Высокочастотный туннельный днод

Номер патента: 287311

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Грищенко, Левин, Шамо

МПК: C22C 28/00, C22C 30/04

Метки: индий-олово-кадмий, легкоплавкий, системы, сплав

...предложен сплава позволяет уве и умецьшцть время ческих цриооров жид тает в жид стоек как в дге при вы сплава 90 С. балансировочувствитель ровки гирос савом. ости раболав- Причиого ость СОПИП рсдм ст о ретеи и я Лсгкоил 11 Вкий сц,1 аВ во - кадмий, отличсиои ПОВЫШСИИ 5 СРИЗИКО-ХИМ 5 введены теллур, висму щсм соотиошсиии леплочью сего системы иид ийся тем, что ических свойс т и калий ир срующих ко ии - о , с це, тв, в с 1 СЛЕДУЮ мпоиенто 41 - 43 11 - 13 0,5 - 0,7 0,5 - 0,7 0,1 - 0,3 тальиое оловокадмийтеллурвисмуткалийиндий 41 - 43 11 - 13 0,5 - 0,7 0,5 - 0,7 О, - 0,3 тальиое олово кадмий теллур висмут калии ипдий Изобретение относится к области легкоплавких сплавов системы индий - олово - кадмий.Известеп сплав, содержащцй 44% ццдия,...

Номер патента: 1213723

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Жукова, Коршунов, Ласкорин, Филиппов, Царенко, Якшин

МПК: C07D 323/00, C22B 3/00

Метки: галлия, диалкилдициклогексил-18-краун-6, железа, индия, калия, растворов, ртути, свинца, стронция, таллия, экстрагенты

...с чистотой 94,5 о .Получено 13,8 г ди(2-хлорэтилового)эфира 4-изопропилциклогександиола,2 (И 25а), выход 92,2 о , содержание С 23,6 о(теор.25,03). Аналогично получают ди(2-хлорэтиловые) эфиры 4-бутилциклогександиола 1,2 (И б), 4-пентилциклогександиола,2 (Ив), 4-гексилциклогександиола,2 (И г), 4-октилциклогександиола,2 (И д), 4-децилциклогександиола,2 (И е), 4-додецилциклогександиола,2 (11 ж),Ч 1, Получение диизопропилдициклогексил-краун. 35Смесь 5,5 г соединения 1 а, 6.8 г соединения 1 а, 0,4 г 18-крауни 25.мл 40-ноговодного раствора КОН нагревают при интенсивном перемешивании при 80 С в течение 7 ч. После охлаждения добавляют 40 мл 40воды для полного растворения осадка, органический слой отделяют, водную фазу экстрагируют...

Номер патента: 126270

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Ерусалимчик, Ефимов, Пономарева

МПК: C25C 1/06, C25C 1/14, C25C 1/18

Метки: индий-галлий, индия, олова, свинца, сплава, электрохимического

...молекулами воды 150 г, х:01)истый ам)оЙ 100 г, Глинерндо 1,г; хлористый свинец 100 г, хлористый аммоний 100 г и глпцерин до 1 л.Указанные электролиты в процесс; электролиза дают Возможность при 100 - 110 осаждать на катоде металл или сплав в виде шариков.Для получения шариков на кончике проволочки диаметром 30 - 50 як требуется сила тока 10 - 15 ла, Диаметр получаемого шарика регул руется изменением времени осаждения, Катодом служит погруженный В электролит кончик никелевой проволочки, анодом - платина. Использование при электролизе эффекта сильного местного катодного разогревания дало возмо:кость полуать в расгавленно состоянии идй, о;О- во, свинец при температурах электролита 100 в 1,Предмет изобретения1. Способ электрохимического...

Номер патента: 164482

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Атомной, Предпри, Сидоров

МПК: G06M 3/00, H03K 23/80

Метки: десятичный, диодах, счетчик, туннельных

...или индуктивностен, Такое выполнение счетчика позволяет упростить его схему н менять коэффициент пересчета.11 а чертеже нзооражена принципиальная схема счетчика.Счетчик содержит две двоичные и одну троичную ячейки, выполненные соответственно на туннельных диодах ТД 1 - ТДь ТД - ТД, и ТД, - ТД,.В качестве порогового элемента устройства сброса используется амплитудный дискриминатор на туннельном диоде ТД подключенный к цепочке диодов через эмиттерный повторитель на триоде Т Сопротивление Я выбрано таким, что дискриминатор срабатывает под действием третьего импульса на входе ячейки. Туннельный диод ТД переключаясь на вторую восходящую ветвь характеристики, формирует отрицательный импульс стандартной амплитуды н длительности, при. годный...

Номер патента: 192860

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Абугова, Плтс, Тех

МПК: G11C 11/38

Метки: быстродейств, диодах, памяти, радиоимпульсная, туннельных, ующая, ячейка

...диодов на падающий участок характеристпки. Емкость 11 осуществляет развязку по высокой частоте между контурами. Сопро тивления 12, 13, зашунтнровацпые блокировочпымн емкостями 14, 15 включены парал лелыо постоянномуПеременному источикам питания, подключенным к клеммам 16, 17, Запоминающий элемент состоит пз туннельного сопротивления 18, туннельного диода 19 и пндуктивности 20, образующих амплн тудный радиопмпульсный трнер. Емкость 21блокирует источник постоянного смещения, подключенный к клемме 22. Емкость 23 соединяет устройство обращения и запоминающий элемент.15 Перед записью и считыванием рабочие точки диодов правой части устройства обращения находятся на первом восходящем уча.стке вольтамперных характеристик диодов.При записи 1...