156626

156626 Класс Н 011; 21(т( 29СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Поди(сная гргпггга Ло 97А. А, Гуткин, Д. Н. Наследов, В. Е. Седов и Б. В. Царенков СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ И ФОТОДИОДОВЗаявлено 21 мая 1962 г. за Л. 779380 26.9в Комитет по делам изобретений и открв(тн прп Совете Министров СССР Опубликовано в Ботлетене изобретенп 1 и товаре,(х з;(апов; М 16 за 966Известны спосооы изготовления полупроводниковых фотоэлементов и фотодиодов из материалов с малой диффузионной длиной неосновных носителей тока и большим коэффициентом поглощения света в собственной полосе, например цз арсеццда галлия. Эти способы осцованы на диффузионном введении примесей для создания р-слоя на исходной пластинке полупроводника гг-типа цлц соответственно и-слоя на пластинке полупроводника р-тига.По предложеПгому способу изготовления полупроводниковых фотоэлементов и фотодиодов диффузцей акцепторной цли донорцой примеси вначале создаот р- цлц соответственно и-сло 1, охватывающий пластинку полупроводника со всех сторон. Толщина р- цлц п-слоя должна быть достаточной для получения ца цем контактов без проплавления этого слоя контактным сплавом. Затем полученный р- или и-сло удаляют со ВсехЧасткОВ, крове гредцазцачец 1 ых для разещения контактов, и после этого ца участках, с которых был удалец рили п-слой, вновь создают диффузиец акцепторной илц донорцой примеси р- илц гг-слой толщиной. соответствуюшец максимальной чувствительности фотодиода ц максимальному к. и.д. преобразователя энергии излучения в выбранной части спектра. После удаления с одной цз поверхностей полученного слоя в эту поверхность и в участки р- цли л-слоя, полученные при перВОИ диффузии, вил аВляОт Онтактный сплав.По предложенному способу получают фотоэлементы ц фотодцоды повышенной чувствительности с увеличенным к. и. д,Таким образом, диффузия акцепторцой примеси в полупроводник п-типа производится два раза. Первичной диффузцей создается тол Лгв 156626стая р-область со всех сторон полупроводниковой пластинки. После диффузии р-область любым известным способом удаляется со всех поверхностей, кроме предназначенных для нанесения контактов к р-области. Затем вторичной диффузией акцепторной примеси создается р-область толщиной, требуемой для максимального к, и. д. фотоэлемента и максимальной чувствительности фотодиода. После вторичной диффузии тонкая р-область с одной из поверхностей удаляется любым известным способом (травление, шлифовка и т. д.). На и-область и толстую р-область наносится контактный сплав, который затем вплавляется.На р-области сохраняется низкоомный приповерхностный слой, сильно легированный в процессе диффузии, что позволяет создать тонкую р-область с малым сопротивлением растекания.Из-за наличия толстой р-области в месте создания контакта устраняется возможность проплавленги р-области и не образуется резкого р-и перехода.Предмет изобоетенияСпособ изготовления полупроводниковых фотоэлементов и фото- диодов из материалов с малой диффузионной длиной неосновных носителей тока и большим коэффициентом поглощения света в собственной полосе, например из арсенида галлия, основанный на диффузионном введении примесей для создания р-слоя на исходной пластинке полупроводника п-типа или соответственно п-слоя на пластинке полупроводника р-типа, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности и увеличения к. п.д. фотоэлементов и фотодиодов, диффузией акцепторной или донорной примеси создают вначале р- или соответственно п-слой, охватывающий пластинку полупроводника со всех сторон и имеющий толщину, достаточную для получения на нем контактов без проплавления этого слоя контактным сплавом, затем полученный р- или и-слой удаляют со всех участков, кроме предназначенных для размещения контактов, после чего на участках, с которых был удален р- или п-слой, вновь создают диффузией акцепторной или до 11 орной примеси р- или п-слой с толщиной, соответствующей максимальной фоточувствительности и максимальному к, п.д. преобразователя энеогии излучения в выбранной части спектра, удаляют с одной из поверхностей полученный слой и в эту поверхность и в участки р- или п-слоя, полученные при первой диффузии, вплавляют контактный сплав.Редактор Е, Д. Доброжевский Текрсд Т. П. Курилко Корректор Т, В, йтуллинаПоди. и иси. 10 ДХ - 63 г. Формат бум. 70 М 108 ы Объсги 0,18 изд. л.Заказ 2252,17 Тираж 1250 Цена 4 кои,ЦИИИПИ Государствеиого комитета по дедам изобретении и открн.тий СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4Типография пр. Сапунова, 2