Мощный биполярный генераторный свч-транзистор

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 09) 1)5 Н 03 Ь 29( ПИСАНИ"1 вркочейкок Мско 1 ЕЕЕ Л Зоче 1, В 2 ССС2,ЕРАТ к влект и к конст енератор+ и изобрете ыходной мощ вномерио мощностиГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(54) ИОЩНцй ВИПОЛЯЩай ПСВЧ ТРАНЗИСТОР.(57) Изобретение относитсяровной технике, в чястиострукции мощных биполярных гных СВЧ транзисторов. Цельния является увеличение вности путем обеспечения раго распределения выходной Фмежду кристаллами. В моцном биполярном генераторном СВЧ транзисторе с параллельным сложением выходной мощ-.ности отдельных транзисторных структур,. с внутренним коллекторным электродом, разделенным по длине на нзоли-с рованные участки, с элементами объединения этих. участков, содержащими резисторы, часть элементов объединения содержат конденсаторы, причем элемен ты объединения, содержащие резисторы, чередуется с элементами объединения, содержацими конденсаторы, а номинал конденсаторов соответствует резонансу емкости конденсаторов каждого такоГо элемента объединения с индуктивностьи объединяемых нми участков вне- Е реннего коллекторного электрода на час- р тоте Ер,лежащей в пределах от нижнейграницы рабочего диапазона частот Г до Кя(3 2 ил14177 Изобретение относится к электронной технике, в частностик конструкции 14 ощных биполярных генераторныхСВЧ транзисторов.5Цельв изобрЕтения яыяется увеличение выходной мощностй путем обеспечения равномерного распределения выходкой мощности между -кристаллами.На Фиг.1 изображен транзистор без 10герметизируищей крывкиф вид в планена вериг,2 " разрез А-А на Фиг.1,Мощный биполярный: генераторныйСВЧтранзистор изготовлен с использованием при создании: транзисторных 1структур эпитаксиальных ппФ " пленоккремния с удельным.сопротивлениемп-слоя, равным 1 Ом см, и толщинойэтого слоя равной 6 мкм.На базовом металлическом элеектро 20де 1, роль которого выполнял сланецкорпуса транзистора, смонтирован держатель 2 из окиси.беррилия. На внутреннем коллекторнам электроде, разделенном на четыреизолированных учась 25ка 3расположенных иа поверхностидержателя, смонтированы транзисторныекристаллы 4. В таких транзисторныхкристаллах длиной по 1,8 мм содержатпо четыре транзисторные структуры 5. 30На изолированных участках внутренне-го коллекториого электрода размещены .также кристаллы б кремния,покрытые,двуокисьй кремния, в середине которыхразмещены блокировочные ИОП конден35саторы 7иволировавшие коллектортранзистора по постоянному току отзамыкания на базовый электроД. Натех же кремниевых кристаллах, гдерасположены блокировочные конденса4 Цторы с одного. края созданы ЙОП-конденсаторы 8 с площадьш электрода каж.фдого конденсатора, равной х 10 4 см,а с другого. краятойкопленочныенихромовые резисторы 9 с сопротивлени+ем каждого резистора, равным 4 Ом.45Четыре кристалла с ИОП-конденсаторамии резисторами смонтированы мк, чтосредние элементы объединейия вклвчафит в себя последовательно вкличеиныерезисторы, а крайние элементы объеди Ыпения - последовательно вкличеиныеконденсаторы. Объединение выполненос помощьи объединяащи индуктивныхэлементов 10 длиной не более 0,4 ммиз алимиииевой ленты сечением 240 Я30 мкм, Внутренняя цепь согласованиявыходного нмпедаиса транзистора вклвчает в себя наряду с блокировочными 21 2кондеисаторамн 7 индуктивные элемен яд 11 первого звена согласования вы хода, индуктивные элементы 12 второ г 1 звена согласования выхода, ИОП- конденсаторы 13 второго звена согласо вания выхода и выходные индуктивные элементы 14, присоединенные к внешне.- му коллекторному электроду 15. Внутренняя цепь согласования входного ,импеданса транзистора включает в се бя наряду с базовыми индуктивными элементами 1 б индуктивные элементы 17 первого звена согласования входа,ИОП-конденсаторы 18 первого звена сог ласовання входа и входные индуктив .ные элементы 19, присоединенные к . внещнему эйиттерному электроду 20Биполярный транзистор выполняется с помощьв известных технологических приемов, при этом выходная мощность .транзистора повышается по сравнении с прототипом примерно в 1,4 раза. Формула изобретений 1, Мощный биполярный генераторный СВЧ-транзистор, содержащий отдель ные транзисторные структуры иа крем ниевых кристаллах с диэлектрическим покрытием с внутренним коллекторным электродом, разделенным по длине на изолированные участки, с элемента" ми объединения этих участков, содер Жащими резисторы, о т л и ч а е щ и й с я тем, что, с цельи повышения выходной мощности путем обеспечения равномерного распределения выходной мощности между кристаллами, дополни тельно введены элементы объедииения, содержащие конденсаторы, причем элементы, объединения, содержащие ре" зисторы, чередуится с элементами объединения, содержащими конденсато ры а величина емкости конденсаторов выбирается из условия Е/3 4 й рГя, где 0 я " нижняя граница рабочего диапазона частот, Г " .частота ре эонаиса Колебательного контура, об.ф разованного конденсатором .каждого такого элемента объединения с индук тнвностьв объединяемых им участков внутреннего коллекторного перехода:,2, Геиератьриый СВЧ-транзисторпо п.1, о т л и ч а и щ и й с я темчто конденсатор элемента объединениявыполнен в виде ИОП конденсатора на3одном краи кремниевого крист:ила, а резистор элемента о 6 ъединенин выполнен В Виде тонкопленочного резистора,тор ЪЛрубченко Составитель И.Идин Техрех Й.Моргеита Лароши каз 2 Тираз о исиое дарственного ком изобретений и от , Ж, Раушская т т оизводствеиио-полиграфическое предприятие, г. Ужгор оектиая,ВНИИПИ Гоко. Делам035, Моск расположенного иа диэлектрике, покрыв;иючем кремниевый кристалл, иа дру"гом краи этого кристалла.