Способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 19.Ч 1 1.1963 ( 853160/26-25)с присоединением заявкиПриоритет Кл. 21 д, 1102 48 а, 1 боГосударственныйкомитет по делам. изобретенийв открытий СССР убликовано 21 1 Х.1965. Бюллетень1 кования описания 18,Х 1,19 Дата опу Авторы зобретения. В. Русаков аявител СПОСОБ АНОДНОГО ОКСИДИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТ МНОГОСЛОИНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУ низованнои высоком сопротивлением вномерном анодном хности полупровододы структуры смени относительно кадачей анодного наа два (или более) ществляют в протоке деио омной воды (с удельнь 10 - 18 мгом см) при ра потенциале по всей повер ника, когда все р - и-перех шены в прямом направлен тода, что достигается по пряжения одновременно н контакта структуры, 1 О редмет изобрете оописная группа97 Известны способы анодного оксидирования поверхности диодных полупроводниковых структур в высокоомной деионизованной воде путем подачи анодного напряжения на р - и- переход таким образом, что последний смещен в прямом направлении относительно катода. Однако при оксидировании многослойных полупроводниковых структур известным способом в прямом направлении оказываются смещенными не все р - и-переходы структуры и поверхность структур оксидируется неравномерно или совсем не оксидируется.Предлагаемый способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур отличается от известного тем, что анодное напряжение подают дополнительно на два (или более) омических контакта структуры таким образом, чтобы все р - и-переходы были смещены в прямом направлении относительно катода,Способ позволяет получить по вс " ности структуры равномерную иную защитную пленку окисла,Предложенный способ оксидирования многослойных полупроводниковых структур осуСпособ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур в высокоомной деионизованной воде путем подачи на р - и-переход анодного напряжения таким образом, что он оказывается смещенным в прямом направлении относительно катода, отличающийся тем, что, с целью создания качественной и равномерной защитной пленки окисла на всей поверхности полупроводника, анодное напряжение подают дополнительно на два (или более) омических контакта структуры так, чтобы все р - и-переходы были смещены в прямом направлении относительно катода,
СмотретьЗаявка
853160
В. В. Русаков, В. В. Новиков
МПК / Метки
МПК: C25D 11/32, H01L 21/473
Метки: анодного, многослойных, оксидирования, поверхности, полупроводниковых, структур
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-175142-sposob-anodnogo-oksidirovaniya-poverkhnosti-mnogoslojjnykh-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур</a>
Устройство для контроля электрических параметров полупроводниковых и магнитных структур на пластине
Номер патента: 1064497
Опубликовано: 30.12.1983
МПК: H05K 13/08
Метки: магнитных, параметров, пластине, полупроводниковых, структур, электрических
...7, и рычага 15, выполненного в виде вилки и закрепленного в центрах 16, которые делят плечи рычага 15 в отно. шении 1:1 Ограничитель 17 колебаний, выполненный в виде рычага, поджат пружиной 18 к направляющим 14 и закреплен на оси 19 на несущей плите 8.Упругая направляющая обеспечивает связь подвижной рамки,13 с несущей плитой 8, состоящей из мембран 20, укрепленных по наружному диаметру в корпусе 21 при помощи набора шайб 22 и гайки 23, связанных по внутреннему диаметру с помощью колонки 24, набора шайб 25 и гайки 26.Устройство работает следующим образом.После предварительной ориентации .проверяемой пластины относительно зондов (вручную оператором) в режиме фАвтоматф срабатывает механизм перемещения зондовой карты по осикоторый...
Способ определения энергетического положения точки lic дна долины l нижней зоны проводимости полупроводникового материала со структурой цинковой обманки
Номер патента: 1268013
Опубликовано: 20.09.2001
Автор: Коршунов
МПК: H01L 21/66
Метки: дна, долины, зоны, нижней, обманки, положения, полупроводникового, проводимости, структурой, точки, цинковой, энергетического
Способ определения энергетического положения точки Lic - дна долины L нижней зоны проводимости полупроводникового материала со структурой цинковой обманки путем измерения физических величин, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и удешевления применяемой аппаратуры, изготавливают образцы из анализируемого материала с различной концентрацией электронов, превышающей концентрацию вырождения при температуре измерений, включая максимально возможную величину, затем на каждом из упомянутых образцов измеряют величину эффективной массы электронов и концентрацию электронов, после чего проводят сравнение экспериментальной зависимости эффективной массы электронов от их концентрации с...
Механизм для прямолинейного движения с чередующимися остановками в прямом и обратном направлениях
Номер патента: 120108
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Цаплин
МПК: F16B 1/02, F16H 21/04
Метки: движения, механизм, направлениях, обратном, остановками, прямолинейного, прямом, чередующимися
...Редактор Л. Г. Голандский Гр. 207Информационно-издательский отдел.Объем 034 и. л. Зак. 3629 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14Для того, чтобы корпус механизма с прикрепленным к нему передвигаемым ооъектом получил возможность движения, необходимо отпереть шарики 9, находящиеся у нижнего конца втулки б.После заклинивания шариков б окна 10 совмещаются с каналом 11,часть воздуха через сверление 12 проходит в полость 13, сдвигает втулку 14, преодолевая силу предварительного поджатия пружины 1 б, ишарики 9 отпираются.Получив свободу движения, втулка б вместс с корпусом механизманачинает перемещаться вниз.Как только втулка б сдвигается с места окна И оказываются против полости 1 б...
Симметричный ключ для переключения сигналов прямого и обратного направлений
Номер патента: 213425
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Доронина, Емель, Перельман
МПК: H03K 17/66
Метки: ключ, направлений, обратного, переключения, прямого, сигналов, симметричный
...диод.На вход Вхз, которым является начало первичной обмотки трансформатора 4, подаются сигналы управления, т. е. включения ключа.0 При отсутствии сигнала на входе Вхз транзисторы 1 и 2 заперты, а 3 отперт напряжением смещения. Поэтому помеха на выходе ключа составляет незначительную часть входного сигнала, так как он делится в соотн мщении сопротивлений запертого и отпертого транзисторов (практически помеха ото тствует).При поступлении сигнала на вход Вх., транзисторы 1 и 2 отпираются, а 3 запирается, и 0 сигнал проходит через ключ без существенного затухания и задержки, Таким образом, транзисторы ключа работают в импульсном режиме без источников постоянного тока для питания коллекторных цепей.Если транзисторы 1 и 2 поставить в...
Способ бесконтактного определения толщины эпитаксиальных полупроводниковых слоев
Номер патента: 1737261
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Арешкин, Иванов, Федорцов, Федотова
МПК: G01B 11/06
Метки: бесконтактного, полупроводниковых, слоев, толщины, эпитаксиальных
...слое или в подложке вследствие различия их электрофизических свойств. Область генерации неравновесных носителей зависит от глубины проникновения инжектирующего излучения в структуру, т. е, от его длины волны. Снимают спектральную зависимость изменения интенсивности прошедшего через структуру или отраженного ею зондирующего излучения от длины волны дополнительногоизлучения, фиксируют длины волны1 определяющую спектральное положение перехода величины изменения интенсивности от значения, характерного для подложки, к значению, характерному для эпитаксиального слоя, и по заранее построенной градуировочной кривой определяют толщину эпитаксиального слоя И/.На фиг. 1 изображена эпитаксиальная структура; на фиг. 2 - зависимость...