Способ изготовления омических контактоввсгсц»я11gt; amp; 1. ffmmтфб: ; щ1а(а„.
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
висимое от авт. свидетельстваЗаявлено 06.Ч 11.1964 ( 910241/26-2с присоединением заявкил. 21 д, 11 Государственныйкомитет по делаюизобретенийн Открытий СССР"1 ПК Н 0 нор итет Опубликовано 27,Ч 11.1965. Бюллетень1Дата опубликования описания 29.Х.19 б 5 621 382 2/3(088,8) Авторызобретени В. И. Диковский Вихрова сударственного комитета по электронной технике СССР 3 аявител прия МЯВОМФФОРИ ОНТАКТОВ ЧЕС 3 ГОТОВЛ ЕН ИЯ СПО и реард. еских одними кгвода и повар,иия оми олупров отого, и торов и с пре т изобрет Подписная группа М Известны способы изготовленч контактов путем вплавления в лметаллического, в частности зол ь с добавками донорсв или акцеп л крытого слоем металла-примеси д тельным его оплавлением.Предлагаемый способ изготовления омического контакта к полупроводниковым приборам отличается тем, что металлический вывод, в частности из золота, предварительно покрывают слоем висмута в количестве, не превышающем 10/, от веса вывода, или слоем сплава золота с висмутом с содержанием висмута не нижеЮОд/О.Предлагаемый способ позволяет за счет улучшения смачивания поверхности кремния повысить надежность и механическую прочность омического контакта, а также осуществить контакт к кремнию и- и р-типа проводимости,Способ осуществляется следующим образом.На вывод из золотой заготовщики, например, в виде проволоки наносят любым известным способом слой висмута или сплава висмута с золотом. Количество висмута должно быть не более 1% от веса золотого вывода, а в сплаве золота с висмутом содержание висмута должно быть не ниже 20 О/,. Вывод с нанесенным металлом предварительно оплавляют при температуре, превышающей температуру эз 1 ектики золото - висмут, а длительность оплавления выбирают таким образом, чтобы оно произошло только в поверхностном слое. После этого проводят эплавление вывода при температуре 450 С в поверхность кремния, обработанную соответствующим образом.Предме ения Способ изготовления омических контактов путем вплавления в полупроводник металлического вывода, легированного соответствующей примесью или покрытого слоем металла с предварительным его оплавлением, отличаюигийся тем, что, с целью повышения механи. ческой прочности контакта и осуществления его на кремнии любого типа проводимости, на вывод предварительно наносят висмут в количестве не более 1% от веса вывода.2, Способ по и, 1, отличающийся тем, что на вывод предварительно наносят слой из сплава золота с висмутом с содержанием висмута не ниже 20%.
СмотретьЗаявка
910241
Предпри тие Государственного комитета электронной технике СССР
В. И. Диковский, С. Б. Вихрова
МПК / Метки
МПК: H01L 21/40
Метки: ffmmтфб, контактоввсгсц»я11gt, омических, щ1а(а„
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-174276-sposob-izgotovleniya-omicheskikh-kontaktovvsgscya11gt-amp-1-ffmmtfb-shh1aa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления омических контактоввсгсц»я11gt; amp; 1. ffmmтфб: ; щ1а(а„.</a>
Предыдущий патент: Устройство для надевания и припайки лепестков электрических конденсаторов
Следующий патент: Способ измерения дрейфа обратного тока р—п-переходов
Случайный патент: Шасси погрузчика