Сталерайтис

Номер патента: 1465844

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Болотин, Левитас, Радзявичус, Сталерайтис, Стонис

МПК: G01R 33/095

Метки: вектора, величины, знака, индукции, компоненты, магнитного, поля, постоянного

...и знаку амплитуды детектированного постоянного напряже .ния, причем среднюю частоту Яз моду 30 лированной частоты переменного тока и иодулирующую частоту р выбирают из соотношенийсд Г =1 2 фТсс у сяь в з м ьр где- времй релаксации изменения35 . сопротивления резистора в магнитном поле;Т - наименьшее время колебаний ,амплитуды постоянного напряжения на резисторе в отсутствие магнитного поля.В предлагаемое устройство для измерения величины и знака компоненты вектора индукции постоянного магнитного поля, содержащее гальваномагни, торекомбинационный резистор, источник переменного электрического тока и измеритель постоянного напряжения, введены источник переменного напря 50 жения, эаграждающий фильтр, селективный усилитель и синхронный...

Номер патента: 1061079

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Гринберг, Мдивани, Сталерайтис, Шилальникас

МПК: G01R 33/07

Метки: индукции, магнитного, переменного, поля

...холловским контактам которого подключены токовые контакты второго датчика Холла, и селективный измеритель напряжения, подключенный к выходным Холловским контактам второго датчика Холла 11 .Однако известные способ и уст-, ройство для его реализации обеспечивают нелинейную зависимость измеряемого напряжения от амплитуды индукции переменного магнитного поля (квадратичную),что с учетом малой чувствительности датчиков Холла приводит к ограниченному динамическому диапазону измерений.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ измерений индукции переменного магнитного поля, заключающийся в воздействии измеряемого магнит- .З 5 ного поля на магнитометрический преобразователь, через который пропускается постоянный...

Номер патента: 505219

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Рагаускас, Сталерайтис

МПК: G01R 33/00

Метки: магниточувствительный, элемент

...с электрически управляемойчувствительностью, содержащий прямоугольную полупроводниковую пластину с двумя токовыми торцами .на противоположных концах, область понышен"ной скорости рекомбинации носителейтока на одной из граней пластины иизолированный слоем диэлектрикауправляющий электрод. 15В известном элементе ограничендинамический диапазон, так как вследствие режима двойной инжекции, прикотором элемент чувствителен к магнитному полю, изменение поверхностной рекомбинации на грани с электродом сильно влияет на концентрациюнеравновесных (инжектированных) носителей тока как при наличии магнитного поля, так и б.з него. 25Целью изобретения является расширение динамического диапазона элемента,Поставленная цель достигается теМ,что управляющий...

Номер патента: 816342

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Пожела, Сталерайтис, Шилальникас

МПК: H01L 29/82

Метки: индукции, магнитного, полупроводниковый, поля

...также невелик из-занасьццения, а затем и перегиба передаточной характеристики при увеличении индук-ции магнитного поля.Целью изобретения является расширение диапазона линейного преобразованияиндукции. магнитного поля при сохранениивысокой чувствительности преобразователя. 40Цель достигается тем, что в полупроводниковом преобразователе индукции магнитного поля, выполненном в виде прямоугольной полупроводниковой пластины стоковыми контактами на противоположных торцах, содержащем область большой 45скорости рекомбинацииносителей заряда,образованную на одной из боковых граней, сформированы две дополнительныеобласти с большой скоростью рекомбинации на противоположных боковых граняхперпендикулярных грани, на которой образованная область...

Номер патента: 930175

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Адомайтис, Пожела, Сталерайтис, Шилальникас

МПК: G01R 33/00

Метки: датчик, магнитного, поля

...На боковыхгранях второй пластины 3 размещеныомические контакты 6 и 7, расположенные симметрично омическим контактам4 и 5 относительно плоскости раздела.8 выполненной в виде р-и перехода.Пластины 2 и 3 соединены последовательно,Для обеспечения рабочего режима кпластинам 2 и 3 подключен источник 9тока и индикатор 10,Датчик магнитного поля работаетследующим образом.При пропускании тока от источника 9 через омические контакты 4-7 взапорном направлении, на плоскости8 и на пластинах 2 и 3, параллельныхр-и переходу создается падение напряжения. Таким образом, в полупроводниковом элементе в направлении,параллельном плоскости 8 запертогор"п перехода, носители заряда приобретают значительную скорость.При помещении датчика магнитногополя 1 в...

Номер патента: 873198

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Берзин, Кривич, Медвидь, Сталерайтис

МПК: G02F 1/29

Метки: изменения, оптической, расстояния, системы, фокусного

...силовых магнитных линий и постоянное электрическое перпендикулярное магнитному. Тогда при одном направлении электрического поля в кристалле под действием силы Лоренца возникает поток носителей заряда по направлению совгадающий с направлением силы Лоренца, а при изменении направления электрического поля на противополож. ное, сила Лоренца меняет свой знак на противоположный и соответственно меняется направление движения потока носителей заряда. Вследствие зависимости силы Лоренца от координаты У (кривая 3 фиг., 2) и, наличия на гранях кристалла скорости поверхност ной рекомбинации, в первом случае проводимость полупроводниковой пластины увеличится (кривая 1 фиг. 2) режим обогащения, а во втором - уменьшится кривая 2 фиг. 2) режим обедне...

Номер патента: 570857

Опубликовано: 30.08.1977

Авторы: Левитас, Пожела, Сталерайтис, Янавичене

МПК: G01R 33/02

Метки: градиента, датчик, магнитного, поля

...разрсшающсй способности (пространственной), т. е. при малой базе градиентометра.Цель изобретения - повышение точности 5 и чувствительности измерения.Это достигается тем, что в предлагаемомдатчике градиента магнитного поля две противоположные гранц пластины выполнены с равными скоростями поверхностной рском бинации носителей тока, а к одной из граней, перпендикулярной указанным двум противоположным граням, через слой диэлектрика приложен металлический электрод, кроме того, скорости поверхностной реком бинации носителей тока выбираются из соот- ношенияЗаказ 1928/20 Изд.685 Тираж 1109 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр....

Номер патента: 529435

Опубликовано: 25.09.1976

Авторы: Левитас, Сталерайтис

МПК: G01R 33/02

Метки: магниточувствительный, элемент

...113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Элемент состоит из прямоугольной полупроводниковой пластины 1 с омическими контактами 2 и 3 на противоположных то" ковых торцах, области 4 грани 5 с проводимостью, противоположной проводимости пластины 1, и полевого электрода 6, расположенного на той же грани 5 вокруг области 4, но изолированно от нее.Грань 7 пластины 1, противоположная грани 5 с полевым электродом 6, имеет большук скорость поверхностной рекомбинации носителей тока.При пропускании через пластину 1 электрического тока через контакты 2,3 и подаче на полевой электрод 6 переменного напряжения с частотой преобразования сопротивление пластины из-за наличия омических контактов 2 и 3,...

Номер патента: 519658

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Левитас, Пожела, Сталерайтис, Янавичене

МПК: G01R 33/095, G01R 33/10

Метки: градиента, магнитного, поля, составляющей

...с областью, имеющей повышенную посравнению со всем элементом скорость рекомбинации носителей тока, а элементы ориентированы так, что указанные грани расположены на противоположных сторонах потокочувствительных элементов.На чертеже показана схема предлагаемогоустройства.Устройство состоит из источника 1 питания,к выходу которого подключены последовательно соединенные резистор 2 и два потокочувствительных полупроводниковых элемента 3 и 4,содержащие области 5 и 6 с большой скоростью рекомбинации носителей тока, и выходного прибора 7, подключенного параллельно 30 элементам 3 и 4, причем указанные элементы расположены таким образом, что силы Лоренца в элементах различно ориентированы относительно областей 5 и 6.Устройство работает...

Номер патента: 489049

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сталерайтис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: носителей, поверхностной, полупроводников, рекомбинации, скорости

...поле; .ае 4 гостоянные,Способ измерения скорости поверхности й рекомбинации заключается в следуюшем,Под воздействием силы Лоренц, процор 25 циональной величине силы ток е 7 и и,., ТИ МВГНИ ТНОГО ПОЛЯ .Г И НВПРВВ,.);1 ендйкул)ярно К ГраНЯМ 1 скороСТЬ-"ной рекомбинации на ОднОЙ из ,;ется) а на противополоиной соз);)Вст с болу цюй с: о о)т ю реком ) 5у этих граней происходит о кло:- . ;Ины кс пснтрации носи. елей отНОЙ. 1.".) Е;ПГ 1 ИЕ В ОТК ЛОНЕ Ь.5 и, М 8%С КРатг)Д ЭКСПОЕЬЦИЬНО ): МЕНбидот, апой диффузии,,.и О)В).с;с.Г)рот;:ь),поло;кн)ыми Гэ)ая:;м)р н;" ,.ревышаюшем длину биполярной диф:, ."рость пдве)эхностнОЙ рекскоинВцииГРВН-.Й, ОПРЕДЕЛЯЮИ в ;и ВМЕСТЕ:,)и гарамеграми полупроводника "ной силы Лоренца величину от".онцентрации от...

Номер патента: 461392

Опубликовано: 25.02.1975

Авторы: Левитас, Пожела, Сталерайтис, Янавичене

МПК: G01R 33/06

Метки: градиента, датчик, магнитного, поля

...на граниные отводом области 3сти, а на противополож6 с большой скоростьюлей тока. На торцах помические контакты 7 и 8,При приложении напряжения к контактам7 и 8 и помещении датчика в магнитное полевозникает сила Лоренца, которая отклоняетпары носителей тока в пластине в направлении грани с областями р-типа проводимостиили от нее, Соответственно, у грани электронно-дырочных переходов, на которые подается отрицательное смещение, происходит накопление носителей тока или обеднение их концентрации. Наличие на грани 5 области с большой скоростью рекомбинации приводит к зна чительному увеличению концентрации неравновесных носителей тока у грани с р - п-переходами. Появление неравновесных носителей тока р - п-переходов вызывает...