Способ изготовления мдп-транзисторов

осится к технологииет быть исполь.и транзисторов ектроники и мож при изготовленг зовано 1 ДП-ин Целповыиеторовечекков,а ИДП- ы, вид на иие выхза сче ранзи верху иг,1; иг.1. ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМРИ ГКНТ СССР ПИСАНИЕ ИЗО ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬ(57) Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к способам изготовления МДП-транзисторов,Цель изобретения - повьшение выхода.годных МДП-транзисторов за счет устранения токовых утечек между областями истоков и стоков, Способ включаетформирование на кремниевой подложкепервого слоя оксида кремния, формирование маски иэ нитрида кремния, фор- ,тегральных схем,ью изобретения являетс ода годных МД 1-транзи т устранения токовых у областями истоков и ст фиг, показана структу стора интегральной схе на фиг,2 - разрез Ана фиг,З - разрез Б-Бмирование областей полевого оксида кремния, после чего на областях полевого оксида кремния и маске иэ нитрида кремния дополнительно формируют слой диэлектрика. Затем с помощью фотолитографии и диффузии бора Формируют области истока и стока. Далее на областях стоков, истоков Формируют второй слой оксида кремнияПосле чего дополнительный слой диэлектрика маску из нитрида,кремния: и первый слой оксида кремния удаляют и проводят стандартные операции формирования 1 ДП-транзисторов. В качестве до. - полнительного слоя диэлектрика можно испольэовать слой поликремния осаж- а ФЯ денного путем пиролиэа моносилана при пониженном давлении с последующим его прокислением. Слой диэлектрика может быть также сформирован пироли- С, тическим синтезомиз смеси моносила на и закиси азота при пониженном дав" П р и м е р. На кремниевой подложке 1 КЭФ 7,5 (100) формируют первый слой 2 оксида кремния толщиной 50 нм в потоке сухого кислорода при 1000 С (фиг.1-3). Затем осаждают слой нитрида кремния толщиной 130 нм при пониженном давлении и Формируют, методами фотолитографии маску 3 из нитрида кремния с окнами, в которых выращивают области 4 полевого оксида кремния толщиной 1200 нм в парах водь 1 на 1000 С, На области полевого оксида кремния и маску из литвинкремния осажджОт слой 5 диэлек танка иэ оксида кремния толщиной 300 нм, полученного реакцией моносилана созакисью хэота при 800 С в реакторе пониженного давления, Затем с помощью5 операций Фотолитографии и диффузии бара Формируют области 6 стока и истока. Диффузию бора проводят при 1010"С в течение ч 0 мин до его концентрации в областях б на уровне 10- 10"см з Далее на облаСтях стоков, истоков Формируют второй ,слой 7 оксид:х кремния при 900 С толщи"б ной О,б мкм, После чего слой 5 ди электрика, ма"ку 3 из нитрнда кремния н первый слой 2 оксида кремния удаляют и проводят стандартные операцииФормирования МДП-транзисторов.В качестве слоя 5 дижлектрика . 2 О можно испольэовать слой поликремния толщиной 50 нм, попучаемый осаждени ем в реакторе пониженного давленияо путем пиролиза моносилана прн 630 С с последующим его окислением впарах 25 воды при 900 С в течение 1 ч. Диапазоны температуры и времени формирования слоя 5 диэлектрика зависят от требуемой его толщины, минимальное эначепие которой определяется темпе- ЗОратурок и длительностью диффузионной загонки примеси в области стоков и истоков при Формировании МДП-транзис. торов.Использование данного способа из" готовления 1 ЩП-транзисторов в микро" схемах 558 РР 1 позволяет повысить выход годных кристаллов на операции контроля Функционировация с 2,6 до4,3%.Формула изобретения1.Способ изготовления ИДП-транзисторов, включающий Формирование накремниевой подложке первого слояоксида кремния, Формирование маскииз нитрида кремния, Формирование областей полевого оксида кремния, Фор"мирование областей истоков и стоков,формирование на этих областях второго слоя оксида кремния, удаление мас,ки из нитрида кремния и первого слояоксида кремния о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения выхода годных ИДП-траизисторов за. счет устранения токовых утечек междуобластями истоков и стоков, передФормированием областей истоков и стоков на областях полевого Ьксида кремния и маске из нитрида кремния дополнительно Формируют слой диэлектрика,который удаляют после Формированиявторого слоя оксида кремния.2.Способ по п,1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что слой диэлектрикаформируют осаждением поликремнияпутем пиролиза моносилана при пониженном давлении с последующим прокислением слоя поликремния,З.Способ по п.1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что слой диэлектрикаФормйруют пиролитическим синтезомиз смеси моносилана и закиси азотапри пониженном давлении.Гришин Составитель В.Техред М.Дидык Корректор С.Пат актор В.Трубченк Подпис Т СССР ениямкая изводственно-издательский комбинат "Патент", г". Ужгоро Гагарина,10 Заказ 4058ВНИИПИ Государственн1 гэо Тиражкомитета по изобМосква, Ж, Ра открытиям и д. 45