Патенты с меткой «фотошаблон»

Номер патента: 495636

Опубликовано: 15.12.1975

Автор: Переверзев

МПК: G02B 27/00

Метки: фотошаблон

...в виде прозрач ной подложки с повторяющимися прозрачнымп и непрозрачными элементами, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения разрешающей способности, в нем через интервал на прозрачные элементы установлены полу волновые пластины. Изобретение мокнет быть использовано в галографических системах формирования изображения,Известные фотошаблоны, выполненные в виде прозрачной подложки с повторяющимися прозрачными и непрозрачными элементами, имеют недостаточную разрешающую способность.Для повышения разрешающей способности в предлагаемом фотошаблоне через интервал на прозрачные элементы установлены полу- волновые пластины.На чертеже представлена принципиальная схема описываемого фотошаблона, выполнен ного в виде подложки 1 с...

Номер патента: 508973

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Васильев, Гойденко, Дайнеко, Погоцкий

МПК: H01L 21/363, H05K 3/06

Метки: фотошаблон, эталонный

...шК-З 5, уи(с:,.5( ил . л. 4,. ПО исиоеССС Сл "(ио . Т(Л(Чф 5 1 ц"дъа должца бы) ь и,"Б( р:1 з,( Выше любОГО .1;1 кровыступа, цаход 1 цсгос 51 В зо;1 е (;)або 10) ф(1 Пи(1 б;10 иа, ч Г(н)ы искл(очить исиосрсдсВси. (ли жцтк Г жду рабОЯИ 1 И зц(1 м 5 ф 01(- шаблонов ири кот(1 к гной печати. Отс(ода И 1)сдъЯВл 5110 Гс 51 1 РСООВаии 51 и иод,Ожк 51 м, с"(еклОпластииа(1, примец 51 емьм при изГОтов,101 Пи фотошаблонов. Неровности подложки задаются, как ПЗВестцО, ее ГеплосОстиость 10 (Отк(10- цеиием От идеалы 101 11 лОскости 1,В результате, например, для изготовлсшя фотошаОлоцОВ с мииимальцьми размсрами элементов 5 - 8 мк Высоту опорных прсдохраиительцых плГщадок иеобходимО Выбрать О,б - 1,0 мк и использовать для изготовления фотошаблоцов...

Номер патента: 508974

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Корнюшин, Оренман, Фандеев

МПК: H01L 21/363, H05K 3/06

Метки: фотошаблон

...спектра, в которой производят совмещение, и непрозрачного для экспонирующего излучения.На чертеже изображена схема фотошаблона с базовыми метками.На нерабочей стороне фотошаблона 1 на ния.Совмещение полупроводниковой пластины,покрытой фоторезистом, с фотошаблоном производят по базовым меткам. Возможность сов мещения обеспечивается прозрачностью защитного покрытия в видимой области спектра.Затем полупроводниковую пластину вводят в контакт с фотошаблоном и экспонируют.Участки пластины, на которых расположены 15 базовые метки, остаются неэкспонированнымиблагодаря защитному покрытию и поэтому при проявлении и травлении они остаются покрытыми фоторезистом, то есть пригодными для следующей фотолитографии.20 Таким образом, неограниченное...

Номер патента: 516210

Опубликовано: 30.05.1976

Авторы: Васильев, Волков, Карантиров, Рюмшина, Хоперия, Шараев

МПК: H05K 3/06

Метки: фотошаблон

...Фотошаблон без каких-либо изменений выдерживает около 500 контактов, Сама же конструкция обеспечивает возможность изготовления на поверхности окнсленных пластинок кремния копий рисунка с пробельными участками шириной 2,5 мкм, с шириной штриха 2,5 мкм при неровности краев не свыше +0,3 мкм,На поверхность плоскопараллельной заготовки наносят термическим напылением пленку кремния. После этого последовательно обрабатывают металлизированную заготовку в растворе хромпика - 5 мин, дистиллированной воде - 5 мин, дистиллированной проточной воде - 10 мин и сушат с целью удаления следов азотной кислоты при 120 в 1 С в течение 15 мин.После подготовки подложка подвергается сенсибилизации, например, в растворе хлористого олова 40 г/л и НС 1 40 мл в...

Номер патента: 715362

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Кауфман, Кимарский, Сергиенко

МПК: B41M 3/08

Метки: фотошаблон

...Изображение требу.емой функциональной схемы выполнено вмаскирующем слое 3, например, их хрома,нанесенном на защитный слой 2,Защитный слой 2 наносится на поверхностьстеклянной подложки 1 после подготовкипоследней известными методами механическойи химической обработки.В процессе химической и механической обработки стеклянной подложки 1 в ее поверх.Составитель В. ЮсковГехред Н.Бабурка Корректор М. Шароши Редактор Н. Козлов Подписное 4 Заказ 9426/15ЦНИИПИ Г го комитета СССР й и открьпийуюская наб д. 4/5 ударственим изобрете , Ж - 35, Р 113035, Мос ал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектн 3 71ностйом Слое образуются дефекты (выколки,бугорки, царапины), являющиеся практическиединственной причиной выхбда из строя фотошаблонов во время...

Номер патента: 938338

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Гунина, Лаврентьев, Логутова, Поярков, Степанов, Черников

МПК: G03F 7/26, H01L 21/265

Метки: фотошаблон

...этогоне происходит "сшивание" фоторезистас маскирующей пленкой и положительный эффект не достигается.При легировании ионами с энергией более 2 ЬО кэВ происходит разогревание подложки до температуры, прикоторой происходит разрушение фоторезиста,Если доза легирования менее100 мкКл/см , то не достигается оптигмальная оптическая плотность, неполностью затягиваются проколы и,следовательно, цель изобретения недостигается.При дозе легирования. больше500 мкКл/см происходит разогревстеклянной подложки, что отрицательно влияет на качество легированного 1 Офоторезиста, резист разрушается.На чертеже изображен предлагаемыйфотошаблон, разрез,фотошаблон содержит стекляннуюподложку 1 с нанесенным .на нее маскирующим слоем 2 из металла илл...

Номер патента: 1003201

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Мешковский, Суслов, Фролкова, Фролов

МПК: H01L 21/312

Метки: фотошаблон

...неоднородности не более100 3, е непрозрачные участки выполнены в виде обЛастей пористой структуЗОры, заполненных материалом, поглошающим ультрефиопетовЬе излучение,В способе изготовления фотошаблона,включающем формирование нв рабочей помверхности стеклянной пластины защитноймаски иэ фоторезиств, химическую обреботку незащищенных участков пластиныполучение непрозрачных дпя ультрафиопетового изпучения участков, удаление защитной маски, химическую обработку проводят путем вьпцепачивения стекпа не глубину 10-20 мкм, в попучение непрозрачных участков - путем пропитки полученных областей пористой структуры материалом, поглощающим ультрафиолетовоеизлучение.Процесс выщелачивания отличается отпроцесса травления тем, что дпя выщелачивания...

Номер патента: 1112443

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Бородин, Грищенко, Неелов

МПК: H01L 21/312

Метки: многослойной, печатной, платы, фотошаблон

...Выполнение реперного 43 2знака в виде кругов одинакового диаметра, частично перекрывающих друг друга с образованием крестообразной фигуры с острыми кромками, обеспечивает высокую точность совмещения отдельных слоев фотошаблона.На фиг. 1 приведен фотошаблон, общий вид, на фиг. 2 - то же, вид сбоку, на фиг, 3 - первый слой подложки фотошаблона с фрагментом рисунка на фиг. 4 - второй слой подложки фотошаблона с другим фрагментом рисунка, на фиг. 5 - поперечный разрез, общий вид.Фотошаблон (фиг,1 и 2) содержит подложку, состоящую из слоев 1 и 2, совмещенных друг с другом, На слое 1 нанесен один из фрагментов 3 рисунка фотошаблона и реперные знаки 4 (фиг,3). Фрагмент 3 может представлять постоянную часть рисунка для группы...

Номер патента: 1547556

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Белых, Малахов

МПК: G03F 1/00

Метки: контактной, фотолитографии, фотошаблон

...в слое фото- ф,резиста, В современной технологии фотолитографии, как правилй, используются уфоторезистивные пленки толщиной 0,4 - 1,0 умкм, Таким образом, для достижения минимального размера необходимо, чтобы фо- фкальные плоскости собирающих оптическихлинз лежали на расстоянии, не превышающем 0,4 мхм от рабочей поверхности фото- ашаблона,Фотошаблон согласно изобретению состоит из рельефной стеклянной подложки срасположенным на выступах маскирующимслоем. Впадины рельефа выполнены в соответствии с элементами топологии с вогнутыми основаниями, Эти элементы топологиипредставляют собой области в стеклянной1547556 Составитель О. ПавловаРедактор Т, Лошкарева Техред М, Моргентал Корректор Н, Гунько Заказ 562 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1026564

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Довжик, Зубрицкий, Коган, Коломиец, Котлецов, Лантратова, Любин, Шило

МПК: G03F 1/00

Метки: фотошаблон

1. Фотошаблон, содержащий подложку с двухслойным маскирующим покрытием на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников, прилегающий к подложке нижний слой которого выполнен из материала системы As - Se, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности и износостойкости конструкции материал нижнего слоя имеет полимеризованную структуру, а верхний слой выполнен из материала AsI-xSex, где 0,45 x 0,55 с деполимеризованной структурой, причем толщина нижнего слоя удовлетворяет условию 0,05 h

Номер патента: 1795714

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Борздов, Возный

МПК: G01J 1/42

Метки: светочувствительных, слоев, установок, фотошаблон, экспозиции, экспонирования

...фотошаблоном.в Поставленная цель достигается тем, что расщепитель светового потока расположен между конденсором и источником излучения, а фотошаблон - между конденсором и объективом;Принципиальное отличие заявляемого устройства заключается в том, что выделенный расщепителем световой поток дважды модулирован фотошаблоном (в прямом ходе светового пучка от источника излучения к подложке со светочувствительным слоем и в обратном ходе отраженного от подложки светового пучка к фотоприемнику), при этом часть светового потока, которая пру экспонировании засвечивает светочувствительный слой в области геометрической тени изображения, экранируется фотошаблоном и не вносит вклад в изменение интенсивности падающего на фотоприемник светового пучка...