Туннельный диод
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 172404
Автор: Константинов
Текст
О П И С А Н И Е 172404ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских СОциалисткцеских Республикавт. свидетельства Лв виси мо Кл. 21, 11.ЧПК Н 011 Прцорите ДК 621.382.232 (088.8) Л 1.1965, Бюллетень М 13 1 ця описания 25 Х 111.1965 Огубликогано Дата опублцк вторзобретепця Б. Константинов,аявцтсль 1 НЕЛЬНЫЙ ДИОД Предмет пзобр етеп и я Тун мания ку, к ний к 2 в тем, что, дела, сн рощения вывод п язычком изображена конструкция тунполупроводникового материала 1 сс 7 гасная группа Л 5 9 Известны туннельные диоды, выполненные, например, на основе германия, заключенные в керамическую оболочку с металлическими кон 1 тактиыми выводами различной коцфцгура;1:1, прппл;в;чпымп и керамике оболо.ц.Однако такое их конструктивное исполнение це позволяет автоматизировать процесс изготовления приборов с одновременным снижением паразитнои ицдуктивности корпуса и умспьшецием площади р - а-перехода.Отличие предложенного туннельного диода в том, что верхцп вывод прибора выполнен В виде ко 1 ьца с язы 1 ком, загнутым, под углом, например, 90", а кристалл полупроводппховоо материала установлен в корпусе и оораоотац такРъ Ооразом, что между его ОО- ковой гранью и язычком верхнего вывода создан зазор переменного сечения, при этом электродный матсриал, образуя р - п-переход ца боковой грани кристалла, имеет одповреко:такт с язычом верхнего выводаприбора.Такое выполнение диода позволяет увеличить частотпь:й предел прибора, снизить индуктивность корпуса и упростить технологию его изготовления, что позволит автоматизировать технологический процесс.На чертежецельного диодаКристалл 1 с р - и-переходох 2 заклОчец в керамисекуо оболочку 3, к которой прцплавлены верхний и нижний контактные выводы 1 ц 5 прибора с напаянной ца верхц 1 ш вывод 1 крышкой 6, 5 Верхний вывод 4 прибора выполнен в видекольца с язычком 7, загнутым под углом, например, 90.Кристалл 1 полупроводникового материала, установленный в корпусе прибора и прц О плавленный к нижнему выводу 5 прибора,обработан таким образом, что между его боковой гранью 8 и язычком 7 создан зазор переменного сечения.ЗлеТродны 1 материал 9, образуОппи р - 15 и-переход 2 ца боковой грани Ь кристалла 1,имеет ОДНОВ 1 эеенпо контакт с язычкОм /. нельный диод, например, на основе герзаключенный в керамическую оболочкоторой прцплавлены верхшш ц нижнтактные выводы прибора с напаянной хний вывод крышкой, отличакт 1 тссяс целью увеличения частотного преижснця ппдуктцвцостц корпуса и уптехнолоп 1 ц цзготовлеш 1 я, ве 1 зхццйрибора выполнен в виде кольца с , зап утым под углом, например, 90,1 72404 Соива "с.ь Т И Пстрико актор Ь. А, Шнсйиепмаи Т креи А. Л, Кавьииикова Корректор О. 4. 11 оиов Типо;рарии, ир. Сапунов и кристалл полупроводникового материала установлен в корпусе и обработан таким образом, что между его боковой гранью и язычком верхнего вывода создан зазор переменЗаказ 2094/4 Тираж 1575 Формат Ц 1 ЛИИП 1 Л Госуларствеииого комит Москва, Цного сечени 51, нри этОм электродный мате риал, образуя р - 1 г-переход на бокоьой грагн 1 кристалла, имеет одновременно кои акт с язычком верхнего вывода прибора. м. 60;90/в Объе 0,1 изд, к Цса 5 копа по делам изобрстсий и открытий СССРитр, пр. Серова, 4
СмотретьЗаявка
827247
П. Б. Константинов
МПК / Метки
МПК: H01L 29/88
Метки: диод, туннельный
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-172404-tunnelnyjj-diod.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Туннельный диод</a>
Предыдущий патент: Снх бсср j
Следующий патент: Устройство для многократной фотолитографической обработки полупроводниковых материалов
Случайный патент: Устройство для экструзии пластмассовых труб