Способ разбраковки по электрическим параметрам структур стабилитронов на пластине

.БЫ 21/66 ОПИСАН Е ИЗОБР ИДЕТЕЛЬСТВУ ТЕН ТОРСКОМ лупроводни ных и Р,Г,У9150,ология микро 86, с.251-252. ПО ЭЛЕКТРИУКГУР СТАБИ иР изобрете одительн ости за с пластине х запуска ния является повышести, а также снижение чет разбраковки крио признакам "годен - а сборку. ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(71) Новосибирский завод ивых приборов(54) СПОСОБ РАЗБРАКОВКИЧЕСКИМ ПАРАМЕТРАМ СТЛИТРОНОВ НА ПЛАСТИНЕ Изобр технике, в вано в те водников получены преимуще ронами, и тивление.Цельюние произ . себестоимсталлов в брак" до и етение относится к электронной частности, может быть использохнологии изготовления полупроых приборов, кристаллы которых из полулроводниковых пластин ственно с двумя планарными стомеющих малое удельное сопроЦель достигается тем, что по способу раэбраковки по электрическим параметрам структур стабилитронов на пластине, включающему измерение электрических параметров зондовым методом, отметку бракованных структур, разделение пластин на кристаллы, нижнийзонд совмещают с одной иэ контактных площадок нижней планарной стороны, сканируют верхним зон(57) Сущность изобретения: измеряют зондовым методом электрические параметры стабилитронов. При этом совмещают нижний зонд.с одной из контактных площадок нижней планарной стороны, Сканируют верхним зондом поочередно все контактные площадки верхней планарной стороны. Переворачивают пластину, Повторяют операции контроля. Отличают бракованные структуры. Разделяют пластину на кристаллы. Удаляют бракованные кристаллы. 1 ил. дьм поочередно все контактные площадки верхней планарной стороны, измеряют электрические параметры структур стабилитронов по напряжению стабилизации, динамическому сопротивлению, обратному напряжению, переворачивают пластину и повторяют в тех же условиях операцию сканирования, отмечают магнитными чернила ми бракованные структуры, пластину 1 Я разделяют и удаляю бракованные кристал- С) лы стабилитронов, 3На чертеже показано устройство для ре- р ализации способа.На предметный столик 1 зондовой установки установлено приспособление 2, в котором закреплен неподвижный зонд 3, 3 ф подключаемый к измерителю параметров ф (И) через разъем 4. Приспособление содержит также подвижный зонд 5. Полупроводниковая пластина 6 помещается на приспособление 2. Позиции 7, 8 - контактные площадки с верхней и нижней сторон пластины, Пунктиром показан путь тока призанятии подви)кным зондом 5 любого положения от неподвижного зонда.Осуществление сг 1 особа показано йа примере разбраковки по электрическим параметрам структур стабилитронов в пластине. Приспособление 2 устанавливается на предметный столик 1 зондовой установки, пластину помещают на приспособление следующим образом. С помощью микроскопа совмещают над неподвижным зондом 3 , Вертикали на одной оси подвижный зонд :.;:. Г 1 омеща 1 от в зазор между зондами пластину 6 и ориентируют пЬд зонд 5 контактный выступ 8 Верхней плоскости пластины, нижний контактныЙ выступ 7 пластины автоматически совмещается с неподвижным зондом Э устройства. Пластина фиксируется на поверхности приспособления с помощью Вакуумного присоса.Предметный солик 1 зондовой установки Ориентируется по осям Х, У, С включением зондовой установки в режиме "Автомат" подвижный зонд поочередно коГ тактирует с каждым контактным выступом пластины и согласно заданной программе От источника измерителя подается ток или прикладывается напряжение В зависимости От измеряемого Гараметра.Разбраковыва" РУ;С;,"з КТОИЧВСКИВ ПВРВМ 8 ТОЫ КажДОй стд 1."тър 1О Вер.",ней пг 1 анэрнои сгоро 8, при Зтом Од 1 э ф,ънтактная пло 1 дадка нижнеи на 11 арно 11 стороны является Общей для всех структур. Электрические схемы подключенйя Г 1 ри раэбрэковке по электриче" ским 11 арметоым использу 10 тся известные Для Дискретйых приборов, измеряются поисущие для этого класса приборов параметры, такие как напрвкение стабилизации, обратное напряжение, динамигеское сопротивление,Для процесса разрабовки с источника питания подается на структуру рабочий ток, рав 11 ый значению тока готового изделия, Для измерения Обратных величин тока и напряжения меняется полярность источника, Полученные результирующие значения напряжения, сопротивления сравниваются вблоке измерителя с запрограммированныминормами разбраковки. Если один из параметров отличается от нормы, то устройство марб кировки помечает магнитными чернилами туструктуру, которая не удовлетворяет нормамразбраковки. Для раэбраковки каждойструктуры нижней планарной стороны пластинупереворачивают, нижний зонд совмещают с10 одной из контактных площадок нижней планарной стороны(прошедшей контроль),верхним зондом поочередно сканируют всеконтактные площадки верхней (не прошедшей контроль) планарной стороны пластины,15 повторяя операцию разбраковки по электрическим параметрам,Разбракованная по электрическим параметрам пластина скрайбируется, разделяется на кристаллы и с помощью магнита2 О бракованные структуры отделяются от годных. Годные кристаллы передаются на сборку,Формула изобретен ия Способ разбраковки по электрическимпараметрам структур стабилитронов на пластине, включающий измерение электрических параметров зондовым методом, отметку бракованных структур, разделение ЗО пластин на кристаллы, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения производительности при раэбраковке структур на пластине с двумя планарными сторонами, нижний зонд совмещают с одной из контак тных площадок нижней планарной стороны,сканируют верхним зондом поочередно все контактные площадки верхней планарной стороны, измеряют электрические параметры структур стабилигронов по напряжению 4 О стабилизации, динамическому сопротивлению, напряжению обратному, переворачивают пластину и повторяют в тех же условиях операцию сканирования, отмечают магнитными чернилами бракованные 4 Б структуры, пластину разделяют и удаляютбракованные кристаллы стабилитронов.1820425 хРедактор Корректор М.Самборская Составитель П.КузьминыТехред М.Моргентал роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 10 аказ 2033 . Тираж Подписное ВНИИПИ Государственногокомитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5