Ханц

Номер патента: 652629

Опубликовано: 15.03.1979

Авторы: Герд, Ханц, Эдуард

МПК: H01L 31/08

Метки: полупроводниковый, прибор, фотоэлектрический

...ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4бомбардировки. Для изготовления инжектирующего контакта проводят поверхностную диффузию неглубокого донорного материала например, фосфора, с высокой концентрацией -102 смз или используют ионное внедрение.Расстояние между электродами выбирают таким, что при заданном рабочем напряжении (амплитуде импульса) время дрейфа носителей между контактами было бы меньше или сравнимо со временем диэлектрической релаксации и временем захвата в этих центрах.Запирающийся контакт может быть, например, емкостным на тонком изоляционном слое. Путем приложения отрицательного импульса напряжения в объем такого элемента инжектируются электроны, причем через время порядка 1 мкс инжектированные заряды почти полностью...

Номер патента: 510501

Опубликовано: 15.04.1976

Авторы: Аксель, Клаус, Ханц, Хорст, Эберхард

МПК: C10G 17/02

Метки: ароматических, олефиновых, парафиновых, углеводородов

...Об. " ц )ЗКСР)ЯГП.ПО;с 1 СОДЕря(я;ццяро; Ятцчсскцх ц олсфцповых углеводородовоб. % цслссообрззцо провозить оцсткх црц25 С оле,мо)л, содерскящи)я 25 Вес. % свосодцой трехокцси серы, ц прп обгьсмцом состцошсццц о,сума и парафиновых углеводородов 1: 20.Если очистку парас 1 шновых углеводородовВедут прц 25 С олеумом, солср)7(ащихС 5 вес. % свободной трехокиси се;)ы, соотпопение олеумя и парафицовых улеводородовподдер)кивают ца уровне 1: 40,Удялецце Ооряз;Ощсгося прц кцс;отцОЙсчцстке кислого гудрона осуществляют при20 - 40 С в разделитсльчоц трх оке, причем состцошецце внутреннего диаметра разделительной трубки и ее дл)цы 1: 7, а соотношение высоты слоя верхней фазы парафина идлины разделительной трубки 1:48,3. Нейтрализацию царафц нового ра...