Есесша

Номер патента: 171923

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Есесша, Логунов

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

...туннельный диод.На кольцевой гластине 1 германия с одной стороны создан кольцевой омический контакт 2, а с другой стороны через стеклянную кольцевую прокладку 3 припаяна металлическая, например коваровая, пластина 4, Сплав 5, образующий р - гг-переход прибора, расположен внутри германиевой пластины 1 и имеет контакт с металлической пластиной 4.Изготовить структуру можно следующим образом; на большой пластине германия по всей поверхности создают спай с коваром через тонкую (10 - 60 мк) стеклянную прослойку при температуре около 800 в 9 С. Напаивают с другой стороны германиевой пластины золоченую или серебряную коваровую пластину для создания омического контакта с германием, Позолотив полученный сандвич с обеих сторон, нарезают его на...