156250

Номер патента: 1072666

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Патюков, Чистяков

МПК: H01L 21/331

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора, нанесение диэлектрических слоев, вскрытие окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, легирование пассивных, активных базовых и эмиттерных областей и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов и повышения плотности их компановки, после создания боковой диэлектрической изоляции проводят ионное легирование пассивной базы, осаждают нитрид кремния, осуществляют фотолитографию всех контактных окон, затем наносят пленку поликристаллического кремния, формируют фоторезистивную маску для защиты эмиттерных и...

Номер патента: 109994

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Носов, Русскова

МПК: H01L 21/04

Метки: кремний-алюминий, перехода, сплавного

...примеси затруднена припайка к алОминию внешнего вывода и проведение хичс ского травления полученной структуры, так как алюминий бурно реагирует со ще; лочами.В описываемом способе указанные недостатки устранены тем, чо аломинневук) полоску помсьца)т между кристаллом кремния и 1 ластинкои сплава на оловянистой или свинцовой основе и полученную комно: пцию номецаОт в печь и подвергаитг в течение 1 - 2 мин. термообработке при температуре иря:1 ка 70 в 1 еоксляющси среде, При этом алюминий сплавляется с кремнием, ооразуя сплав типа силумин, а олово прочно сплавляется с образовав 1 ПИМС 51 СИЛУ)1 НОМ И К припаивастся Внешний сто олова может быть Оловяно-свинцовый сп. боп другой, сплавля с;1 л; ,11 н) м, 11 ри .)о травления существенно...

Номер патента: 1627007

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Сеник, Ситников

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, легированных, неравновесных, носителей, однородно, полупроводниковых, приповерхностных, слоях, структур

1. Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур с p-n-переходом, включающий формирование малоуглового линейного скоса структуры со стороны исследуемого слоя, измерение наведенного тока, протекающего во внешней цепи структуры при зондировании ее на фиксированную глубину постоянным по току лучом растрового электронного микроскопа в точках скоса с различающейся глубиной залегания p-n-перехода, и расчет диффузионной длины из уравнения, связывающего величину наведенного тока с глубиной залегания p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на поверхность скоса...

Номер патента: 865966

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Блинков, Гохберг, Гурьев, Иваницкий, Киямов, Мантарошин

МПК: C23C 9/00

Метки: внутренней, диффузионного, насыщения, поверхности, полых, порошкообразных, сред

...ее865966 ния Формула изобретения Составитель Л. БурлиноваРедактор Н, Егорова Техред М. Рейвес КорректорУ. Пономаренко Заказ 8009/42 Тираж 1051 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035 Москва, Ж, Раушская наб;, д.4/5Филиал 1 ПП "Патент", г. Ужгород,ул.Проектная,4 количество определяется из соотношегде 1 - минимальная толщина слоя(А 0 мм)5 - площадь обрабатываемой поверхности.П р и м е р 1. Внутреннюю поверхность трубы длиной 2000 мм, диаметром 42 х 4,5 мм из стали Х 18 Н 10 Т предварительно обезжиривают бензином,Затем один конец трубы заглушают изаполняют.насьпцающей порошкообразнойсмесью весом 1,25 кг состава,7, алюминиевый порошок АКП 48; двуокиськремния 48; хлористый алюминий 4,Поспе...

Номер патента: 276684

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Белорусский, Долманов, Круковйч, Хович

МПК: C23C 10/26

Метки: диффузионного, металлической, насыщения, поверхности

...диффузионного насыщения металлической поверхности хоо. мом и кремнием.Известен способ диффузионного насыщения металлической поверхности хромом и кремнием.Предложенный способ отличается от известного тем, что процесс осуществляют электролитически в расплаве кремнекислого натрия, окиси хрома и хлористого натрия, что позволяет повысить производительность процесса и качество диффузионного слоя.По предложенному способу электролиз осуществляют в расплаве, содержащем, вес :кремнекислый натрий 65 - 85мг 5 - 25 й натрий 9 - 11 плотности тока 0,15 - 0,35 а/дм-1000 - 1100 С в течение 2 - симости от требуемой толщины о слоя.при обработке предложенным али, изготовленной из стали ние 4 час на ее поверхности образуется диффузионный слой толщиной...