Патенты с меткой «полуизолирующих»

Номер патента: 859896

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Белькова, Замотринская, Михайлова, Нестеров

МПК: G01N 27/22

Метки: дисперсии, диэлектрической, полуизолирующих, проницаемости, ячейка

...исследуемое вещество.Ячейка работает следующим образом,Эквивалентная схема замещения ячейки(фиг, 2), заполненной материалом, диэлектрическая проницаемость которого имеет частотную дисперсию, состоит из двухветвей: левой и правой,Левая ветвь; С, Р - емкость исопротивление, двойного электрического 50слоя на границе раздела исследуемый мате-,риал - проводящий элемент; С , 1" и1 иС, У - емкость и сопротивление двухЙС -цепочек, моделирукяцих реаксационные процессы в части образца с площадью 55поперечного сечения, равной площади контакта проводящего элемента с образцом,С - емкость части диэлектрической про кладки 5, с площадью, равной площади контакта проводящего элемента с образцом.Правая ветвь: С 1 - емкость диэлектрической прокладки с...

Номер патента: 475917

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Александрова, Вязанкина, Лымарь, Сарнацкий, Скворцов, Уэльский

МПК: H01L 21/02

Метки: арсенида, галлия, полуизолирующих, слоев, эпитаксиальных

...соединение, разлагаетсяца свету и сильно гидролизуется., Кроме того, для получения эффекталегирования требуется введение очень больших количеств хлористого хромила, что приводит к заметному снижению скорости роста и эррозии поверхности.Целью изобретения является создание простого технологичного способа .изготовления полуизолирующих эпитаксиальных слоев арсецида галлия судельным сопротивлением в зависимости от типа легирующей примеси 10о"30-40 л/ч Сущность предлагаемого способа заключается в легировании эпитаксиальных слоев арсенида галлия из карбоцилов соответствующих металлов, Карбонилы Сг, У, Мо, Ге, Со, И 1 известны, получены и очищены, имеют достаточно высокие упругости паров и распадаются с выделением металла 5917 2прц...