Полупроводниковое устройство
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 432856
Авторы: Завадский, Калашников, Карпова, Корнилов
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 01 Ь 3/10 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(72) С. Г, Калашников, И. В. Карпова, Б. В. Корнилов и Ю. И. Завадский (71) Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники АН СССР(54) (57) 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, выполненное в виде пластины с контактами, помешанной в магнитноеполе,отличвшееся тем, что с целью получения пороговой чувстви/тельности синусоидапьных колебаний тока к магнитному полю, пластина имеет покрайней мере один выпрямлякиций контакти легирована примесями в таких концентрациях, при которых возникают рекомбинационные волны,2, Устройствопоп, 1, от лич а юш е е с я тем, что германиевая пластина О -типа содержит в качестве примесеймарганец, компенсированный сурьмой втакой концентрации, что п/рьп / ср имзь2 "м3. Устройство по пп, 1 и 2, о т л ич а ю щ е е с я тем, что содержит вкачестве контакта прижимной зонд ивметалла, например вольфрама.,432856 Техред А. Бабинец Корректор А Повх Редактор П. Горькова Тираж 703 ПоцписноеВНИИПИ Госуцарственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, ЖРаушская наб., д. 4/5 Заказ; 7991/1 атентф, г. жгород, уп. Проектная, 4,Филиал 1Изобретение относится к области полуПРоводниковой электроники, электронной ивычислительной технике и автоматике.В настоящее время в технике широкоераспространение получили различные уст ройства на основе попупроводниковых ппа стин с константами, параметры кото-.рых чувствительны к магнитному попю,Оцнако известные устройства обладают сравнительно низкой чувствительностью 10и не имеют резко выраженного порога помагнитному полю.Предложенное устройство отличается, тем, что оно изготовпено из полупроводникового материала, в котором возможновозбуждение рекомбинационных волн вппазме полупровоцника, Характерным дляданного устройства является напичие четкого порога по магнитному попю и чувствительность, превышающая на нескопь Око порядков чувствитепьность ранее известных приборов. Прецлагаемое устройствооткрывает новые возможности испопьзо 1вания особенности эпектрических и магни"ных явлений в попупроводппах для созда ния разпичных технических устройств.Устройство может быть выпонено ввице пластины германия, помещенной вмагнитное попе и имеющей контакты, одиниз которых является выпрямпяющим, Ппастина германия легирована марганцем исурьмой в таких концентрациях, при которых возможно возбуждение рекомбинационных волн Му 8, с 2 НИ р /с 1, где,Я, Чс - конй35центрация марганца и сурмы; , рл лСп и ьр - концентрация и времена жизни апектронов и дырок. В качестве выпрямляющего контакта может быть испопьзован прижимной вольфрамовой зонд,2В основе действия порогового устройства пежат высокая чувствительностьамплитуды синусоидапьных колебаний тока типа рекомбинационных вопи(РБ) квеличине внешнего магнитного поля. Приподаче на выпрямпяюший контакт отрицательного смещения от батареи в цепивозникают колебания тока типа РВ с частотой 0,5-1 мГц. Минимапьное смешение,необходимое дпя возникновения колебанийсоставляет несколько десятых вольта.При включении внешнего магнитного поляамппитуда синусоидапьных колебаний токарезко уменьшится от нескольких вопьт досотни милпивопьт, если величине магнитного попя превышает некоторое критическое значение 6 о , Увеличение 8 над Нс,необходимое для срыва колебаний, составляет вепичину, меньшую 1%, При уменьшении магнитного поля на ту же величинуколебания восстанавливаются. Вепичину8 с можно изменять в широких пределах,меняя постоянное смещение на зонде, Пороговое устройство имеет высокую пороговую чувствительность у порога к малымЬН, Чувствительность устройства составпяет величину 10 - 10 мкВ/Э. Устрой 4ство вьщает синусоицапьный сигнап, чтоупрощает его использование в электронных схемах, Устройство может работатьот низковопьтных источников питания( 1-5 В), обладает относительно высокимл -6быстроцействием ( с 10 с), миниатюрнои технопогично.Устройство сможет найти различныетехнические применения. В качестве примера можно указать на возможность испопьзования его дпя прецизионной стабилизации магнитного поля, для усипения мощности в качестве реле и т, д,
СмотретьЗаявка
1778854, 29.04.1972
ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ АН СССР
КАЛАШНИКОВ С. Г, КАРПОВА И. В, КОРНИЛОВ Б. В, ЗАВАДСКИЙ Ю. И
МПК / Метки
МПК: H01L 43/10
Метки: полупроводниковое
Опубликовано: 07.10.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-432856-poluprovodnikovoe-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковое устройство</a>
Предыдущий патент: Термоэлектрический осушитель воздуха
Следующий патент: Фотометрическое устройство для количественного анализа текстильных красителей в жидкой среде
Случайный патент: Способ рассева порошкообразных неферромагнитных материалов