Способ отбраковки транзисторов

(56) 1. Авторское .свидетельство СССР М 285710, кл. 6 01 К .31/26, 07.10.76.2, Авторское свидетельство. СССР 9 273004, кл. С 01 к 31/26, 21.12.70. (54)(57) СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ТРАНЗИСТО-. РОВ, включающий подачу напряжения . между коллектором и эмиттером транзистора, измерение. величины и времен- ной стабильности тока коллектора и сравнение его с эталоном, о т.л ич а ю щ и й с я тегл, что, с целью снижения трудоемкости, отбраковку ведут при комнатной температуре, напряжение между коллектором и эмиттемально ающее ером, рания равным макс ают прямосмещ базой .и эмит пряжение отп соотношением навливаюмому, под ие между рогл уст допусти напряже не прев в соотв ышающее на тствии с ,0 =СТ отрибо е с ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И:ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗО М АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ бэ ( о 1 пнапряжение между базэмиттером;константа, зависящаяматериала кристаллараф- задаваемая (моделирутемпература ,о - комнатная температур- коэффициент неидеальВАХ,температурный потенц(Обапричиной она вызвана температуройнапряжения отпирания эмиттерного пеили эквивалентным действием. прямого рехода.смещения) . Отбраковку ведут при нормальнойПриравняв правые части выражений (комнатной) температуре окружакщей2 и (4 получим: среды и равной ей температуре корпуса испытуемых транзисторов.Отбраковку ненадежных транзисторов ведут по величине тока в цепиколлектора транзистора и его нестабильности во времени.Проведя сокращение и уравняв по" 1 О При этом величина коллекторногоказатели экспонент, получимтока испытуемых транзисторов будетЩ . пропорциональна их обратным токамС 7-У: в в . (ф) для некоторой повышенной температуры,Чт , благодаря наличию сильной взаимосзя 5 зи прямого напряжения 0 э и темпера-.То есть, действие температуры на туры (5) и (б). Чем больше поданотранзистор,(при сохранении экспонен- смещение на эмиттерный переход, темциального характеРа 3 э Р)можно большей температуре будет соответстзаменить действием малого прямого. вовать.коллекторный ток.испытуеьыхсмещения эмиттерногоперехода.20 транзисторов.При этом эквивалентное значениеЧем больше дефектность транзисторсмещения Орэ можно определить из (б) ной структуры ( р- й переходов и рабо 1 чих слоев), т.е, чем больше иСПытуе"Ьз СР 1 о 1 пЧт, )алый транзистор отличается от идеализированноймодели транзистора, темС более высокой степенью точности больший ток будет протекать в коллекэквивалентное значение можно опреде- торной цепи при заданных значениях лить экспериментально на нескольких Оэ = сопь 1 и Ц э: сооМ . Так какэкземплярах: транзисторов (эталонах) отбраковка дефектных,транзисторййх ,данного типа путем сравнения величин структур ведется при нормальной темобратных токов, полученных при нагре.- пературе, отжиг технологических де-30ванин в термокамерах и при действйи фектов будет отсутствовать и ток колмалого прямосмещающего напряжения лектора будет содержать дополнительОз . В последнем случае.суммарный ную составляющую, обусловленную нали. обратный ток будет несколько больше чием инверсионных слоев и каналов сза счет отсутствия явления временногоЗ 5 близкой к нулю Энергией активации,отжига дефектов и более полного учета П р и м е р. Необходимо произвестиобъемных дефектов и утечек на поверх- разбраковку партии изготовленныхности полупроводникового криеталла. транзисторов типа МП 14, годные транЧем больше отличие реального транзис- зисторы по техническим условиям должтора от идеализированной модели, тем 40 ны иметь следующие параметры:больше будет превьааание величины тока коллектора при заданном прямом"кзотах15 В при 1 =+50 Ссмещении эмиттерного перехода.Цкэ,ц 10 В при-+70Для установившегосятехнологичес-О =-10 Вкого процесса изготовления полупро 8водниковых приборов величина 0 у"- оэЦ =-15 Вкэк30 мкА 4 ри =+20-С итанавливается также постоянной до кэ= 15 Ввнесения изменений в технологии. При Для отбраковки ненадежных транзисвнесении изменений в технологию вели- торов по предлагаемому способу необчина 11 э должна быть определена 50 ходимо предварительно определить ве 1вновь. личину смещения эмиттерного переходаРазбраковку партии однотипных . . МЗ по формуле (7).транзисторов ведут в условиях, одинаковых для всей массы испытуеьйх тран" Ц, . "1 ф у.Цс -с ь п Чтзисторов, в следующем режиме и последовательности.- 5Между коллектором и .эмиттером ис- где т1,3, пытуемого транзистора устанавливаютЮт26 мВ для Т=+20 С; напряжение, равное. максимально доС0,07, град 1. пустимому, указанному в нормативно- Для температуры Т=+59 С и= технической документации, .Щ Ь+20 С получим Оэ =0,07 градо30 С 1,32 б мВ=71,2 мВ.От дополнительного источника на- Более точное значение цбэ опредепряжения на эмиттерный переход зада-, ляем из сравнения величины Зз,. .ют прямое смещение цвэ= сопМ , вели- при=+50 фС, 0 кз -15 В и величины чина которого не должна превышать 65 тока коллектора по предлагаемому1.049837 Составитель Н,ЮияновРедактор О,Юрковецкая. Техред Т.Матчока Корректор А. Зимокосов Заказ 8410/42 Тираж 710 ПОДписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по джам изобретений и открытий 113035, Москва, 3-35, Раушская наб. д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул,Проектная, 4способу при 0 .=-15 оВ, То=20 С и различных смещениях эмиттерного перехода для нескольких транзисторов этого типа, взятых в качестве эта- лонных.Уточненное значение,0 э оказалось равным 0 э =75 мВ.Зная величину 0 з , остается произвести разбраковку партии транзисторов при ц э =-15 В, О =-75 мВ и Т щ+20 оС. 10оУровень отбраковки по току коллектора определяется степенью жесткости отбраковки; а величина нестабильности оценивается так же, как указано в технических условиях к ОСТ 11073 15 056-76, только при действии прямого " смещения на эмиттерном переходе.Предлагаемый способ отбраковки. позволяет отбраковать деектные транзисторы, имеющие: напряжение пробоя коллектоР-эмиттеР ц э про 8 меньше испытательного .напряжения 0 э (равноГО МаКСИМаЛЬНО ДОПУСТИМОМУ),КЭдоб4 0 Э =ОЭо (ТРаНЗИСТОР ВХОДИТ: В РЕжим пробоя и имеет увеличенный ток коллектора за счет действия. ударной иониэации) р большие "Кбо к ЭЪо иво всем диапазоне рабочих температур, нестабильность обратных токов переходов, создающую приращение тока коллектора во времени 3 Ф Ь Эктехнологические отклонения дефекты ВАХ р - П.переходов от ВАХ, р - и переходов моДели идеализированного транзистора, а также инверсные слои и каналы с близкой к нулю энергией активации, обуславливающие повыаенные значения обратных токов.Следовательно, применение .предла-" гаемого.способа позволит;.Уменьшить число контрольных операций при раз- . браковке транзисторов и интегральных схем (напримердфр, ю а "обр "кэзпроб; ио и других параметров при.повышейной темпераТуре), сократить объем периодических испытаний на надежность и объем дорогостоящих термо- и электротенировок за счет более ранней отбраковки деФектных приборов,