C25D 11/32 — полупроводниковых материалов

Номер патента: 175142

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Новиков, Русаков

МПК: C25D 11/32, H01L 21/473

Метки: анодного, многослойных, оксидирования, поверхности, полупроводниковых, структур

...оописная группа97 Известны способы анодного оксидирования поверхности диодных полупроводниковых структур в высокоомной деионизованной воде путем подачи анодного напряжения на р - и- переход таким образом, что последний смещен в прямом направлении относительно катода. Однако при оксидировании многослойных полупроводниковых структур известным способом в прямом направлении оказываются смещенными не все р - и-переходы структуры и поверхность структур оксидируется неравномерно или совсем не оксидируется.Предлагаемый способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур отличается от известного тем, что анодное напряжение подают дополнительно на два (или более) омических контакта структуры таким образом, чтобы...

Номер патента: 565954

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Емельянов, Козлов, Сорокин

МПК: C25D 11/32

Метки: анодирования, арсенида, галлия, электролит

...содержащие50 об.% изобутилового спирта, 2; 5; 10;15 и 20 об.% гидроокиси аммония и этиленгликоль - до 100% в каждой смеси,оТемпература электролитов 20 С, расстояние между полупроводниковыми дискамидиаметром 25-30 мм и катодом из нержавеющей стали 1,5 см,Значения скорости анодирования, толщины получаемых пленок а также некоторые характеристики последних представлены в табл. 1,Как видно из табл. 1, при концентрации гидроокиси аммония меньше 5 об,% уменьшаютсяскорость анодирования и толщина оксидной пленки, снижается пробивное напряжение и увеличивается скорость травления, т.е. получаемые окисные слои нестабильны.При концентрации гидроокиси аммония более 1 5 об,% ухудшается качеств о окисных слоев и уменьшается скорость окисления, что...

Номер патента: 1086832

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Василевская, Зименко, Ситенко, Степанова, Чернухин

МПК: C25D 11/32

Метки: анодирования, полупроводниковыми, расплав, свойствами

...в нитратном расплаве. Длительность электролиза определяется необходимостью получения окислов определенной толщины. В качестве катода используется платина, Скорость роста. окисла по предлагаемому способу составляет 25- 50 А/В,При анодировании арсенида галлия по изобретению качество окислов обеспечивается следующим.Расплавленные нитраты являютсяхорошо проводящими электролитами с хорошей рассеивающей способностью,что увеличивает равномерность покрытия и значительно уменьшает омичес-, кие потери на ванне. Проведение процесса при .235+5 С способствует увели чению концентрации неосновных носителей вследствие увеличения скорости их термической генерации, поэтому анодирование процесса одинаково на арсениде галлия и-и р-типа .н не требует...

Номер патента: 1344818

Опубликовано: 15.10.1987

Авторы: Морачевский, Фирсова, Юркинский

МПК: C25D 11/32

Метки: анодирования, вольфрама, расплав

...их предельной растворимостьюв расплаве нитратов щелочных металлов.Изобретение может быть проиллюстрировано примерами (см, таблицу).Анодирование вольфрамового электрода, который представлял собойжесть толщиной 0 15-0 2 мм с рабочейгповерхностью 1-2 см , осуществляли 40в электролитах на основе эвтектической смеси нитратов: ЬБО (37,5 мас. )ИаИО, (18,0 мас, ) КЫО (44,5 мас.%).Анодирование осуществляли при температуре 435 Ф 10 К в потенциостатическом режиме. Напряжение анодированиясоставило 20 В, время 10 мин. Материал катода - никелевая жесть площадью 20 см . Толщина покрытия0,2+0,02 мкм. Оценку электрохромнык.свойств анодно-окисного покрытияосуществляли по величине коэффициента 8 2контраста (отношение интенсивности света,...