Способ определения концентрации примеси и подвижности носителей в полупроводниках

Номер патента: 1128202

Опубликовано: 07.12.1984

Автор: Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: концентрации, образцах, полупроводниковых, примесей

...усиления регулируемых40 усилителей 2 и 8,.Расстояние Х от металлическогоконтакта связано с емкостью С обедненного слоя полупроводника Форму-лой Х = АС , где А - некоторый коэф 45 Фициент пропорциональности.Устройство работает следующимобразом.1128202 тора 21 через Ос ношением 4Они связаны соотО= С=Х д(2) 55 3Высокочастотный сигнал с частотой от генератора 1 через регулируе мый усилитель 2, фильтр 3, где происходит подавление частоты 2 возникающей в усилителе 2, поступает на вход повторителя 4.С дополнительного выхода фильтра 3 противофазный сигнал поступает через конденсатор 22 на вход повторителя 16. Чисто гармонический сигнал с часто О той Г с выхода фильтра 3 через повторитель 4 поступает на испытываемый образец...

Номер патента: 934320

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Грибников, Козловский, Романов

МПК: G01N 21/59

Метки: концентрации, нескомпенсированной, образце, одномерного, полупроводниковом, примеси, распределения

...ными либо иниектированными через контактили светом. Величина протекающего токадолжна быть такой, чтобы связанное с нимлокальное электрическое поле было значи тельно больше встроенного концентра ционного поля, связанного с неоднородным распределением нескомпенсированной примеси Ж (х), т.е. распределение неравновесных носителей р(х)должно быть дрейфовым. В этом случае З 0 .между локальными концентрациямир(х) и ДЕ (х) существует связь В связи с тем, что функция 2 медленно изменяется с координатой х, из формулы1) вытекает соотношение(3) гдеЬЭЮх) - локальная амплитуда отклонения концентрациинескомпенсированной при.меси от ее усредненнойвеличины,р(х) - усредненная на длиненескольких периодов неоднородности величинаконцентрации...

Номер патента: 646202

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Блинова, Гузеев, Карпов, Меньшова, Недлер

МПК: G01J 3/42

Метки: атомно-абсорбционного, металлах, примесей, сплавах, тугоплавких

...ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 3ления анализируемого материала (основй),П р и м е р 1. Выл сделан анализниобия на содержание кремния. Дляэтого брали кусочки металла несом5-6 мг и помещали н графитовую кюветупредварительно обработанную солями 5вольфрама при температуре 2600 С,Атомизацию проводили при температуре2400 С ( 96 температуры плавления) .Получаемое облако атомов проснечивали монохроматическим световым Юпучком, испускаемым лампой пологокатода (кремниевого) . Свет резо-,нансной длины волны (в данном случае 251,6 нм) был поглощен свободными атомами. С помощью монохромато- )5ра выуеляЛи этот же участок спектра.Величины непоглощенного и поглощенного света преобразовались фотоэлектрической схемой в аналитический...

Номер патента: 1659493

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Коваленко, Козенко, Михалев, Пейрик, Подоляко, Раковский, Силаев, Шагалов, Шерстнев

МПК: C21C 5/52

Метки: ванадийсодержащей, легирования, низкоуглеродистой, раскисления, электростали

...при динамических нагрузках, а при использовании предлагаемого способа таких включений значительно меньше. Немаловажно, что предлагаемый способ раскисления и легирования обеспечивает получение мелкозернистой структуры основной электростали при аустенитизации благодаря положительному эффекту воздействия дисперсных карбонидов ванадия и титана, образующихся в присутствии имеющегося в металле азота. Полученная после окончательной термообработки (нормализации) мелкозернистая ферритоперлитная структура с дисперсными карбонитридными фазами и небольшим количеством благоприятных неметаллических включений обеспечивает высокую хладостойкость стали, раскисленной и легированной по предлагаемому способу. В случае способа обработки по варианту 2...

Номер патента: 688431

Опубликовано: 30.09.1979

Авторы: Артемова, Варламов, Киселев, Кустова, Липкинд, Никитин, Рогожин, Фалина

МПК: C01B 33/12

Метки: кремнеземного, модифицированного, носителя

...декантируют и осадок отмыва 1 от водой с рН 7 до отрицательной реакции на 1 О хлор-ион. После отмывки осадок высушивают при 20 С 6 ч. П р и м е р 4. Носитель получают по примеру 3 с последующим прокаливанием при 15 200 С.П р и м е р 5. Носитель получают по примеру 3 с последующим прокаливанием при 500 С.П р и м е р 6. Носитель получают по при меру 3 с последующим прокаливанием при 800 С.Пр им е р 7. 20 г макропористого крем- неземного носителя - силикагеля заливают 100 мл 1/О-ного (в расчете на А 103) 25 водного раствора хлористого алюминия с рН 3,0. Через 3 ч раствор декантируют и осадок высушивают при 200 С, а затем прокаливают при 720 С 4 ч,Пример 8. 10 г макропористого крем неземного носителя суспендируют в 200 мл Исходный...