Батавин

Номер патента: 791124

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Батавин, Гуляев, Жаворонков, Ждан, Сандомирский, Ченский

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, подвижности, полупроводниках, примеси

...Сп шийс тели возб лучением по п. м, чт ют эл,отличаюнеосновные носкктромагнитным иэ(54)(57) 1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯКОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСИ И ПОДВИЖНОСТИНОСИТЕЛЕЙ В ПОЛУПРОВдДНИКАХ, основанный на измерении электропроводности, напряжения Холла и определении концентрации примеси и подвижности носителей расчетным путем,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения точности, образец перед 3. Способ по п.ш и й с я тем, чтовозбуждают корпуску4. Способ по п,щ и й с я тем, чтовозбуждают электрич лича юовные носитеизлучением л ича ю вные носител полем. еоснярнымо теосноским и,80791124 где К постоянная Больцман заряд электрона: Ч - высота равновесного ного барьера в иссле образце ф791124 Фректор А. Ференц . ктор О. Юркова Техред ВЯалек раж...

Номер патента: 729514

Опубликовано: 25.04.1980

Авторы: Абагян, Батавин, Попова, Салимов, Сменов

МПК: G01R 1/06

Метки: сопротивления, удельного

...углы за счет упругого шарикового фиксатора 6, на которой установлен привод для перемещения эондовой головки вдоль радиуса турели, содержащей реечно-зубчатую пере. дачу 7 и жестко соединенную с корпусом зондовой головки направляющую 8.Основание 1 снабжено направляющей 9 в виде рельса, на которой установлен держатель слитка полупроводникового материала,.выполненный в виде двух пар пластйн 10 и 11, установленных под углом одна к другой, имеющих воэможность взаимного возвратно-поступательного перемещения посредством винтовых пар с левой 12 и .правой 13 направлениями резьбы и направляющей 14.Направляющая 9 снабжена подвижными упорами 15 и 16, причем упор 15 размещен на пластинах.10 и служит для базирования торца слитка, а упор 16 - . для...

Номер патента: 715962

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Батавин, Кутовый, Салманов, Щелоков

МПК: G01N 1/32

Метки: косым, методом, образцов, травления, шлифом

...3, установленном в держателе 2 в вертикальном положении,осуществляют равномерное наполнениеемкости 1 иэ емкости 4 травителем через трубку б, сообщающую.оба сосуда,Емкость 4 установлена на подставке5 относительно держателя 2 образца 3 так, чтобы изменения уровнейтравителя в емкостях 1 и 4 практически не изменяли бы скорость наполнения емкости 1Чтобы обеспечить-плавность наполнения и исключитьпоявление ряби на поверхности травителя в емкости 1 Один конец трубки б подведен к ее основанию. При-наполнении емкости травителем различные участки образца травятсяразное время, в результате чего уголскоса (наклона) получаемого шлифазависит от соотношения скоростейтравления и наполнения емкости 1травителем. Скорость травления определяется составом...

Номер патента: 152034

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Батавин, Волков, Русаков

МПК: C22F 1/02

Метки: переходов, полупроводниковых, приборов, р-п

...тем, что после создания окисной пленки ее подвергают термической обработке в атмосфере инертного газа или вакууме при температуре 600 в 8 в течение 10 - 20 мин.Для осуществления предлагаемого способа после травления полупроводникового прибора в травителе СРили в смеси плавиковой и азотной кислот производится промывка в циркулирующем потоке деионизированной воды с удельным сопротивлением о=12 мгом и анодное оксидирование обычным порядком. Затем производится сушка в вакууме (10мм рт, ст.) при температуре 120 в течение одного часа н кратковременная термообработка в инертном газе или вакууме при температуре 600 - 800 в течение 10 - 20 мин.152034 Предмет изобретения Редактор Е. Г. Манежева Техред Т. П, Курилко Корректор Г, Кудрявцева...