Способ создания изоляции соединений в интегральных системах

Номер патента: 234525

Авторы: Жуков, Петракова, Федотова

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 14 Х 11.1967 ( 1177944/26-25) 1 Л. 21 д. 11/02 аявкиприсо неиие. поритетуоликовс 1 но 10,1 П 1, Н О 1/Д 1(, 621.382.002 (088,8 Ко 1 аитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР969. Б юлл е теньописания 21 Х,1969 та опуоликован Авторыизобретени акова В. В, Жуков, В. В. федотова и Т вител ОЗДАНИЯ ИЗОЛЯЦИИ СОЕДИНЕНИЙИНТЕГРАЛЬНЫХ СИСТЕМАХ ОС ленкои фотосят снова, ное плои 1 адки и интегральных ю пленку подействует на е покрытия соединении снимают, а затем нано он защищает контактны хемные соединения в После этого алюминиев т в травитель, которыи н осл сттеперь внутри схемах мешаю Настоящее изобретение относится к микроэлектронике, может быть применено в производстве интегральных систем.Известен способ создания изоляции соединений в интегральных системах, состоящий в 5 том, что поверх соединений наносят изоляционный слой, в котором при помощи фотолитографии и травления проделывают отверстия ДЛ 51 ВЫХОДс 1 На КОНТЯ КТНЬЕ П,10 ЩЯДКИ, ЗЯТЕМ поверх изоляционного слоя в вакууме наносят 10 СЛОЙ с 1 Л 10 МИНИ 51, На КОТОРОХ 1 ЕТОДОХ ЛИТОГРЯ- фии и травления получают конфигурацию соединений второго слоя. Пр: гравлении в изоляционном слое окон над контактными площадками возникает ступенька, и для падеж ного соединения между интегральными схемами необходимо напылить толстый слой алюминия. В качестве изоляционого слоя используют моноокись кремния, получаемую напылением в вакууме, 20Получение пленки моноокиси кремния с высокими изоляционными свойствами сопрякено с Оольшими технологическими трудностями, причем пленка оказывается с большим количеством проколов, 25Цель настоящего изобретения заключается в получении изоляционных слоев с улучшенными характеристиками и в упрощении технологии их изготовления. Достигается она тем, что используют пленку окиси алюминия 30(А 1,0), полученную электрохимическим анодированием пленки алюминия, причем нужные места с проводящими сбластями от анодирования защшцаются фоторезистом на основе 24 О/о-ного нафтохинондиазида.Предложенный спосоо заключается в следующем.На кремниевую пластинку с готовыми интегральными схемами няиыляют в вакууме пленку ал 1 охННН 51. На этой пленке при помощи фотолитографии выполняют конфигурацию соединений между интегральными схемами, причем пленка оголена от фоторезиста по конфигурации соединений, в то время как остальная часть защищена фоторезпстом. КрезНиевую пластину помещают в электролит.Плен алюминия анодируют в Нслом электролите со свинцовыми электродки при постоянном напряжении 60 в.Состав электролита;Щавелевая кислота, г 30 Лимонная кислота, г 100 Дистиллированная вода, л 1Заказ 646/2 Тираж 465 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совеге Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 окись алюминия, защищающую конфигурацию соединений интегральных схем.Состав травителя:Хлорная медь, г 24Плавиковая кислотаил 4,5Дистиллированная вода, л,г 200 В результате травления получают первый слой межсхемных соединений интегральных схем, покрытых пленкой окиси алюминия. Снова напылив в вакууме слой алюминия, фотолитографией и травлением выполняют конфигурацию второго слоя соединений. Пленка окиси алюминия практически не дает ступеньки, что позволяет многократно чередовать слои с конфигурациями межсхемных соединений с изолирующими. При толщине пленки 0,4 мк удельная емкость пересечений 5000 аф/смз, пробойное напряжение 40 - 50 в. Предмет изобретения5 Способ создания изоляции соединений в интегральных системах, включающий напыление в вакууме алюминия и фотогравировку, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик изоляции соединений в интегральных 10 системах и упрощения технологии их изготовления, проводят электрохимическое анодирование конфигурации межсхемных соединений пленки алюминия, напыленной в вакууме, затем защищают фоторезистом контактные пло щадки и внутрисхемные соединения и травятв травителе, не стравливающем пленку окиси алюминия.

Смотреть

Заявка

1177944

В. В. Жуков, В. В. Федотова, Т. С. Петракова

МПК / Метки

МПК: H01L 21/48

Метки: изоляции, интегральных, системах, соединений, создания

Опубликовано: 01.01.1969

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-234525-sposob-sozdaniya-izolyacii-soedinenijj-v-integralnykh-sistemakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания изоляции соединений в интегральных системах</a>

Похожие патенты