Шмиткин

Номер патента: 1825432

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Альтман, Горлова, Кандов, Каплан, Лившиц, Шмиткин

МПК: H01L 21/22

Метки: кремний, перехода

...площади в процентах от величины отношенияЯп 02А - М -для различных содержаний А 2(МОз)з, мас.7, в диффуэанте состава: "х" - А 2(МОз)з, 2-4 г С, "у" - Яп 02 и 30 г этилового спирта ("х" и "у" - варьируются)- отсчет осуществляется по левой оси ординат.Одновременно график отражает собой процент значений Вэ - поверхностного со+противления с р -стороны, превосходящихОмуровень в 1 . принятый в технологии за критерий годностиот величины отношения Яп 02/А 2(мОз)з - отсчет по правой оси ординат.На фиг. 2 представлены гистограммы распределения кристаллов диаметром б мм по напряжению пробоя. Кристаллы вырезались из пластин, р-п-переход в которых получен с применением диффуэантов различного состава, Под М 1 представлена гистограмма распределения...

Номер патента: 1824657

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Альтман, Ким, Лившиц, Саттаров, Шмиткин

МПК: H01L 23/28

Метки: аксиальным, выводов, высоковольтных, герметизации, полупроводниковых, приборов, расположением

...исключениявытекания компаунда через боковые вертикальные прорези нами были опробованы30 следующие методы: зажим кассеты в струбцину с одновременным ее прижимом по краям и в центре к плоскому поддону печи;принудительный изгиб кассеты эа счет прижима ее к сферически вогнутой поверхности35 поддона(0,25 м 5 Низгиба- - 0,5 мм); стягивание кассеты эластичным ободом после загрузки арматур. В табл.2 представленырезультаты герметизации по 1 и 2 способам.Данные табл,2 - способ 1 - указывают40 на отсутствие какой-либо закономерности вповедении ячеек при их горизонтальномсдавливании, что обусловлено структурными неоднородностями кассет, разбросомсвойств компаунда. Общая же тенденция45 очевидна: сдавливание кассет с помощьюструбцины не устраняет...

Номер патента: 1637965

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Баронин, Гононов, Фальков, Хмелев, Шмиткин

МПК: B23K 1/00

Метки: высоковольтных, диодов, пластин, полупроводниковых, соединения, стопу

...погружают во флюс для пропитки и вертикально загружают по три стопы одновременно между сжимающими обкладками приспособления, зазор между обкладками и стопой составляет.1,75 мм, Зазор 1,75 (0,25 мм от толщины стопы, смоченной флюсом) принят для разного количества полупроводниковых пластин в стопе, где критерием служит условие исключения распадания собранной стопы в процессе погружения в припой на отдельные группы, Толщина стопы из 26 полупроводниковых пластин в среднем составляет 6,54 мм. Толщина пластин после пропитки флюсом 6,93 мм, зазор между плоскостями полупроводниковых пластин составил 0,015 мм.Собранный пакет со стопами погружают в ванну с расплавленным свинцом при 380-400 С под воздействием колебаний с амплитудой 0,04-0,08...