Патенты с меткой «подложкам»
Способ повышения адгезии полимерных покрытий к ферромагнитным подложкам
Номер патента: 220478
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Белый
МПК: B29C 41/20, B29C 41/34
Метки: адгезии, повышения, подложкам, покрытий, полимерных, ферромагнитным
Установка для присоединения полупроводниковых кристаллов к подложкам микросхем
Номер патента: 303678
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Голубовский, Лифл, Онегин, Салей
МПК: H01L 21/00
Метки: кристаллов, микросхем, подложкам, полупроводниковых, присоединения
...когорьх раз)сща)отс 5 и зякрсп 5)Отся в Опрс;с.П 01 Иоложснии подложки 5. Число сбо(очш(х гисзд раио числу позиций стола. Ня ;(сподиижпом Основании 6 расположспы .(сха- ПИЗМЬ ПОШТУ 11)ОЙ ИОДаИ И ИРИСОСДИПСНИ 5) К,) ИГгалс)ОВ Е ПОДЛ)ОЖКЯ, Ка)(ДЫП 3 К 1 ОРЬ(Х (; сдста 3 ляст сооой кс 1 рстк 3 7, псрс) сща)ощу 10- 51 1303 БРс 1 ТНО-ПОТУаТСЛЬНО и Рс 1 ДИЯ 1 Ы 10.,1 Пс)- ПряиЛС 13 И. Нс 3 Крои(ПТСЙПС 8 Кс 1 рСТКИ унрСПЛС- .Ы и ОПОраХ 9 Кас)СПИЯ ДВЕ рабОЧИС ГОЛОГКИ Иинструментами (1, осуцсствляющис захват ) рИСТс 3 ЛЛОВ, ПСрСИОС И.( и рябо)710 30 у И Ирнсосдипсппс к под,)ож)(ям. Псрссщспис карстки осуществлястся от привода 2. Г 1 одложки : агру)кяотся и соорочпыс гиездя из иякошпстя 1 э. Сьс)1 подложск с присос;псиными ериТаллс)1) И ОСМЩССТВЛ...
Устройство для присоединения кристаллов с шариковыми выводами к подложкам интегральных схем
Номер патента: 561237
Опубликовано: 05.06.1977
Авторы: Назаров, Сафонов, Соколов, Царьков, Шанов
МПК: H01L 21/98
Метки: выводами, интегральных, кристаллов, подложкам, присоединения, схем, шариковыми
...и нагружекия паяльныхголовок и предметный стол 111.Однако известные устройства не обеспечиввысокого качества присоединения. 10Цель изобретения - повышение качества присоединения - достигается тем, что устройство дляприсоединения кристаллов с шариковыми вывода.ми к подложкам интегральных схем, содержащеепаяльную головку, закрепленную на каретке, соединенной с приводом с возможностью перемещениядо регулируемых упоров, и механизм прижимапаяльной головки, снабжено механизмом зажимапаяльной головки, кинематически связанным с приводом, причем паяльная головка закреплена на 20каретке посредством оси, а регулируемые упорыразмещены по обеим сторонам оси.Устройство изображено на чертеже.Паяльная головка 1 с рабочим инструментом 2закреплена на...
Способ присоединения монокристаллических пластин кремния к инородным подложкам
Номер патента: 348132
Опубликовано: 25.01.1979
Авторы: Александров, Клименко, Ржанов
МПК: H01L 21/18
Метки: инородным, кремния, монокристаллических, пластин, подложкам, присоединения
...пластиной и подложкой промежуточного слоя из мате- . ЗО риала, имеющего меньшую температуруплавления,.чем температура плавленияматериала пластины, и способного об- .разовывать.с материалом пластины непрерывную систему равновесных твердыхрастворов. В результате прочно соеди-няются подложка с промежуточным слоемпри расплавлении последнего, а такжепромежуточный слой с монокристаллической пластиной при температурах, прикоторых материал пластины еще относительно мало химически активен. Примером реализации предлагаемого способа может служить присоединение пластины кремния к подложке из муллитовой керамики посредством промежуточного слоя из германия. На пластину кремния наносят слой германия, сверху накладывают плоскую керамическую подложку и...
Способ крепления полисульфидного гер-метика k алюминиевым подложкам
Номер патента: 840063
Опубликовано: 23.06.1981
Автор: Правдивцев
МПК: C09K 3/10
Метки: алюминиевым, гер-метика, крепления, подложкам, полисульфидного
...просеивают в холодной проточной воде при Т:18 С в течение 0,5 мини сушат в термошкафу при Т:40 С в течение 15 мин. После операции фосфатирования алюминиевая подложка выдерживается на воздухе при Т:18 С в течение 1 ч. Затем на эту подложку наносится раствор 4,4,4-трифенилметантриизоцианата в дихлорэтане концентрации 17,Нанесенное покрытие после сушки на воздухе в течение 15 мин отверждается термически при Т:100 С в течение 30 мин, После остывания подложки до температуры окружающей среды на нее наносится с помощью шпателя полисульфидная композиция следующего состава:Тиокол 100Двуокись титана 60Двуокись марганца 10Дибутилфталат 7Стеариновая . кислота 0,01 Дифенилгуанидин 1,0Аэросил О,1 После отверждения композиции при ТОС в течение 7...
Способ контроля адгезии тонких металлических пленок к диэлектрическим подложкам
Номер патента: 1033937
Опубликовано: 07.08.1983
Авторы: Архипова, Гуров, Суминов, Тучин
МПК: G01N 19/04
Метки: адгезии, диэлектрическим, металлических, пленок, подложкам, тонких
...поглотитель мощностиэлектромагнитного поля, который размещают между источником электромагнитного поля и пленкой, уменьшаютобъем поглотителя до тех пор, покапленка не отслоится, и по изменениюобъема поглотителя судят об адгезиипленки к подложке,Способ осуществляют следующим образом.На диэлектрическую подложку наносят одним из известных методов металВНИИПИ Заказ 5615/4Филиал ППП Патент ,лическую пленку, Размещают подложку с пленкой в электромагнитном поле сверхвысокой частоты таким образом, цтобы поверхность металлической пленки находилась сб стороны источникаэлектромагнитного поляРазмещают между источником электромагнитного поля и поверхностью пленки поглотитель мощности электромагнитного поля, например, дистиллированную воду,и...
Способ контроля качества адгезии покрытий к подложкам
Номер патента: 1229655
Опубликовано: 07.05.1986
Авторы: Новиков, Покатилов, Семизельников, Степаненко
МПК: G01N 19/04
Метки: адгезии, качества, подложкам, покрытий
...Особенностью объемной магнитострикции является ее возрастание при температуре фазовых переходов. Магнитное взаимодействие состоит во взаимном притяжении и отталкивании ферромагнитного материала и проводника с переменным электрическим током. Это приводит к возбуждению упругих колебаний поверхности покрыгия, а возникающие при этом силы являются поверхностными, так как вихревые токираспределены в слое конечной толщины, и,вследствие скин-эффекта, концентрируются вузком поверхностном слое покрытия. Ультразвуковые колебания способствуют проявлению эффекта расслоения или трещинообразования при условии равенства отслаиваюших сил прочности сцепления покрытия с подложкой. Для проведения измерений величины адгезии значение...
Способ определения адгезии покрытий к древесным подложкам
Номер патента: 1368723
Опубликовано: 23.01.1988
МПК: G01N 19/04
Метки: адгезии, древесным, подложкам, покрытий
...различной теплопроводности ма" териалов покрытия и материала под" ложки в зоне их контакта возникает отрывающая сила, которая приводит и отслаиванию покрытия от древесной подложки. При этом площадь нарушенного покрытия тем больше, чем хуже его адгеэия. Измеряют площадь Б зоны воздействия тепловой нагрузки,т.е,. площадь торца штифта, и площадь Б участка покрытия с нарушенной адгезией и определяют величину 6 адгеэии по формуле 40 где Ы Ы, " термические коэффициенты линейного расширения материалов покрытияи подложки соответственно;451 Т - величина изменения температуры материала покрытия;Е - модуль упругости материала покрытия;Составитель В.Редактор Л. Гратилло Техред М.Дидык П р и м е р. Определяли прочность сцепления покрытия из...
Способ увеличения адгезии тонких металлических пленок к подложкам
Номер патента: 1019965
Опубликовано: 30.05.1991
МПК: H01L 21/263
Метки: адгезии, металлических, пленок, подложкам, тонких, увеличения
...золота толщиной 40 нм напыляют на кремний (материал наиболее широко применяеьвй втвердотельной электронике) маркиКЭФ 0,3, а затем различные ее участ-ки размером 200 х 200 мкмжд облучаотсяпучком электронов с энергией .25 кэВдо различных доз в диапазоне от10 до ОК/см . Диаметр элект 20 ронного пучка равен 2 мкм. Облучениеучастков размером 200 х 200 мкм ведется в режиме строчного сканирования, Ток пучка равен 210 А. Разогрев кремниевой подложки в месте25 падения пучка по расчету не превышает 1 К. Изменение адгезии, связанноес электронным облучением, измеряется широко известным методом царапания иглой. В измерениях применяетсяЗО стальная игла с радиусом острия30 мкм.Результаты измерений показывают,что резкое повышение адгезиив- 800 раз...