155198

Класс С О 1 г; 21 а, 71 Н 01(; 21 р, 11о 1 оБ 19 о СССР ВМ.;ЖВЗИяяЪ"; жИЙВЖАМОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подпдснпл грцппп М 89 В. П. Фетер СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ МАТЕРИАЛЕЗаявлено 4 апрели 1962 г. за .6 772266/26-9 в Комитет но делам изобрстсний и открытий при Совете Министров СССРОпубликовано в Бюллетен нвобретений и товарных знаков М 2 аи 3963 г. Известный способ измерения времени жизни неравновесных носите лей, основанный ца определении сдвига фаз хе дх изменением интенсивности рентгеновского или светового облучения полупроводника ц значецием его проводимости, сложен.Отличительная особенность предлагаемого способа измерения времени жизни неравновесных носителей в полупроводниковом материал в том, что определение времени жизни совмещают с определением проводимости полупроводникового материала посредством четырехзондо. вой головки, При этом используют или два потенциометрических зонда головки для инъекции неравновесных носителей прц исследовании тонких полупроводниковых пластин, или два дополнительных цнъектирующих зонда, располагая их в плоскости, перпендикулярной плоскости установки зондов головки црц исследовании слитков. Время жизни неравновесных носителей определяют по сдвигу фаз между инъектируюцим напряжением и изменением проводимости полупроводникового материала. Способ дает возможность упростить процесс измерения времени жизни неравновесных носителей.На фиг. 1 и 2 приведены схемы устройства с четырех- ц шестизондовыми головками, поясняющие предлагаемый способ измерения времени жизни неравновесных носителей в полупроводниковом материале.Предлагаемый способ основан ца определении фазового сдвига между изменением величины фактора, воздействующего ца проводивость и полупроводникового материала, ц изменением величины этойг 1 роводимостп. Определение времени т жизни неравновесных носителей совмещают с определением (т, 1 ля измерения т на тонких пластинах применя 1 отся те ке четыре зонда 1, 2, 3 и 4 с проводящим нижним основанием 5, которые используются для измерения и, а для измерения т на слитке неправильной формы инъектирующие зонды 6 и 7 размещаются между токовыми зондами 8, 9, 10 и 11 в плоскости, им перпендикхлярной.В положении 12 ключа 13 схема имеет вид обычной схемы четырехзондового сГГосооа измерения о, в положении 14 ключа 13 между зондами 2, 8 и Проводящим нижним основанием 5 приложено инъектирующее поле, промодулированное синусоидальным напряжением частоты с, Измеряется сдвиг фазы между модулиру 1 ощим напряжением и изменением проводимости, которой пропорционален сигнал на сопротивлении 15. При этом положение двикка потенциометра 16 выоирается таким, чтооы переменный сигнал, подаваемый па сопротивление 15, был минимальным, в этом случае на сопротивлении 15 не выделяется составляк- щая, пропорциональная ток через инъектирующие контакты, и только составля 1 ощая, пропорциональная изменению проводимости,В общем случае, чтобы избавиться от этой регулировки, можно ввести два д(ц 1 олнительных зонда 6 и 7, тогда описываемый способ будег пригоден и для измерения т на слиткахблонды 6 и 7 располагают в плоскости, перпендикулярной плоскости четырех основных зондов 8, 9, (О и 11, В положении 17 переключателя 18 производится измерение (Г, а в положении 19 измеряется т, одновременно измерение Гт и т невозможно, так как о измеряется в условиях отсутствия инъекции с зондов, в том числе и инъектирующих, Сдвиг фаз измеряется устройством 20.Предмет изобретенияСпособ измерения времени жизни неравновесных носителей в пол 1.- проводниковом материале, основанный на определении фазового сдвига между изменением величины фактора, воздействующего на проводимость полупроводникового материала, и изменением величины этой проводимости, отл и ч и о щи й с я тем, что, с целью упрощения процесса измерения, определение времени жизни совмеща 1 от с определением проводимости полупроводникового материала посредством четырехзондовой головк 11, ГСпольз я два погенциоме 1 рических зонд;оловки инъекции перавновеснь 1 х носителей при исследовании тонких полупроводниковых пластин или приеГ 151 я двз дополнительных инъектиру 10 цих зонда, рзспол 11 гзя и в плоскости, пер 11 ендикулярной плОскОсти ъстановки зондов пловки при исследовании слитков, и определяют время жизни нерзвГК 1 весных носителей по сдвигу фаз между ииъектирующим напрякепи(м и изменением проводимости полупроводникового мате- РИ ЗЛ 51.