Устройство для регистрации параметров мдп-структур
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1041967
Авторы: Балтянский, Богородицкий, Зверева, Мельников, Михеев, Морозов, Рыжов, Рябинин, Фельдберг, Чернецов
Текст
9) ЯО ш) 1д) 0 01 В 31/26 СОЮЗ СОВЕ СНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИИ ЕЛАМ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ фс 1 фЩг У СВИДЕТЕЛЬСТВУ Н АВТОР н чесаторфаэо т л и целью ве ены(71) Пензенский политехническийинститут и Пензенский филиал Всесоюзного научно-исследовательскоготехнологического института приборостроения(56) 1. Концевой Ю. А., Кудин В. Д.Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов.М., "Энергия", 1973, с, 48.2. Авторское свидетельство СССР9 658508, кл. 0 01 Н 31/26 г 1977(54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИПРАМТРОВ МцП-СТРУКТУР, содержащеерегистратор, генератор, выхбд кото"рого подключен к первому входу первого сумматора, второй вход которогоподсоединен к выходу источника смещения, а выход подключен через структуру к входу первого усилителя, выход которого подсоединен через йервый образцовый конденсатор к еговходу, а через второй образцовыйконденсатор - к входу второго усилителя, выход которого подключе рез третий образцовый конден к его входу и к первому входу чувствительного детектора, о ч а ю щ е е с я тем, что, с повыдения точности, в него в д второй и третий сумматоры, коммутатор, индикатор нулЕ, блок стабилизации, четвертый образцовый конденсатор и третий усилитель,выход которого подключен к первому входу третьего сумматора, а через четвертый образцовый конденсатор подсоединен к его входу и .к входу первого усилителя, выход источника смещения подключен к второму входу третьего сумматора, выход которого подсоединенФ к первому входу регистратора, второй вход которого йодключен через коммутатор к первому и второму выходам фаэочувствительного детектора, второй вход которого подключен к входу индикатора нуля, к выходу второго сумматора, и к входу блока стабилизации, выход которого подключен к входу генератора, выход которого подсоединен к первому входу второго сумматора, второй вход когорого подключен к выходу первого усилителя, при этом первый, второй и четвертый образцовые конденсаторы Выполнены в виде блока синхронно регулируемых конденсаторов.Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для проведения контроля качества и исследования структур металл - диэлектрик - полупроводник(МДП-структур) в процессе производства интегральных схем на их основе.Известно устройство для регистра- . ции параметров МДП-структур, содержащее генератор еинусокдального напряжения, источник смещенияусилитель, 10 .к входу которого подключен образцовый резистор, а выход через выпрямитель соединен с вертикальным входом самописца, горизонтальный вход которого подключен к источнику сме щения. Объект измерения и образцовое сопротивление образуют емкостноомический делитель для синусоидального напряжения 1 .:Недостатками данного устройства являются низкая точность и ограничен. ные функциональные возможности, определяемые упрощеннымпредставлением МДП-структуры в виде одной эквивалентной емкости.25Наиболее близкой по технической сущности к предлагаемому устройство для регистрации параметров МДП-структур, содержащее регистратор, генератор, выход которого подключен к первому входу первого сумматора, второй вход которого подсоединен к выходу источника смещения, а выход подключен через образец к входу первого усилителя, выход которого подсоединен через первый образцовый конден- З 5 сатор к его входу, а через второй образцовый конденсатор - к входу второго усилителя, выход которого подключен через третий образцовый конденсатор к его входу и к входу 40 детектора, выход которого подсоединен к первому входу регистратора, второй вход которого подключен к выходу источника смещения, выход которого подключен через инвертор и ре гулируемое сопротивление к входу первого усилителя, выход которого подсоединен через фильтр нижних частот к управляющему входу регулируемого сопротивления. При этом50 выход второго усилителй подключен через индикатор синфазности, инвертор и образцовый резистор к своему входу 2 .Недостатком известного устройства являются относительно низкая точность и ограниченные функциональ ные воэможности, обусловленные тем, что выходные сигналы несут информацию лишь о емкости и проводимости всей МДП-структуры в функции прило женного напряжения смещения. Для получения зависимостей емкости и проводимости только полупроводниковой части в функции от падающего на ней напряжения смещения необходимо про вести соответствующие вычислительные операции. При этом происходит также и трансформация погрешностей данного устройства в большую сторону в тех случаях, когда комплексное сопротивление изолятора больше комплексного сопротивления полупровод- никовой части исследуемой МДП-структуры, что характерно для большинства режимов при регистрации характеристик МДП-структур.Цель изббретения - повышение точности,.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для регистрации параметров МдП-структур, содержащее регистратор, генератор, выход которого подключен к первому входу первого сумматора, второй вход которого подсоединен к выходу источника смещения, а выход подключен через образец к входу первого усилителя, выход которого подсоединен.через первый образцовый конденсатор к его входу, а через второй образцовый конденсатор - к входу второго усилителя, выход которого . подключен через третий образцовый конденсатор к его входу и к первому входу фаэочувствительного детектора введены второй и третий сумматоры, коммутатор, индикатор нуля блок стабилизации, четвертый образцовый конденсатор и третий усилитель, выход которого подключен к первому входу третьего сумматора, а через четвертый образцовый конденсатор подсоединен к его входу и к входу первого усилителя, выход источника смещения подключен к второму входу третьего сумматора, выход которого подсоединен к первому входу регистратора, второй вход которого подключен через коммутатор к первому и второму выходам фазочувствительного детектора, второй вход которого подключен к входу индикатора нуля, к выходу второго сумматора и к входу блока стабилизации, выход которого подключен к входу генератора, выход которого подсоединен к первому входу второго сумматора, второй вход которого подключен к выходу первого усилителя, при этом первый, второй и четвертый образцовые конденсаторы выполнены в виде блока синхроннО регулируемых конденсаторов.На чертеже представлена блок-схема устройства.Устройство для регистрации параметров МДП-структур содержит генератор 1 синусоидального напряжения источник смещения 2, блок 3 стабилизации, выход которого подключен к входу генератора 1, выход которого подсоединен к первому входу первого сумматора 4, выход которого подключен к структуре 5. Вход блока 3 свя5 1041967 другоА выходе - квадратурную составляющую п Напряжение с выхода сумматора 1одается на горизонтальный вход регистра 18, на вертикальный вход которого подается сигнал через коммутатор 17 с квадратурного или синФаэного выхода Фаэочувствительного детектора 16.Регистратор 18 регистрирует зависимости емкости или проводимостиполупроводниковой части МДП-структуры от прилЬженного к ним напряжениясмещения, Дополнительно по значениям одного из регулируемых образцовыхконденсаторов отсчитывают значениеемкости изолятора 19 (с; ).15 Таким образом, предлагаемое устройство позволяет измерять параметры МДП-структуры по более точной трехэлементной схеме замещения, что исключает методические погрешностиизмерения емкости и проводимостиполупроводниковой части, а такжепозволяет регистрировать эучениеемкости и.проводимости полупроводниковой части в Функции приложенногок ним напряжения смещения. Составитель В. едактор Л. Веселовская Техред М.ТеперТираж 710сударственного комитета СССРам изобретений и открытийква, Ж, Раушская наб., д. акаэ 7121/46ВНИИПИпо113035,Подпис филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул. Проектная Таким образом, на выходах Фазочувствительного детектора 16 получены сигналы, пропорциональные змкости и,проводимости полупроводниковой части исследуемой МДП-структуры.Напряжение на выходе усилителя 12 вследствие равенства емкостей регулируемого образцового конденсатора 9 (С) и изолятора 19 (С;) согласно (1),равно по модулю и противоположно по Фазе падению напряжения смещения на емкости изолятора 19. На сумматоре 13 выходное напряжение усилителя 12 складывается с общим напряжением смещения, приложенным к структуре 5, В результате напряжение на выходе сумматора 13 равно падению напряжения смещения на полупроводниковой части МДП-структуры. овожиловКорректор Ю, Макарен
СмотретьЗаявка
3379431, 06.01.1982
ПЕНЗЕНСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ, ПЕНЗЕНСКИЙ ФИЛИАЛ ВСЕСОЮЗНОГО НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ИНСТИТУТА ПРИБОРОСТРОЕНИЯ
БАЛТЯНСКИЙ СЕМА ШЛЕМОВИЧ, БОГОРОДИЦКИЙ АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ, ЗВЕРЕВА ВАЛЕРИЯ ВАДИМОВНА, МЕЛЬНИКОВ АРКАДИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, МИХЕЕВ ЮРИЙ НИКОЛАЕВИЧ, МОРОЗОВ НИКОЛАЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, РЫЖОВ ВИКТОР ФЕДОРОВИЧ, РЯБИНИН ВАЛЕРИЙ ИВАНОВИЧ, ФЕЛЬДБЕРГ СЕМЕН МИХАЙЛОВИЧ, ЧЕРНЕЦОВ КОНСТАНТИН НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: мдп-структур, параметров, регистрации
Опубликовано: 15.09.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1041967-ustrojjstvo-dlya-registracii-parametrov-mdp-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для регистрации параметров мдп-структур</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения коэффициента передачи тока транзисторов
Следующий патент: Устройство для определения предельных тепловых режимов транзистора
Случайный патент: Электромагнитный клапан