Ерков
Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 974924
Опубликовано: 20.06.1999
Авторы: Ерков, Колосанов
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства
Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные шины второго типа проводимости; на поверхности полупроводниковой подложки и диффузионных шин расположен первый диэлектрический слой, адресные поликремниевые шины, расположенные перпендикулярно разрядным поликремниевым и диффузионным шинам, поликремниевые электроды, второй, третий и четвертый диэлектрические слои, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции, на первом диэлектрическом слое расположены поликремниевые электроды, на поверхности которых размещен второй диэлектрический слой, на...
Элемент памяти
Номер патента: 1540563
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Голод, Девятова, Ерков, Лихачев, Талдонов
МПК: G11C 17/00
...заряда. 11 аличие же второгопроводящего слоя 9 из тугоплавкогометалла или его силицида снижаетинжекцию носителей заряда из электрода затвора, что уменьшает компен 50сапию зарядов противоположного знака;иисктированных иэ подложки 1 и электрода затвора. Таким образом, в треть.ем диэлектрическом слое б. и вблизиего границ происходит накопление55преимущественно электронов, что переводит элемент памяти в непроводящее состояние с высоким пороговым напряженим, величина которого существенно превышает величину порогового напряжения в случае высокой цнжекцйон ной способности электрода затвора Энергетическое положение ловушек обеспечивает длительное хранение захваченного заряда, в том числе и при повышенных температурах.Стирание заряда...
Способ формирования полицидных структур
Номер патента: 1584653
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Голод, Девятова, Ерков
МПК: H01L 21/285
Метки: полицидных, структур, формирования
...ОсаЗЩЯть толикрсмний не имеет смысля, т.к, в этои случае полкремний начиняет расти па зоне неравномерно, Из черте- жа виде 0, что с павьддеев 1 ем темпера туры гряеичцые дявлееге 1 е ОсязКце 1 еил слоев умецьшаютсл. Боэможе 1 ы трц ва. - рианта выряще 1 ваЕЛЕл полцце 1 дцой структуры в еденам технологическом процессе иэ газовой смеси, составленной 50 нз источников кремния и силицндообра" эуощего металла одцовремееИо измене" нием одного иэ параметров давления в реакторе Р, соотношения реагентов К, температуры в реакторе Т).Бсетри варианта в реаепезяциирав 11 оцее 11 еы и лвллютсл техЕИЕческиии эквивалентами. Силицидцые слои осаждаотся поцепному ряэветвлене 1 ому мехянЕЕэиу р я слои паликремЕв 1 язя счет пиролизякремнийсодержащего...
Способ изготовления затвора для мноп-элементов памяти
Номер патента: 1641145
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Гольд, Девятова, Ерков, Лихачев
МПК: H01L 21/318
Метки: затвора, мноп-элементов, памяти
...0,001 1-2 2-4 4-6 10"12 Разбростолщины попластиеее,7. л 5 2 8 12 +15 л 200 Время форииронакилоксинитридного слоя, иинСкорость растекания инфориационного зарода, ВЫек 150 120 бО увеличениевреиенн проО, 15-0,25 О, 15-0,25 О, 15-0,2 О,15-0,2 граииированняДо 1 с 0,3-0,4 1+100:1 1; 50: 1 1; 2: 20 1:150:0 01 Образование81 О Температурньпе интервал синтезаЬ 55 слоя оксинитрида определяется способностью к записи информационного зарядае при температуре, превышающей Соотношениескоростейпотоков 8 С 1:80:ИН Скорость растекания инФорелациоееееого заряда, В/дек 4толщиной 300 А. Затем в случае необходимом Формируют слой блокирующего окисла из смеси моносилана и эакиси азота. Электроды Формируют с помощью Фотолитографии из легированного фосФором...
Элемент памяти
Номер патента: 1582890
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Багинский, Егоров, Ерков, Косцов, Лихачев
МПК: G11C 17/00
...5 и на границах второго ди- весьма желательно, так как он позвозлектрического слоя 5 с третьим б и ляет в этом случае повысить злектритретьего 6 с сегнетозлектрическим ческую прочность диэлектрической сисслоем 7. содержащих высокую плотность темы и создать дополнительную концепт" глубоких ловушечных центров, происхо- Зр рацию глубоких ловушечных центрон и, дит накопление заряда электронов что таким образом, способстнует улучшепереводит транзистор памяти в непро- нию эффективности записи информацион" водящее состояние с высоким пороговым ных зарядов и их хранению. Однако напряжением. т 1)етий диэлектрический слой б не долСтирание заряда осуществляется при.з 5 жен быть сколь угодно толстым, так ложением к затвору относительно под- как...
Элемент памяти
Номер патента: 1667537
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Голод, Девятова, Ерков, Лихачев
МПК: G11C 17/00
...случая полупроводниковой подложки р-типа. Исходное пороговое напряжение элемента памяти близко к нулю. Запись 15 информации осуществляют подачей на электрод затвора (слой 9) элемента памяти относитеяьноподложки 1 импульса положительного напряжения. Амплитуда импульса такова,что с учетом толщины и диэлектрических проницаемостей диэлектрических слоев 4-8 затворной Структуры электрические поля в сверх- тонком слое 4 окисла и нитридно-оксинитридной структуре имеют величины 25 не менее 1 б и 5-8 мВ/см соответственно. Электронный ток через сверхтонкий окионый слой 4 в этих условиях преобладает ад током электронов в нитрид но-оксинитридной структуре и часть ЗО электронов захватывается ловушками этой структуры, что переводит элемент памяти в...
Способ получения кормового дикальцийфосфата
Номер патента: 1409867
Опубликовано: 15.07.1988
Авторы: Белоконь, Богданова, Ворошилов, Ерков, Лапина, Михалева, Плехов
МПК: C01B 25/32
Метки: дикальцийфосфата, кормового
...от 0 до 70Целесообразность выбранного соот" 10 ошения Т:Ж в йламе рассолоочистки проиллюстрирована в табл.1. Как видно из табл.1, снижение отношения Т:Ж в шламе ниже 0,25:1 приВодит к перекислению продукта за счет образования кислых солей Фосфатов и увеличению времени проведения процесса за счет длительности процесса удаления влаги. Увеличение отношения Т:Ж более 0,5:1 приводит к пе. рещелачиванию продукта и увеличению времени процесса за счет замедления реакции в щелочной среде,Обоснование наиболее целесообразных отношений СаО к РеО при смеше. нии компонентов проиллюстрировано в табл.2. Как видйд иэ табл,2, снижениеотношения СаО к Р О ло 0,6 приводит к ухудшению качества продукта,продукт с рН = 4 имеет свободнуюкислотность....
Способ нормализации изображений объектов
Номер патента: 1035620
Опубликовано: 15.08.1983
Авторы: Ерков, Мямлин, Сулханов
МПК: G06K 9/42
Метки: изображений, нормализации, объектов
...чтобы все обьекты одного класса нормиро вали одинаково (требомние внутриклассою вой устойчивости при нормировании). Однако известные методы не обеспечивают50 этого требования, Вычисляемый угол поворота зависит от формы написания симБелью изобретения является увеличения точности нормализации.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу нормализации, основанному на сканировании изображения В 20 2обьекта световым лучом, формировании сигналов считывания иэображения, формировании и преобразовании их в сигналы управления перемещением элементов изображения, формировании первой последомтельности опорнь 1 х сигналов сканирования, формируют вторую последовательность опорных сигналов сканирования путем задержки первой...