Патенты с меткой «значениях»
Устройство для измерения вольт-амперных характеристик сильноточных сверхпроводников при разных значениях индукции магнитного поля и температуры
Номер патента: 1043754
Опубликовано: 23.09.1983
МПК: H01F 6/00, H01L 39/00
Метки: вольт-амперных, значениях, индукции, магнитного, поля, разных, сверхпроводников, сильноточных, температуры, характеристик
...обеспечить работу СПтрансформатора при температуре до18 К, поэтому первичная обмотка должна быть выполнена из материала наоснове сплавов ИЬЗЯп или 73 Са скритической температурой Тс = 18 К,который более хрупкий по сравнениюсо сплавом ХЬТ 1 с Т= 9 К. Для замены СП образца необходимо произвести разборку устройства, что приводит к дополнительным затратамвремени и потерям жидкого гелия,связанным с охлаждением криостата до Т = 4,2 К.Цель изобретения - расширениефункциональных йозможностей устройства и повышение точности измеренийпутем повышения точности регулирования температурыи увеличения диа-пазонавнешнего магнитного поля.Поставленная цель достигаетсятем, что устройство дополнительносодержит источник внешнего магнитного поля в виде...
Способ определения чувствительности электрофотографических носителей на основе халькогенидов мышьяка и сурьмы по начальной скорости спада поверхностного потенциала при различных значениях интенсивности света
Номер патента: 1234802
Опубликовано: 30.05.1986
Авторы: Андриеш, Буздуган, Шутов
МПК: G03G 13/00
Метки: значениях, интенсивности, мышьяка, начальной, носителей, основе, поверхностного, потенциала, различных, света, скорости, спада, сурьмы, халькогенидов, чувствительности, электрофотографических
...ЭФФект световой усталостив данных фотоносителях устраняют двумя способами; выдерживают в темноте 251 сутками) или дозаряжают частичноразряженные .в темноте, предварительно Осуществляют засветку с последую. щей зарядкой слоев, Второй способвозможен благодаря тому что световая усталость носителя обусловленаопустошением локальных состояний,заполненных во время засветки. Причем основной вклад в увеличение темнового спада поверхностного потенциала дает начальная составляющая скорости темнового спада, в результатеопустошения менее глубоких состояний.Устранение этого эффекта возможнопредложенным способом,Таким образом, поспедовательностьопераций на засвеченных носителях;дозарядка до начального потенциала,частичная разрядка в...