01.1963
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-156250-156250.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">156250</a>
Способ изготовления полупроводниковых приборов с пристеночными p-n-переходами
Номер патента: 1072666
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Кокин, Манжа, Патюков, Чистяков
МПК: H01L 21/331
Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора, нанесение диэлектрических слоев, вскрытие окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, легирование пассивных, активных базовых и эмиттерных областей и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов и повышения плотности их компановки, после создания боковой диэлектрической изоляции проводят ионное легирование пассивной базы, осаждают нитрид кремния, осуществляют фотолитографию всех контактных окон, затем наносят пленку поликристаллического кремния, формируют фоторезистивную маску для защиты эмиттерных и...
Способ получения сплавного перехода кремний-алюминий
Номер патента: 109994
Опубликовано: 01.01.1957
МПК: H01L 21/04
Метки: кремний-алюминий, перехода, сплавного
...примеси затруднена припайка к алОминию внешнего вывода и проведение хичс ского травления полученной структуры, так как алюминий бурно реагирует со ще; лочами.В описываемом способе указанные недостатки устранены тем, чо аломинневук) полоску помсьца)т между кристаллом кремния и 1 ластинкои сплава на оловянистой или свинцовой основе и полученную комно: пцию номецаОт в печь и подвергаитг в течение 1 - 2 мин. термообработке при температуре иря:1 ка 70 в 1 еоксляющси среде, При этом алюминий сплавляется с кремнием, ооразуя сплав типа силумин, а олово прочно сплавляется с образовав 1 ПИМС 51 СИЛУ)1 НОМ И К припаивастся Внешний сто олова может быть Оловяно-свинцовый сп. боп другой, сплавля с;1 л; ,11 н) м, 11 ри .)о травления существенно...
Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур
Номер патента: 1627007
Опубликовано: 20.12.2005
МПК: H01L 21/66
Метки: диффузионной, длины, заряда, легированных, неравновесных, носителей, однородно, полупроводниковых, приповерхностных, слоях, структур
1. Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур с p-n-переходом, включающий формирование малоуглового линейного скоса структуры со стороны исследуемого слоя, измерение наведенного тока, протекающего во внешней цепи структуры при зондировании ее на фиксированную глубину постоянным по току лучом растрового электронного микроскопа в точках скоса с различающейся глубиной залегания p-n-перехода, и расчет диффузионной длины из уравнения, связывающего величину наведенного тока с глубиной залегания p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на поверхность скоса...
Способ диффузионного насыщения внутренней поверхности полых изделий из порошкообразных сред
Номер патента: 865966
Опубликовано: 23.09.1981
Авторы: Блинков, Гохберг, Гурьев, Иваницкий, Киямов, Мантарошин
МПК: C23C 9/00
Метки: внутренней, диффузионного, насыщения, поверхности, полых, порошкообразных, сред
...ее865966 ния Формула изобретения Составитель Л. БурлиноваРедактор Н, Егорова Техред М. Рейвес КорректорУ. Пономаренко Заказ 8009/42 Тираж 1051 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035 Москва, Ж, Раушская наб;, д.4/5Филиал 1 ПП "Патент", г. Ужгород,ул.Проектная,4 количество определяется из соотношегде 1 - минимальная толщина слоя(А 0 мм)5 - площадь обрабатываемой поверхности.П р и м е р 1. Внутреннюю поверхность трубы длиной 2000 мм, диаметром 42 х 4,5 мм из стали Х 18 Н 10 Т предварительно обезжиривают бензином,Затем один конец трубы заглушают изаполняют.насьпцающей порошкообразнойсмесью весом 1,25 кг состава,7, алюминиевый порошок АКП 48; двуокиськремния 48; хлористый алюминий 4,Поспе...
Способ диффузионного насыщения металлической поверхности
Номер патента: 276684
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Белорусский, Долманов, Круковйч, Хович
МПК: C23C 10/26
Метки: диффузионного, металлической, насыщения, поверхности
...диффузионного насыщения металлической поверхности хоо. мом и кремнием.Известен способ диффузионного насыщения металлической поверхности хромом и кремнием.Предложенный способ отличается от известного тем, что процесс осуществляют электролитически в расплаве кремнекислого натрия, окиси хрома и хлористого натрия, что позволяет повысить производительность процесса и качество диффузионного слоя.По предложенному способу электролиз осуществляют в расплаве, содержащем, вес :кремнекислый натрий 65 - 85мг 5 - 25 й натрий 9 - 11 плотности тока 0,15 - 0,35 а/дм-1000 - 1100 С в течение 2 - симости от требуемой толщины о слоя.при обработке предложенным али, изготовленной из стали ние 4 час на ее поверхности образуется диффузионный слой толщиной...