Способ изготовления интегральных схем

Союз Совэтева Социалистичеовх Республик)М. К 02 Гееударставиный ааетат СССР аа делам азабрвтаеа и ОтаяытийИностранепуглас Ли Пельт"файрчайлд Камера Энд Инструменто К7 ) Заявитель 4) СПОСОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕГРА ЛЬНЫ Х СХЕМ Изобретение относится к технологии полупроводниковых интегральных схем, в частности, к способу электрической изоляции активных элементов биполярных интегральных схем. При этом изоляция элементов схемы осуществляется обратно смещенным р-п переходом. Однако площадь поверхности кремниевой лластины, необходимая для размещения изолиру- кацих зон между соседними ячейками по- щ лупроводникового материала, занимает большую часть всей поверхности кристалла. Зто в свою очередь уменьшает число устройств, которые могут быть размеще ны на пластине. 15Проводники, нанесенные на изоляпию, находящуюся на поверхности пластины, могут обрываться на ступеньках из-за большой толщины маскирующего слояокисла 2 ОИспользование известного способа изоляции ведет к увеличению паразитных емкостей транзистора, что снижает быстродействие схемы и т.д. Цель изобретения - создание электрически изолированных участков полупроводникового слоя и уменьшения габаритов схемы. Для этого полупроводниковый материал локально окисляют на глубину большую толщины эпитаксиального слоя до смыкания окисленных областей с изолирующим р-п переходом,Для изготовления биполярного транзистора по данной технологии предлагается следующая последовательность операпий.Пластина кремния р-типа окисляется для создания маскирующего окисла, затем проводится фотолитографическая обработка ЛОапод диффузию скрытого слоя; диффузия для создания И -типа скрытого слоя; снятие окисла и выращивание тонкого (менее 5 микрон) эпитаксиального слоя кремния р-типа; осаждение слоя ннтрнда кремния; фотолитографическая обработка 3; М 4, травление эпнтакснальной пленки кремния, в местах незашнщен ных нитридом кремния до половины толшины эпитаксиального слоя; окислениеСоставитель . ОстровскаяТехред М. Петко Корректор П. Макаревич Редактор Е. Гончар Заказ 1349/48 Тираж 922 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушсквя наб., д, 4/5филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 незашишенных нитридом кремнии участков апитвксиального слоя кремния. снятие нитрида кремния; окисное маскирование и диффузия, коллектора; окнсное маскирование и диффузия амиттера; окисное маскирсвание и вскрытие контактов к ами 1- теру, базе и коллектору и осажденне мьтвллического слоя, фотолитографии по металлу и вжигание.Данная технология позволяет в одном технологическом процессе изготавливать, кроме и-р-и транзисторов, диоды, эпитаксиальные резисторы5 ком/О ), базовые резисторы ( " 600 ом/О ), пересечения токоведуших шин и т,д, Кроме того предлагаемая технология позволяет улучшить целый ряд алектрических характеристик приборов. Зоны окисной изоляции определяют боковое распространение коллекторов. В некоторых случаях сокрашается общее число этапов маскирования, необходимых для изготовления интегральной схемы, снижается вероятность корот кого замыкания амиттерных и коллекторных областей при более плотной компавовке электронов транзистора, уменьшается паразитная емкость и повышается пробивное напряжение боковых стенок изоляцни. дефекты Фотошаблонов и фоторезиота оказывают меньшее влияние на выход годных приборов.Предлагаемый способ может найти широкое применение при изготовлении обширного класса полупроводниковых приборов и интегральных схем. формула изобретения10 Способ изготовления интегральных схем,включающий операции апитаксиальногонаращивания легированного полупроводникового слоя на полупроводниковой под 1 эложке, нанесения на поверхность эпитаксиальной пленки защитного от окисленияпокрытия, фотолитографии по атому покрытию, химического травления и термического окисления апитаксиальной пленки Юв местах удаления защитного покрытия,о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, сцелью создания электрически изолированных участков полупроводникового. слоя 25и уменьшения габаритов схемы полупро1водниковый материал локально окисляютна глубину большую толщины апитаксиального слоя до смыкания окисленных обласьтей,с изолирующим р-и переходом,