Пред

Номер патента: 172405

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Пред

МПК: H01L 21/00

Метки: многократной, полупроводниковых, фотолитографической

...точности совмещения по периферии оорабатываемой пластины, в координатном столе расположеиы выводные каналы ццевмосистемы, соединенные с пцевмоцасосом. Для создания возможности обработки плоских пластин неравной толщины в устройстве подложка для пластиць. выполнена в вде полусферы, имеющей трц степени свободы относительно координатного стола.На чертеже изображено устройство для многократной фотолитографической обработки полупроводциковых приборов в разрезе.Г 1 ластиР 12 1 кремния установлена на подлоткке 2, которая прР 1 помощи давлецця 1 аза подвешена на воздушной подушке, Это дает возможность примецять це только плоскопараллельць;е, цо и пеплоскопараллельцые плястццы к 1 чемцця и 5 стацавлцвать цх в п:оскостР 1, задаццой шаблоном 3....