157015

Класс Н 011; 21 д, 11,2157015СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВЙДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Л 3 97Ю. Н. Тихонов и Ю, В. Сахаров ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЬЙ ПЕРЕХОД ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВЗаявлено 21 арта 961 г. за М 722912,26в Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в Боллетене изобретений и товарных знаков М 17 за 1963 г.Известные электронно-дырочные переходы для полупроводниковых приоорОВ В Виде трубки из монокристаллическо 0 полупроводникОВОГО материала треоуют увеличения толщины стенок трубки, что приводит к увеличению падения напряжения в прямом направлении, увеличению потерь и сопротивления базы и ухудшению частотных характеристик этих приборсв.В предлагаемом электронно-дырочном переходе повышение мощности рассеивания и улучшение частотнь 1 х свойств полупроводниковых приборов достипуто тем, что трубка из монокристаллического пол проводникового материала выпол 1 ена с профилированными боковыми поверхностямии.На фиг. 1 изображен описываемый электронно-дырочный переход; на фиг. 2 - 5 электронно-дыроц 1;ы 1 переход после соответствующих стадий фотолитографической обработки,Монокристаллический слиток пол прОВодникового материала разрезается на станках ленточной резки перпендикулярно образующей на куски, соотВетстВуощие длине запроектированной труоки. Затеъ Иа станке ультразвуковой резки из заготовок вырезаются гладкостенные трубки необходимого диаметра и толщины, Возможно изготовление профилированных трубок сразу же при вырезке трубок из ьОнокристалла при условии изготовления режущего инструмента соответствющего профиля. После резки трубки отмываются от клеющих веществ и травятся в соответствующих для каждого полупроводникового материала травителях.ЛЪ 157015Нанесение профилпроваппой боковой поверхности па гладкостеппую труоку производят фотолитографпчсским способом, в соответствии с которым гладкостенная тр,бка 1 по.(рывается;(Идкой светочув тВительной эмульсие. После высыхапия эульсии 051 эазуетсР плотная сВеточуВствителы 1 ая пленка 2, изГОтОВлсппая, па(1 ример, па Основе по- лиВипРОВОГО спирта с дооаВкой двуххромОВОГО аъмлппя В качестве ОчуВствляюшеГО вещсстВа, Такая пле 1 ка Рмсет хорсшу 10 адГези 10 с Г 10- лупроводпиковой труокой. ПОкрыта 1 свсточувствР 1 те;ьпо плен(01 тр, О- ка скреп;яется с на 1 з Ркпых 1,3 и вп треп:11 4 фотошаолопаи. 11 а фотошаблопы нанесен н рельеф - чередую:циеся непрозрачные (за ерпеппые) и прозрачные полосы заданной ширины, расположеи Гараллельпо оси трубки,Экспон светочувствительной пленки производится через фотошаблон при одинаковой освещенности снаружи и изнутри трубки, На освещенных участках светочувствительпоп плспкн производится процесс сВстОВОГО д Олсния, ОоусловлР 1 ВВ 101 ций нерастворимость этих частков пл нки в ооы Иых для нсе растворителях (воде). Не подзергшиеся воздействию света участки пленки сохраняют обычную растворимость, После экспонирования (см. фиг. 2) пленка имеет растьоримые и нерастворимые (заштриховано) участки нужной конфигурации.На фиг. 3 показана трубка, покрытая светочувствительной пленкой, после проявления. Проявление производится в характерном для данной светочувствительной пленки растворителе - теплой дистиллированной воде. В процессе проявления не подвергшиеся воздействРпо света участки пленки растворяются, обнажая поверхность полупроводниковой трубки, После проявления пленки происходит травление трубки в травителях, принятых для каждого полупроводникового материала, например для германия - СР, для кремния в СР,На фиг. 4 изображена трубка после травления. Поскольку травление трубки происходит только в местах, незащищенных пленкой, то трубка приобретает желаемый рельеф. После травления задубленные участки светочувствительной пленки удаляются с поверхности трубки в 15 - 20 О,-РОм растворе щелочи, После окончания фотолитографической обработки трубка имеет необходимый профиль (см. фиг. 5).Таким образом, профилирование электронно-дырочного перехода и омического контакта приводит к увеличению мощности прибора и повышает его к. п. д. Кроме того, профилирование увеличивает площадь соприкосновения электрои-дырочного перехода с охлаждающими поверхностями, что снижает тепловое сопротивление конструкции, уменьшает температуру электронно-дырочного перехода и позволяет увеличить допустимую мощность рассеяния на приборе.Предмет изобретенияЭлектронно-дырочный переход для полупроводниковых приборов, выполненный в виде трубки из монокристаллического полупроводникового материала, о т л и ч а ю щ й с я тем, что, с целью повышения мощности рассеивания и улучшения частотных свойств полупроводп прибо- рОВ, трубка снабжена профи;1 ироваппызи боковыми поверхпостяи,)едактоо Н. С. Кутафина Теред Т, П. Кърилко Корректор О. Б. Тю Типография, пр. Сапунова, 2 Подп. к печ. 7 пХ - бЗаказ 2705 11ЦНИИПИ Госуда Формат б 1 нра енного комитета и Москва, Центр, пр