Способ изготовления контактов к кремнию

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 66187 1 1 21/8 55 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ТОВЛЕНИЯ КОНТАКГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Московский авиационный технологический институт им. К.Э. Циолковского (72) А.В. Черняев и З.В. Кичкина (53) 621,3,049(088,8)(54) СПОСОБ ИЗГОТОВ К КРЕМНИЮ Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления интегральных элементов микроэлектронных устройств.Целью изобретения является снижение сопротИвления контакта и повышение его стабильности,Сущность изобретения заключается в том, что на кремний напыляют тонкую пленку алюминия, имплантируют через эту пленку ионы фторида кремния и проводят термообработку.Химическим источником для получения ионов фторидов кремния служит гаэ 51 Р 4 или соли кремнефтористоводородной кислоты, например МаемР 6, ВаЗГ 6.Ионы фторидов кремния ускоряются, сепарируются по массе и внедряются в кремний через напыленную пленку алюминия. Доза ионов выбирается в зависимости от требуемой концентрации кремния в формируемой пленке сплава, Внедряемые ионы фторидов кремния при взаимодействии с(57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления интегральных элементов ми кроэлектрон н ых устройств. Цель изобретения - снижение сопротивления контакта и повышение его стабильности, Цель достигается тем, что на кремниевые структуры электронно-лучевым испарением в вакууме при температуре подложки 270 С наносят пленку алюминия толщиной 60+ 10 мм и через нее проводится имплантация ионов 5 Гс энергией 150 кэВ и дозой 510 см, Способ позволяет уменьшить величину сопротивления контакта в 2 - 3 раза. 1 табл. алюминием диссоциируют на атомы кремния и фтора.Вследствие относительной близости масс атомов фтора, кремния и алюминия передаваемая при столкновениях энергия упругого рассеяния приближается к своему максимальному значению. Это приводит к увеличению числа и равномерности распределения радиационных дефектов и обусловливает оптимизацию твердофазного перемешивания алюминия и кремния, При термообработке происходит восстановление атомами фтора островковой пленки диоксида кремния на границе Я-Я)О 2, чем подавляется миграция алюминия в кремниевую подложку,В результате совершенствования структуры пленки и подавления миграции алюминия наблюдается повышение стабильности и снижение сопротивления контакта к кремнию.Прим ы 2 е р. На кремниевые структур 11)/380 КЭС 7,5 (111) диамет1661875 Составитель Е,ПановРедактор Л,Гратилло Техред М.Моргентал Корректор А,Осауленко Заказ 2130 Тираж 372 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 76 мм методом электронно-лучевого испарения в вакууме на установке "Оратория" при температуре подложки 270 С наносится пленка алюминия толщиной 60 . 10 нм, Чеоез нее проводилась имплантация ионов Я Е с энергией 150 кэВ и дозой 5 10 см Источниками ионов служило термическое разложение ВаРГ 6 при 550 С, Термообработка структур проводилась в диффузион-ной печи СДО 125/3 в атмосфере сухого , аргона в течение 10 мин, Результаты по тестовйм структурам представлены в таблице.Полученные данные показывают, чтоданный способ позволяет уменьшить величину сопротивления контакта в 2-3 раза. После 120-часовой выдержки при 100 С сопротивление контакта увеличивается Ъо известному способу на 400 , а по предлагаемому на 15, что свидетельствует 5 об. улучшении стабильности контакта. Формула изобретения Способ изготовления контактов к кремнию, включающий напыление на кремний 10 тонкой пленки алюминия, имплантацию через зту пленку полиатомных ионов кремния итермообработку, отличающийся тем, что, с целью снижения сопротивления контакта и повышения его стабильности, в ка честве полиатомных ионов кремниявыбирают ионы фторида кремния.