Полупроводниковый переключательный элемент свч
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 173849
Авторы: Сестрорецкий, Синьков, Якубень
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубпикЗависимое от авт. свидетельстваКл, 21 д, 1102 Заявлено 04 .1964 ( 879906/26-25)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 06 Х.1965. Бюллетень16Дата опубликования описания 9.Х.1965 МПК Н 011УДК 621,382.233;621.372.837 (088,8) Государственныйкомитет по деламизобретенийи открытий СССР Авторыизобретения Б. В, Сестрорецкий, Л. М. Якубень и Ю. А. Синьков Заявитель"н . Г КОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЬЙЭЛЕМЕНТ СВЧ ПОЛУПРОВО сти); р -ля инжектиро ля более силь - и - п-п высоким уров 10 мк. сталла 1-облиспользуются дв 1-область. Дпроводимостибыть резкие си толщиной 1 -- и-переходы ания носителей ого изменения реходы должны ем легирования зна - п- пере- правПодписная группа97 Для коммутации СВЧ сигналов используются переключательные диоды с р - п-переходами или диоды с рп-структурой. Вес и габариты в волноводных коммутационных устройствах с диодами определяются, в основном, конструктивными элементами, обеспечивающими крепление полупроводниковой структуры.Предлагаемый переключательный элемент СВЧ выполнен в виде структуры поорт, имеет три вывода, средний из которых служит для подведения сигнала.На чертеже показан описываемый элемент, Элемент имеет три внешних контакта - две металлические поверхности 1 и 2, к которым подводят потенциал одной полярности, и привод 3, соединенный с центральными электродами структур рп или со средней сильно легированной областью структуры трт, к которому подводят потенциал другой полярности. Защита элемента от внешних воздействий осуществляется диэлектрическим покрытием.Толщина -области в элементе берется чительно больше, чем толщина р -ипереходов. В этом случае р - с и- пходы непосредственно не участвуют в у ленин сигналом СВЧ. Управление осуществляется за счет изменения проводимости области высокоомного полупроводникового криДля уменьшения мощности управления, атакже повышения стабильности параметров 10 рабочими напряжениями на элементе берутнулевое напряжение и положительное напряжение, равное примерно одномувольту. Так как элемент не используется при отрицательных напряжениях, то форма вольт-амперной 15 характеристики при обратных смещениях неимеет существенного значения, в результате внешние факторы (водяные пары) значительно слабее влияют на коммутационные параметры элемента, чем в обычных полупровод никовых приборах,Форма сечения элемента может быть различной (в виде квадрата или круга) для элементов, которые могут работать в сантиметровом и дециметровом диапазонах на неболь ших импульсных и средних мощностях. В случае мощплости порядка сотен ватт или же при работе в миллиметровом диапазоне выгоднее прямоугольная форма. Один из размеров выбирается из соображений получения заданной 30 средней мощности и заданных вносимых затуханий, второй размер выбирается так, чтобы обеспечить режим минимальных отражений,Так, например, элемент с пгрсп-структурой прямоугольной формы, площадью сечения 0,5 мм-, высотой 1 мм при мощности управляющего сигнала около 0,1 вт, впаянный в волноводные линии передачи, коммутировал импульсные мощности до 10 квт и средние мощности до 20 вт, время коммутации 3- 2 мксек.Элемент прямоугольной формы сечения 1738494(площадью б ммв) коммутирует СВЧ сигналсо средней мощностью до 150 вт.Предмет изобретенияПолупроводниковый переключательный элемент СВЧ, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона его работы на импульсах (до 104 вт) и средних (до 10 а вт) мощностях, он выполнен в виде структуры поорт име ет три вывода, средний из которых служитдля подведения сигнала,оставитель О, Б, федюкинаРедактор Н. С. Коган Техред А. А. Камышникова Корректор ф. П. Кирееваказ 2427/6 Тираж 1575 Формат бум. 60)(90/з Объем 0,13 изд, л. Цена 5 коп ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР Москва, Центр, пр, Серова, д. 4 ипография, пр. Сапунова,
СмотретьЗаявка
879906
Б. В. Сестрорецкий, Л. М. Якубень, Ю. А. Синьков
МПК / Метки
МПК: H01L 29/06
Метки: переключательный, полупроводниковый, свч, элемент
Опубликовано: 01.01.1965
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-173849-poluprovodnikovyjj-pereklyuchatelnyjj-ehlement-svch.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый переключательный элемент свч</a>
Устройство для снятия характеристики динамической электромагнитной мощности электромагнитных элементов постоянного тока
Номер патента: 940134
Опубликовано: 30.06.1982
Автор: Агаронянц
МПК: G05B 23/02
Метки: динамической, мощности, постоянного, снятия, характеристики, электромагнитной, электромагнитных, элементов
...напряжений: рр ) - = Оачдгде - противоэлектродвижущая сясЗЧд 1ла;К ий - сопротивления обмотки иЬ 1 ошунта.Выражение для динамической электромагнитной мощности при отпускании Я выглядит следующим образом;ЭДОМ )=1. - ; Р =Юдц,э ДО ЯФшгде д. - коэффициент усиления первого усилителя напряжения,коэффициент усиления второго усилителя напряжения,Временной динамической характеристикой электромагнитной мощности приотпускании называется зависимостьдинамической электромагнитной мсщности от времени М(С).С шунтирующего резистора 8 обмотки возбуждения снимается напряжение, пропорциональное противоэлектродвижущей силе в обмотке возбуждения, и подается на вход блока 4 уси-лителей (входные сопротивления усилителей много больше шунтирующего...
Способ контроля геометрических параметров элементов изделий с периодической структурой
Номер патента: 1605139
Опубликовано: 07.11.1990
Автор: Христич
МПК: G01B 9/00
Метки: геометрических, параметров, периодической, структурой, элементов
...близким илиравным 90 О, проволоки0,03 мм,проводят напыление, например, углерода при остаточном давлении не выше4 .10 ГПа, убирают трафарет.На поверхности МКП останутся двепересекающиеся полосы без покрытия,С помощью микроскопа необходимо выбрать один канал, находящийся в центре перекрытия полос, и определитьего контрольные параметры с учетомвсех погрешностей. Нижний пределширины полос, свободных от поглощающего покрытия, объясняется необходимостью иметь в центре перекрестияне менее одного полного контролируемого микроэлемента при случайном расположении теневого трафарета, еслимикроэлементом считать отдельнуюструктурную единицу; либо канал(сердцевину), либо перемычку (оболочку), Верхний предел - не болеедвух полных микроэлементов,...
Преобразователь импульсного сигнала и вида модуляции
Номер патента: 1538240
Опубликовано: 23.01.1990
МПК: H03K 7/04
Метки: вида, импульсного, модуляции, сигнала
...перемножениясигнала с выхода блока 1 (фиг.2 б) исинусоидального колебания с первоговыхода генератора 4 на выходе блока2 формируется РИ (фиг.2 г) длительностью Т и частотой заполнения Р,Поступает РИ на вход АРС 3, в частности на вход ПЗС-регистра, На управляющие входы АРС 3 поступают управляющие импульсы (фиг.2 е) с выходаперемножителя 5 через формирователисдвигающих сигналов. В ПЗС-регистрепод действием управляющих импульсовРИ преобразуется в зарядовые пакеты,соответствующие текущим его значениям(выборкам), соответствующим моментамдействия тактовых импульсов. Каждымтактовым импульсом ранее записанныезарядовые пакеты перезаписываются всоседние (со стороны выхода) элементы, а в первый записывается новыйзарядовый пакет.Этот процесс...
Чувствительный элемент коаксиального измерителя мощности
Номер патента: 658490
Опубликовано: 25.04.1979
Авторы: Вунтесмери, Лубянов, Мироненко
МПК: G01R 21/09
Метки: измерителя, коаксиального, мощности, чувствительный, элемент
...мощности содержит ферромагнитную пленку 1 с нанесенны" ми на нее контактными площадками 2 и помещенную н поперечное магнитное поле, и диэлектрическую подложку 3, причем ферромагнитная пленка 1 выполнена в виде плоского кольца с радиаль- ным вырезом, при этом контактные площадки 2 прилегают к краям выреза.Чувствительный элемент работает следующим образом.Поперечное магнитное поле создается с помощью соленоида 4, установленного на парусный проводник отрезка 5 коаксиальной линии передачи. При распространении по отрезку 5 коаксиальной линии передачи СВЧ энергии на концах ферромагнитной пленки 1, находя-щейся в однородном магнитном поле, вследствие проявления магнитосопротивления и аномального эффекта Холлавозникает ЭДС, величина которой...
Свч-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре
Номер патента: 1688319
Опубликовано: 30.10.1991
Авторы: Ляшенко, Талалаевский, Хвастухин, Чевнюк, Яковлев
МПК: H01P 1/215, H01P 1/30, H01P 9/00
Метки: свч-элемент, структуре, ферритовой, эпитаксиальной
...2 при изгибе термобиметаллической пластины 3, что и обеспечивает достижение цели, 1 ил. пластина 3, температурный коэффициент расширения которой со стороны подложки 1 больше температурного коэффициента расширения другой стороны.СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре работает следующим образом.При изменении температуры изменяется намагниченность насыщения пленки 2, ее константы магнитной анизотропии и упругие напряжения на границе подложка 1 - пленка 2, Это вызывает изменение магнитных полей в пленке 2; размагничивающего поля, эффективного поля кристаллографической магнитной анизотропии и поля одноосной анизотропии, вызванного упругими напряжениями, что должно было бы приводить к температурному смещению рабочей1688319...
Предыдущий патент: Устройство для автоматической сборки и контроля электролитических конденсаторов
Следующий патент: Электрохирургический инструмент для биактивной диатермокоагуляции
Случайный патент: Устройство для зажигания газоразрядных лалп