Способ регенерации заготовки фотошаблона

(51) 312 С.ОЗ Г БРЕТЕНсвиапипьствд ОЛИСА ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРОО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬПИИ(56) Электронная промышленность. У 8-9, 1980, с,100-10.Авторское свидетельство СССР В 115798 б, кл, Н О 1 Ь 21/312, 1983. (54) СНОСОВ РЕГЕНЕРАЦИИ ЗАГОТОВКИ ФОТОШАВЛОНА(57) Изобретение относится к области микрозлектроники. Цель изобретения- повышение качества заготовки за счет улучшения однородности ее поверхности. С забракованных подложек фотошаблонов удаляют маскирующий слой ивыдерживают их в окислительной среде,после чего подвергают дополнительнойобработке в растворе едкого кали вводе с рН 10 ед с добавкой поверхностно-активного вещества в течение3 мин при температуре раствора 50 ОС.Затем подложки полируют и наносят наних маскирующий и фоторезистивныйслой для Аормирования рисунка фотошаблона методом фотолитографии, Обработка подложек в поселочном растворес рН 10"12 при 50-73 С в течение3-5 мин позволяет улучшить однородность поверхности подложки и повысить качество фотошаблонов.1306402 2 Изобретение относится к Области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении стеклянных заготовок для фотошаблонов.Цель изобретения - повышение качества заготовки за счет улучшения ч однородности ее поверхности.П р и м Е р 1, Забракованные пс локальным подтравам фотошаблоны с маскирующим слоей окиси железа после операции снятия маскирующего слоя и выдержки в окислительной среде подвергают дополнительной выдержке в щелочной среде (раствор едкого кали КОН в воде с рН 10 и 10,5 ед, и небольшой добавкой поверхностно:активного вещества) в течение 3 н -, .ин соответственно при температуре раствора 50 и 55 М соответственно, Затем стеклянные подложки подвергают финишному полированию в течение 10 мин и далее известным способом изготавли. вают фотошаблоны, т.е, подложки под: вергают многоступенчатой, ультразвуковой отмывке и наносят на них маскирующии слой окиси железа с помощью пиролитического разложения пентакарбонила железа. После этого подложки вновь отмывают на линии ультразвуковой отмывки, методом центрифугирава- ния накосят слой фотореэиста про-" водят его сушку в термашкафу. Патам с помощью шаблонов с определенной топопогией заготовки экспонируют на установке контактного размножения, проводят процессы проявления травления, снятия фотарезиста промывки и сушки. Контроль качества фоташаблона проводится с помощью Оптического микроскопа при увеличенич от 200 до 500 крат. П р и и е р 2. Пришедшие в негодность в результате эксплуатации фото".шаблоны (появление недопустимого количества проколов) с маскиру 1 ощим слоем хрома после операции снятия маскирующего слоя и выдержки в окислитель.:ной среде дополнительно выдерживаютв щелочной среде раствор едко:":с иатра ИаОН в воде с РН 11 и 11,5 ед. инебольшой добавкой поверхностно:активного вещества) в течение 4 м:при температуре раствора 50 и о 5"СсОответственно, Затем поДложки ИОДвергают финишной полировке и изготавливают фотошаблоны,П р и м е р 3. Забракованные .поневытравливаемым точкам фотошаблоцы и фатошаблонные заготовки, забракованные па пРоколам, с маскирующим слоем хрома после операции снятия маскирующего слоя и выдержки в акислительной среде дополнительно выдерживают в щелочной среде (раствор ецкого кали КОН в воде) с,РН 12 в те чение 5 мин при температуре растворао/О С. Затем стеклянные подложки под вергают финишной пслировке и изготавливают Фотошаблоны,Мерой повышения однородности поверхности стекла является снижение 5 брака по локапьным подтравам, проколам и невытравливаемым точкам.Уменьшение РН среды ниже 10 ед.не позволяет провести необходимое 20 подтравливание стенок пор, образующихся после выдержки в Окислительной среде, и значительно снизить их химическую активность, чта приводит к спрбции Ба цих абразивных частиц в 2,1 процессе полирования, Увеличение рНсреды выше 12 ед. приводит к выявлецио эапалирананных царапин и других дефектов, возникших Йа предыдущих , гадиях обработки стеклянной эаго;-.0 тонки фоташаблона. Уменьшение времени выдержки менее 3 мин не позволяет существенно увеличить диаметр пор и снизить их химическую активность.Увегичение времени выдержки более Х 3мип не гривадит к дальнейшем рас"равливанию и пассивации стенок пор иэ=,эа экранирующега действия продуктов взаимодействия компонентов стекла и щелочной среды, Уменьшение температуры среды ниже 50 С существенно снижает эффективность ее воздействия на поверхность стекла и требует увеличения времени выдержки. Увеличение1 л/температуры средь 1 выше 70 С приводит ,15 к выявленпо эаполированных царапин иснижает качество обработки,формула изобретения.;0 Способ регенерации заготовки фотоыаблана, вк,тючающий удаление маскирующего лая с его погерхности выдержку стеклянной подложки в окислительной среде с РБ О, 1-06 в течение с 2-З мин механическую обработку ееповерхности и последовательное формирование маскиру 1 ощего и фоторезистивного слоев, а т л и ч а ю щ и й с ят,ъМ Чта Р, ВЕЛЬЮ ГОВ ШЕЯИЯ 1 а,"СТВа.Тираж 375 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, %-35, Раущская наб., д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г,ужгород, ул.Проектная, 4 3 1306402 4заготовки за счет улучшения однород- цолннтельную выдержку подложки в щегности ее поверхности, перед механи- лочном растворе с рН 10-12 в течение ческой обработкой осуществляют до-5 мин при 50-70 С.