Способ измерения электрофизических характеристик полупроводника

Номер патента: 661437

Автор: Рагаускас

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ оц 661437 Союз Сфаетскни Социалистических Республнк(6) Дополнительное к авт. свид-ву 2) Заявлено 030577 (2) 2481580/18-25 с присоединением заявки С 01 Я 31/2 б Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытийОпубликовано 05057 Дата опубликования Бюллетень Ио 17исанив 070579 2) Автор изобретения А, В. Рагауск 71) ЗаяВИТЮЛЬ Каунасский,политехнический институт им. антанаса Снечкуса ХАРАКТЕРИСТ 54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСПОЛУПРОВОДНИКА1 епосредственного изг 1и ВО 1 " неизвестерения зависимо Цель,иэобретеможности непосре ия - обеспечение возственного контроля 1Изобретение относится к областиизмерительной техники к разделу исследований свойств полупроводниковыхматериалов.5Одним из основных электрофизических параметров, характеризующих состояние поверхности полупроводника,является поверхностный электростатический потенциал.1 ОИзвестны способы определения величины поверхностного электростатического потенциала авэо, основанные наиспользовании эффекта поля 1 Ц,Недостатком известных способов является большая относительная погрешность определения величины (р о, достигающая от нескольких десятков досотен процентов. Известные методы необеспечивают возможность непосредственного измерения отношения поверхностных электростатических потенциалов на противоположных гранях полупроводникового образца.При измерении отношения скоростейповерхностных рекомбинаций на противоположных гранях образца находит.применение способ 21.Измерения электрофизических характеристик полупроводниказаключаютсяв том, что полупроводниковый образец помещают в скрещенные магнитное иэлектрическое поля, измеряют их велйчину и регистрируют электрический.сигнал на поверхности полупроводника.Однако, в известном способе из-за воздействия на образец стационарных сил Лоренца в процессе измерения имеет место определенное изменение отношения величины поверхностных электростатических потенциалов во и авэо наа противоположных гранях образца. В результате этого изменяются и скорости поверхностной рекомбийации на этих гранях. Следовательно имеет место зависимость между результатами и режимом измерения, которая приводит к грубым погрешностям. Исключение этих погрешностей возможно только путем не" посредственного измерения зависимостигде Рл - величина силыВ 01.л 1УВОтЛоренца. Способы н.А. Ъб амов Тех еБаб ка е а кто В, Сини дписное 53/45ЦЕ 1 ИИПИпо113035 Тираж 1089 Псударственного комитета СССРам изобретений и открытийМосква ЖРа сная наб.,а 4 лиал ППП Патентф, г, ужгород, ул. Проект ков при помещении образцов в скрещенные магнитное и электрическое поля,т.к, исключена составляющая погрешности, величина которой. определяетсярежимом измерения. Способ измерения электрофизических характеристик полупроводника, заключаюцийся в том, что полупроводни ковый образец помещают в скрещенные магнитное и электрическое поля, измеряют их величину и регистрируют электрический сигнал на поверхности полупроводника, о т л и ч а ю щ и й - 15 с я тем, что, с целью обеспечения возможности непосредственного контроля отношения поверхностного электростатического потенциала к величине сил Лоренца, на линейно-изменяющемся поле накладывают слабо изменяющееся синусоидальное поле и регистрируют измерение амплитуды переменного напряжения на образце, имеющее частоту изменения магнитного поля.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе; Павлов Л. П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов, М., 1975, с. 188-190,2. А.СИоче 1. бВос 1 у о 1 гесотЬлаВоее ргосеввев Егогп ВИе вофпе 1 осоосел 1 иа 0 ец е 1 ЕесСв.фРЬув 1 са вйаСцв Ьобй (а)", 1975,чоВ. 28, 9 2, р. 633.

Смотреть

Заявка

2481580, 03.05.1977

КАУНАССКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. СНЕЧКУСА

РАГАУСКАС АРМИНАС ВАЛЕРИАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводника, характеристик, электрофизических

Опубликовано: 05.05.1979

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-661437-sposob-izmereniya-ehlektrofizicheskikh-kharakteristik-poluprovodnika.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения электрофизических характеристик полупроводника</a>

Похожие патенты