ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 232390 Союа Соеетскит Социалистическиз РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 27.11.1967 ( 1136266/26-25с присоединением заявкиПриоритет с,л. 21 о, 11/02 тМПК Н 01 ет по деламиий и открытийете МииистроеСССР ано 11.Х 11.1968. Бюллетень1 запикования описания 22.11.1969 82.3 (088,8 ублик 1969 г. пр Авторыизобретения, П. Пресс Ржанов, М, А, Верников, А, С. Никоно и С. В. Носиков Заявит НАРНЫХ ИСТОРО оводимостии заходянки (окисявляется и планарных тьные техтвращению стиом слое особ упроом аспекте, схемой. одниковую вирующую4; защит; контакттранзисто- выполнефию, плаэмиттера,беспечения д пассиви- производ- меза-облатер провои боковую 30 ОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ Изобретение относигся к технологии изготовления полупроводниковых приборов.Известен способ изготовления планарных транзисторов с эпитаксиальной базой, который обеспечивает наиболее высокую стабильность параметров приборов.Целью настоящего изобретения является создание планарных структур методом мезатехнологии и тем самым значительное упрощение технологического процесса при улучшенной воспроизводимости.Для этого на поверхности исходной полупроводниковой пластины создается известными методами базовый слой, Затем на поверхности его создается пассивирующий слой, например окисла. Методами фотолитографии в пассивирующем слое открываются окна для выделения активной области. Затем выделяется область активной базы, и методами фотолитографии открываются эмиттерные окна.Эти операции сами по себе новизны не представляют, так как являются обычными, широко используемыми в диффузионнойтехнологии и применяемыми в той ке последовательности (меза-планарная технология). Далее идет операция одновременной диффузии примеси в эмиттер и обнаженные участки меза-столика базы, В результате такой диффузии получается планарная структура, так как на боковой поверхности меза-столика образуется защитный слой, противоположный по пр базе, соединенный с коллектором щий под слой пассивирующей пле ла). ащитный слой одновременно 5 противокаиальным. Известные способы изготовления структур предусматривают специа иологичсские операции по предо канального эффекта в приповерхно 0 базы. Тем самым предлагаемый сп щает планарную технолоьчио и в эт Предлагаемый способ поясняется Она содержит исходную полупров пластину (коллектор) 1; пасс 15 пленку 2; базовый слой 3; эмиттер ную пленку обнаженной области ные окна б.Предмет изооретенСпособ изготовления плаиарныхров, вк,почающий меза-технологиюнпя базовой области, фотолитогранарную техпологшо изготовленияотличающиися тем, что, с целью овыхода коллекторного перехода порующую пленку окисла, упрощенияства транзисторов, после созданиясти и вытравливания окна под эмитдят диффузию в область эмиттераповерхность меза-области.232390Составитель Федюкииа Редактор О. Филиппова Техред Т. П, КурилкоКорректор А, П. Татариицева Заказ 44717 Тираж 437 Подниснос ЦНИИГ 1 И Комитета по делам изобрстсннй и открытий при Совет; Мнпнстров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4Типография, нр. Сапунова, 2

Смотреть

Заявка

1136266

Ф. П. Пресс, Г. В. Ржанов, М. А. Берников, А. С. Никонов, С. В. Носиков

МПК / Метки

МПК: H01L 21/223

Метки: 232390

Опубликовано: 01.01.1969

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-232390-232390.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">232390</a>

Похожие патенты