Свч-транзистор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИРЕСПУ БЛИН и 1 51)5 Н 01 1. СА ЕН ьевю А.В.Р физики полу М.3 Советск АО,339455 на(57) Изо полунро-, но на теристик длитель- усипиваеодников лучвени ранэист ости фр ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР00 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(56) Федотов Я.А.Основыпроводниковых приборов.радио, 1970, с, 502,Технические условия атранзистор 2 Т 994. ТРАНЗИСТОРретение относится кй технике и направлэлектрических харара. Цель - снижениентов радиоимпульса м сигнала. СВЧ-траний кристаллы с электс выводами, содержит рэводники, размещенса и соединяющие ды кристаллов с общимистора. Индуктивность тих проводников удовям 10 Ь,щЕФ 01 щфюр/2) м. - индуктивностьтранзистор 10 щрщсатное напряжение аимпульсно токаверщення переходно- требуемая длительиоимпульса. Иэобретесширить область приэистора, 1 ип,мого транзисторозистор, включающродами и корпусдополнительные иные внутри корпувходные электроэлектродом транзЬ совокупности элетворяет услови(фтЕэи) где Ьобщего электродамаксимальное обрЭмиттер-база; 1эмиттера после зго процесса, фность фронта радние позволяет раменения СВЧ"тран0( Од.м(бобщл,и индуктивность общего электрода транзистора, включающая индуктивность базыи внешнюю индуктивностьмонтажа;импульсный ток эмиттерапосле завершения переходного процесса;максимальное обратное напряжение эмиттбр-база;требуемая длительностьФронта радиоимпульсов.:ьмекс Составитель Н. Гусельников Техред К,Дидык Корректор Э, Лончакова Редактор Н.Коляда Заказ 3475 Тираж Подписное ВВИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Иосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5аеПроизводственно-полиграФическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к полупроводниковой технике.Целью изобретения является снижение длительности Фронтов радиоимлульса усиливаемого транзистором сиг 5нала.Изобретение иллюстрируется чертезюм гСВЧ мощный импульсный транзисторвключает в себя корпус 1,являющийсяобщим электродом, с внешними входными2 н выходными 3 выво 4 ами, кристаллыактивной структуры 4, согласующиеемкости 5, эмиттерные 6, базовые 7,коллекторные 8 проводники и дополнительные проводники 9, соединяющиевходные электроды 10 кристаллов с обжим электродом,Пример конкретной реализации.СВЧ транзисторы были собраны набазе и в корпусе транзистора 2 Т 994.Параметры транзистора имеют следуюэначения: Ь , 0,0 нГн, 7.О 05 нГн. 25Фврмула изобретения,СВЧ-транзистор,включенный по схеме е общей базой, содержащий корпус с выводами, в котором расположеныкристаллы с входными эмиттерными ивыходными коллекторными электродами,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью снижения длительности фронтоврадиоимлульса усипенного транзисторомсигнала, входные эмиттерные электроды кристаллов соединены с общим базовым электродом транзистора проводниками, размещенными внутри корпуса,причем индуктивность совокупностипроводников удовлетворяет условиям
СмотретьЗаявка
4122186, 17.09.1986
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3562
АРОНОВ В. Л, ВАСИЛЬЕВ В. А, МОРОЗОВ Ю. И, ДЕСЯТОВ И. Б, РОДИОНОВ А. В
МПК / Метки
МПК: H01L 29/73
Метки: свч-транзистор
Опубликовано: 30.08.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1407345-svch-tranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Свч-транзистор</a>
Мощный свч-транзистор
Номер патента: 1347825
Опубликовано: 15.10.1994
Автор: Диковский
МПК: H01L 29/73
Метки: мощный, свч-транзистор
1. МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР с общим электродом, включающий распределение вдоль ряда транзисторных структур элементы частичного внутреннего согласования выхода с индуктивными элементами первого звена соглосования, включенными последовательно с блокировочным конденсатором между внутренним коллекторным и общим электродами, с индуктивными элементами второго звена согласования, подключенными к внутреннему коллекторному электроду и расположенными параллельно плоскости внутреннего коллекторного электрода, отличающийся тем, что, с целью снижения потерь выходной мощности и увеличения КПД путем повышения равномерности согласования выхода, индуктивные элементы первого звена согласования расположены перепендикулярно плоскости внутреннего коллекторного...
Мощный биполярный генераторный свч-транзистор
Номер патента: 1417721
Опубликовано: 23.06.1993
Автор: Диковский
МПК: H01L 29/73
Метки: биполярный, генераторный, мощный, свч-транзистор
...коллектортранзистора по постоянному току отзамыкания на базовый электроД. Натех же кремниевых кристаллах, гдерасположены блокировочные конденса4 Цторы с одного. края созданы ЙОП-конденсаторы 8 с площадьш электрода каж.фдого конденсатора, равной х 10 4 см,а с другого. краятойкопленочныенихромовые резисторы 9 с сопротивлени+ем каждого резистора, равным 4 Ом.45Четыре кристалла с ИОП-конденсаторамии резисторами смонтированы мк, чтосредние элементы объединейия вклвчафит в себя последовательно вкличеиныерезисторы, а крайние элементы объеди Ыпения - последовательно вкличеиныеконденсаторы. Объединение выполненос помощьи объединяащи индуктивныхэлементов 10 длиной не более 0,4 ммиз алимиииевой ленты сечением 240 Я30 мкм, Внутренняя цепь...
Мощный биполярный генераторный свч-транзистор
Номер патента: 1153767
Опубликовано: 30.04.1994
Авторы: Диковский, Евстигнеев
МПК: H01L 29/70
Метки: биполярный, генераторный, мощный, свч-транзистор
1. МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ГЕНЕРАТОРНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР, содержащий параллельно включенные транзисторные структуры в корпусе с внутренним и внешним коллекторными электродами, выходную индуктивно-емкостную цепь согласования, включающую МОП-конденсаторы, индуктивные элементы, входную индуктивно-емкостную цепь согласования, общий электрод корпуса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выходных мощности и КПД, участки внутреннего коллекторного электрода транзистора длиною не болеегде f - рабочая частота,L1 - погонная индуктивность внутреннего коллекторного электрода транзистора,C1 - средняя погонная некомпенсированная емкость...
Мощный свч транзистор
Номер патента: 460012
Опубликовано: 05.03.1976
Авторы: Баранов, Достанко, Мурашкин, Цуканов
МПК: H01L 21/00
Метки: мощный, свч, транзистор
...в кристалле транзистора, повышегоию коэффициента усиления по мощности и зь 1 ходной мощности прибора. Отсутствие непосрвдстввнного контакта с кремнием з обла) Состагитель Г, /Те:пед А, Еамь викина никова едактор Т. Орлсвск корректср 14. СнмкинаПодписное тров СССР Государственного комитет по делам изобретений Москва, Ж, Раушска Заказ 707/892ЦНИ Тираж 977 а Совета Мини и открытий н наб., д. 4/5П ип. Харьк. фил. пред. Патент стп эмиттера и маскирующими переход эмиттер - база участками пленки %0, такого металла,как А), для которого характерны процессь 1 электромиграции и интечсивного восстановления окисных соединений при повышенной температуре, положительно сказывается на проценте выхода годных приборов и их надежности. Если с эмиттером...
Способ измерения параметров свч транзисторов
Номер патента: 1083136
Опубликовано: 30.03.1984
Автор: Попов
МПК: G01R 31/26
Метки: параметров, свч, транзисторов
...соединен с первой шинойконтактной головки 2 для подключенияиспытуемого транзистора, вторая шинакоторой соединена с выходом источника 3 питания транзистора, а третьячерез последовательно соединенныенаправленные ответвители 4-6,включенные в линии передачи СВЧ мощности, соединена с согласованнойнагрузкой 7,.второй выход генератора1 рабочего СВЧ сигнала подключенчерез аттенюатор 8 к первому входумодулятора 9, второй вход которогосоединен с выходом генератора 10низкой частоты, а выход в , с входомответвителя 6, входы ответвителей4 и 5 соответственно соединены черезпоследовательно соединенные детекторы ,11 и 12 и избирательные усилители 13и 14 с первым и вторым входами измерителя 15 отношения, выход которогоподключен к индикатору...
Предыдущий патент: Устройство стабилизации мощности излучения газового лазера на парах металла
Следующий патент: Частотно-стабилизированный газовый лазер
Случайный патент: Устройство для нагнетания крови