Устройство для измерения свойств полупроводниковых слоев

- т;.1"Онрьуотака в 1 г-,л 239449 П И ЗОБ оюв Советскихцивлистических Реслуол ВХОРСИО Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 161967 ( 1141633/26-25)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 18.1.1969, Бюллетень1Дата опубликования описания 11.Л 11,19 1/02 111 П Комитет оо аел обретений и открыти ори Совете Министров СССРДК 621.382,002 Авторы 1 зобретени Ю, К, Григулис, Э. Э. Аболтинь и Ю. Я. Берзиньизико-энергетический институт АН Латвийской ССР аявитель УСТРОЙСТВО ДЛ ПОЛУПРОВ ИЗМЕРЕНИЯ СВОЙСТВНИКОВЫХ СЛОЕВ мет- иент со 25 Изобретение относится к измерительным устройствам, предназначенным для измерения удельно 1 го сопротивления и толщины 1 полупроводниковых слоев бссконтактным способом, нс разрушая образцов, и может быть использовано на,предприятиях полупроводниковой промышленности.Известны СВЧ-устройства для контроля удельного сопротивления и диэлектрической проницаемости однородных полупроводниковых материалов, при помощи которыхпомещая образцы в волновод и определив пара ры стоячей волны (фазу и модуль коэффиц та отражения) в волноводс, рассчитываю от 1 ветствуюшис свойства образца.Указанные устройства обеспечивают бесконтактность измерений, но предназначены для измерения свойств только однородных полупроводниковых материалов, причем форма образца должна быть строго определенной.Цель изобретения - измерение удельного сопротивления и толщины полупроводникового слоя бесконтактным способом, не раз 1 рушая образцов, при одностороннем доступе к поверхности их, независимо от их формы.Это достигается тем, что образец накладывается на конец волноводного тракта, немеющий вид щели с предварительным плавным переходом; при помощи специальной конструкции измерительного блока фиксируются параметры стоя 1 сй волны в волноводс (напрпмср,фаза в градусах и модуль коэффициента стоячей волны) и с помощью тарировочного графика, построенного по эгалонным образцам5 или по аналитическим зависимостям, определяются удельное сопротивление и толщина полупроводннкового слоя.11 а фиг, 1 показана блок-схема устройства;на фпг. 2 - кинематичсская схема измерительО кого блока,От генератора сигналов 1 СВЧволна черезаттсн 1 оатор 2 и щелсвой излучатель т падает1 а образец 4. Параметры стоячей волны в волноводном тракте фиксируются прн помощи5 зонда 5. детектора 6, индикатора-микроампсрмстра 7 н передаточного механизма 8, связанного с,подвижной шкалой 9.Фаза коэффициента от 1 раження в градусахфиксируется подвижной шкалой 9, модуль коО эффнцнента отражения - индикатором и откладывается на подвижной шкале. Под поДаижНОй Н 1 наЛОй ПОМЕшаЮтСЯ таРИРОВОкЧНЫСграфики, по которым определяются соответствующие овойства.Перемещение зонда 5 с детс 1 сгором 6 вдольвслнозодной лпг 1 пи передается с помощью персдачн точкого механизма 8 подвижной шкале 9, Кула 1 ок расс 1 иган таим образом, чтоперемещение зонда вдоль линии передаетсяО подвижной шкале 9 и фаза, коэффициента от239449 свойств полупроводниковых слоев позволит проводить 100% контроль удельного сопротивления и толщины полупроводниковых, слоев. Устройство для измерения свойств полупроводниковых слоев, состоящее из СВЧ-генератора и измерительного блока, отличаогцееся 10 тем, что, с целью измерения двух характеристик образца (удельното сопротивления и толшины полупроводникового слоя) без разрушения образца, измерительный блок состоит из волноводной измерительной линии в виде чет верти круга, ссединенной посредством кулачкового механизма с подвижной шкалой, проградуированной в единицах модуля коэффициснта отражения. Составитель Б. Пирожникктор А Р дакт 480 Подписи открытий при Совете Министров ССС Серова, д. 4:Зака 680/8ЦНИИПИ Комитета Тира делам изобретений Москга, Центр, ипография, пр. Сапунова, 2 ражения соответствует, градусной мере неподвижной шкалы 10.Таким образом, процесс измерения заключается в следующем: на конец волноводной линии, имеюгцей вид щелевого излучателя, накладывается исследуемый образец; при помощи специальной конструиции,измерительного блока находятся параметры стоячей,волны в волноводе (фаза в градусах и модуль коэффициента отражения), которые фиксируются прп помощи лодвижной шкалы; по тарировочным графикам, предварительно составленным по эталонным образцам или рассчитанным по аналитическим зависимостям, которые помещаются под подвижной шкалой, находятся удельнос сопротивление и толщича полупроводниковых слоев,Данное СВЧ-устройство для измерения Предмет изобретения