Симметричный тиристор с однополярным управлением

-"ГГЙА Н И Е ЗОБРЕТЕНИЯ гмое от авт. свидетельства М Ет. 21 д, 11 г 02 11.1963 ( 883156126 но гсоединением заявки Лгг 909317,26-25ритетчиковано 20.11,1969. Бюллетень Л. 9опубликования описания 15 ЛП,1969 1 П 1 Н 01 21.314.632(088.8) Авторыизобретения невич и 1 О, А. Евсеев овский научно-исследовательский электротехнический институ Заявител ИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР С ОДНОПОЛЯРНЫЛ УПРАВЛЕНИЕМИзвестные тиристоры обладают только прямой управляемой вольт-амлерной характеристикой. Для многих электрических схем необходимо иметь тиристоры с симметричной вольт-амперной характеристикой, 5Предлагаемый тиристор обладает симметричной относительно начала координат вольтамперной характеристикой, а управление прямой и обратной ветвью осуществляется импульсами тока одной полярности, протекающими между управляющим и верхним силовыми электродами. С целью более рационального использования площади вентильного элемента, в каждом направлении шунтировка крайних эмиттерных переходов (выведение к верхнему и нижнему контактам областей р-типа) выполнена так, что проекции шунтов на верхнюю или нижнюю плоскость основания пластичны не пересекаются, а имеют общую линию, на продолжении которой расположен центр управляющего электрода. Проекция управляющего электрода на нижнюю плоскость основания пластины попадает в область со смежным типом проводимости и делится границей данной области пополам. Для получения эффекта управления-спрямления обратной вольт-амперной характеристики вокруг управляющего электрода создается небольшая область противоположной проводимости, причем проекция данной области на нижнюю ЗО плоскость основания пластины попадает в область с тем же типом проводимости.Основу тиристора составляет монокристаллическая пластина электронного типа проводимости с удельным сопротивлением порядка 40 оги сзг и,диффузионной длиной 0,3 л,и, в которой методом последовательной диффузии создана структура, сечение которой изображено иа фиг. 1; на фиг. 2 и 3 - то же, соответственно вид сверху и вид снизу; на фиг. 4 - вольт-амперная характеристика тиристора.На фиг. 1 обозначены: 1 - слой исходного кремния с электронным типом проводимости;2, 3 - слои кремния с дырочной проводимостью, полученные методом диффузии и образующие на глубине 70 - 80 як р - гг-переходы 4, 5; 6, 7, 8 - слои с электронным типом проводимости, полученные методом диффузии и образующие на глубине 10 - 12 лк р - гг-переходы гг, 10, 11; 12, 13 - слои никеля; 14 - управляющий электрод; 15 - силовой электрод. Как видно из фиг, 1, 2, 3, при любой полярности напряженггя, приложенного к электродам 14, 15, в каждом направлении работает только половина монокристаллической структуры.Тггристор предложенной конструкции может быть применен в статических преобразователях электроэнергии, а именно в выпрямггтельных установках с бесконтактным регулирова72 Фиг г едактор Л, М. СтрувеТехред Т. П. Курилкоорректор О, И. Попов писноеетений .СССР 4 пография, пр. Сапунова, 2 нием и реверсированпем выпрямленного тока, в регулируемом электроприводе, в качестве включателей и фазовых регуляторов переменного тока, в обратных преобразователях постоянного тока в переменный и т, д. Предмет изобретения Симметричный тпристор с однополярным управлением, выполненный на основе многослойной структуры, например, типа п - р - и - р - и с зашунтированными эмиттерными переходами, отличающийся тем, что, с целью управления напряжением переключения прибора в любом направлении током одной полярности, шунты вьвполнены так, что их проекции на одну из плоскостей основания пла стины не пересекаются, а имеют общую линию, на продолжении которой расположен центр управляющего электрода, вокруг управляющего электрода создана область противоположного типа проводимости, проекция ко торой на нижнюю плоскость основания пластины попадает в область с тем же типом проводимости, а нижняя плоскость основания пластины разделена поровну между областямп электронной и дырочной проводимости. - 1 Б А-А75 9 Заказ 1460(18 Тираж 480 П ЦНИИПИ Комитета по делам изо и открытий при Сонете МинистроМосква, Центр, пр. Серова,