Патенты с меткой «варизонных»

Номер патента: 586758

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Марончук, Масенко, Сушко

МПК: H01L 21/20

Метки: варизонных, структур

...слой толщйной 2-3 мкм.После повторения циклов растворениерост 15-20 раз вблизи поверхностинаблюдался состав, близкий к 1 пР, 10 Предлагаемый способ позволяет получать вариэонные структуры с профилем распределения ширины запрещеннойзоны, регулируемым в широких пределахс высокой степенью воспроизводимости.Он может быть использован для создания, варизониых слоев на многочисленных материалах например на основетвердых растворов типа А -В" -А" -В",А -В" -АфВ, дефектных полупроводников, четверных систем и др. Формула изобретения 3слоя иа обеих подложках. Однако из-заразличия удельных весов компонентоврасплава и с возникновением в связис этим, конвективной диффузии компонентов в растворе - раславе, помещенном в силовое поле,...

Номер патента: 669999

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Баранов, Бессолов, Лидейкис, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: варизонных, жидкостной, структур, эпитаксии

...на фиг. 2 - тоже, в процессе эпитаксиального наращивания полупроводниковой структуры переменной толщины; на фиг. 3система по окончании эпитаксиального наращивания полупроводниковойструктуры переменной толщины; наФиг, 4 - система перед началом эпитаксиального наращивания полупроводниковой структуры постоянной толщины; на Фиг. 5 - система по окончании эпнтаксиального наращивания полупроводниковой структуры постоянной толщины,Приняты следующие обозначения:расплав 1 рабочая камера 2, подложк3, пересыщающий расплав 4, полупроводниковая структура 5.П р и м е р . Процесс созданияполупроводниковой СаА 8 БЬ структуры, ширина запретной зоны которойизменяется по поверхности кристалла,проводят следующим образом,Графитовую кассету...

Номер патента: 773792

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Бойко, Панасюк

МПК: H01L 21/203

Метки: варизонных, гетеростуктур, полупроводниковых

...воздействием на область перекрытия молекулярных потоков и достигают изменением одного из параметров: геометрияиспарители-подложка, скорость конденсации испаряемых материалов, скоростьдвижения подложки.Предлагаемый способ полученияполупроводниковых варизонных гетероструктур иллюстрируется примерами.П р и м е р 1. Получение полупроводниковых гетероструктур, образованных материалами А 5 е 9 и Аь 5,:Исходные материалы загружают вразличные испарители, разогретыедо 390 С и 370 ОС соответственно, которые обусловливают определеннуюскорость испарения. Испаряемый материал конденсируется на движущуюсяподложку. Расстояние между испарителями устанавливают равным 5 см, аиспарителей до подложки - 2 см. Привыбранной геометрии расположения искорости...

Номер патента: 689467

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/20

Метки: варизонных, переходом, структур

Способ получения варизонных структур с p-n переходом, основанный на изотермическом смешивании растворов-расплавов при диффузии высокоактивного компонента через узкую щель в слой бинарного расплава, легированного амфотерной примесью, покрывающего перемещающуюся подложку, отличающийся тем, что, с целью получения высокоэффективных излучательных p-n переходов с контролируемой глубиной залегания и получения на их основе приборов с различными характеристиками, изменяют температуру наращивания до достижения состава варизонной структуры, соответствующего точке инверсии амфотерной примеси, на различной толщине структуры, причем температуру наращивания выбирают на 50 - 150 градусов ниже точки...

Номер патента: 753313

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Коваленко, Марончук

МПК: H01L 21/66

Метки: варизонных, параметров, структур

1. Способ определения параметров варизонных структур, основанный на измерении зависимости интенсивности фотолюминесценции от энергии квантов в полосе, соответствующей краю фундаментального поглощения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения экспрессности контроля параметров по площади варизонных структур с шириной запрещенной зоны, возрастающей от поверхности к указанной подложке, измеряют зависимость интенсивности фотолюминесценции в полосе, соответствующей краю фундаментального поглощения подложки и дифференциальных изменений интенсивности фотолюминесценции при модуляции длины волны возбуждающего излучения, от энергии возбуждающих квантов.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что,...

Номер патента: 513562

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кравченко, Марончук, Сеношенко, Соловьев, Шерстяков, Энтин

МПК: G01N 21/55

Метки: варизонных, полупроводниковых, структур, характеристик

Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур, основанный на измерении отраженного света, отличающийся тем, что, с целью проведения неразрушающего контроля распределения ширины запрещенной зоны по толщине структуры, производят спектральные измерения дифференциальных изменений сдвига фаз при -модуляции светового луча.