Стучинский

Номер патента: 1099751

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Ахметов, Болотов, Смирнов, Стучинский

МПК: G02F 1/17

Метки: излучения, инфракрасного, модулятор

Модулятор инфракрасного излучения, содержащий управляющий источник излучения и модулирующую среду с изменяющимся под действием управляющего излучения пропусканием, отличающийся тем, что, с целью понижения требуемой для управления модулятором мощности управляющего источника и модуляции пучков инфракрасного излучения большой линейной апертуры без искажения их формы, модулирующая среда выполнена в виде плоско-параллельной пластины из кремния, облученного нейтронами дозой 1017 - 1020 нейтр/см2 и отожженного при температуре 540 - 840 К.

Номер патента: 1823035

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводника, физико-химических, характеристик

...квантов и эмиссии возбужденных электронов в вакуум.40 Если монохроматический пучок рентгеновского излучения с интенсивностью А=НОВ м, где Мо - число ежесекундно падающих квантов, а Ьэнергия кванта, падает под углом р к поверхности полупроводни ка, то на глубине 2 от поверхности в слое б 2возникнет Н(2) собственно рентгеновских первичных электронов, 8 еличина Н(2) будет складываться;во-первых иэ рентгеновских фото- и 50 Оже-электронов, возникающих в слое б 2при поглощении в нем падающего рентгеновского излучения. Полная энергия этой группы электронов 9/1(2):м и;55 ф,(4.Р(.е Р(- Ь ч)Х(Ь 4-Х Р;МЧ;) 1% Рдг где р - линейный коэффициент поглощения рентгеновского излучения с энергией кван- тОВ Ь Рл ПОЛУПРОВОДНИКОМ, Р 1 ЧаСтИЧНЫй линейный...

Номер патента: 1823034

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводника, характеристик

...фотоэффекта. Е - малая величина энергии, равная ширине энергетического уровня, соответствующего данному краю поглощения, 1823034,и) 1 Е) = А т) ) Е) Х) р/Мо - частичный коэффициент поглощения рентгеновского излучения с энергией кванта Е атомами 1-того. элемента, входящего в состав полупроводника, А) - атомный вес 1-того элемента, Х) -доля 1-того элемента в полупроводнике (количественный элементный состав), т) (Е) -массовый коэффициент ослабления рентгеновского излучения с энергией кванта Е в1-том элементе полупроводника, р - плотность полупроводника, Мо - молекулярныйвес полупроводника,,и(Е) - линейный коэффициент поглощения рентгеновского излучения с энергиейкванта Е полупроводником:д тЕ) = , И (Е) М - число...

Номер патента: 1823033

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузии, длины, многокомпонентном, полупроводнике, электронов

...Й. - число возможных рентгеновских радиационных переходов в атоме 1-того элемента. Во-вторых из рентгеновских фото- и Оже-электронов, возникающих в слое 02 при поглощении в нем флуоресцентного рентгеновского излучения, возбуждаемого по всему объему полупроводника падающим рентгеновским пучком. Полная энергия этой группы электронов Ю/2(2),1823033 Приведенное выражение есть уравнение относительно величины . - длины диф.фузии электронов в полупроводнике.Следовательно, для определения длины 5 диффузии электронов в полупроводнике достаточно измерить угол падения рентгеновского пучка на поверхность полупроводника, при котором отсутствует скачек рентгеновского фотоэффекта д, на 10 одном из краев рентгеновского поглощенияодного иэ...

Номер патента: 1823032

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузии, длины, многокомпонентном, полупроводнике, электронов

...фотоэффекта на одном изкраев рентгеновского поглощения одногоиз элементов, входящих в состав полупроводника и получить значение длины диффузии электронов иэ решения уравнения:Бг =- А(Ек + г)/А(Ек - г),где Ь - величина скачка рентгеновского фотоэффекта, измеренная на крае поглощенияодного из элементов, входящих в состав полупроводника, Е( - энергия края поглощения данного элемента, г - малая величинаэнергии, равная ширине энергетическогоуровнн, соответствующего данному краюпоглощения, Функция А(Е) определяетсявыражением (1).Теоретическое исследование связискачков рентгеновского фотоэффекта с длиной диффузии электронов в полупроводнике проведено авторами впервые и влитературе не описано,Способ реализуют следующим...

Номер патента: 852097

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Афонина, Климин, Майор, Стучинский, Янюшкин, Янюшкина

МПК: H01J 1/32

Метки: вторичных, электронов, эмиттер

...прямого55и непрямого переходов в этом твердомрастворе совпадают, В качестве прямозонного полупроводника может быть выбран, например фосфид индия, арсенид индия, антимонид индия, арсенидгаллия или антимонид галлия. Непрямозонным полупроводником могут быть,например фосфид галлия, фосфид алюминия, арсенид алюминия или антимонид алюминия.Разброс энергией вторичных элек-,тронов в значительной мере связанс выходом в вакуум не только электронов, термализованных в абсолютномминимуме зоны проводимости (например,Г-минимуме в СаАз или Х-минимума вСаР), но и электронов, находящихсяв более высоких минимумах зоны проводимости (например Х-минимуме вСаАз и Г-минимуме в СаР), При этомцентральный т.е. Г-минимум, является наинизшим (абсолютным...

Номер патента: 1080224

Опубликовано: 15.03.1984

Авторы: Болашенкова, Стучинский

МПК: H01J 9/12

Метки: прибора, электровакуумного

...предусматриваетдопустимое увеличение давленияводорода до атмосферного. Времяпрогрева в водороде не является критичный параметром технологическогопроцесса. В реальных условиях минимальное время составляет минуты,так как за меньшее время труднообеспечить установившийся режим прогрева, Увеличение же времени донескольких часов и более ведет кнеоправданному затягиванию процесса изготовления прибора,Кроме прогрева в атмосфере водорода могут быть включены проводимые в различной последовательности известные технологические операции изготовления ОЭС-эмиттеров, втом числе прогревы в вакууме, в парахщелочного металла, различные видыобработки в атмосфере кислорода ит,д. Обработка полупроводника в атмосфере водорода способствует удалению...

Номер патента: 581742

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Афонина, Климин, Сотникова, Стучинский

МПК: H01J 9/12

Метки: электронов, эмиттера

...в объеме фотоэлектронногоприбора 2.При этом способе сложна технология при активировании эмиттера вфотоэлектронном приборе при комнатной температуре,Цель изобретения - упрощениетехнологии,Это достигается тем, что активирование ведут в парах цезия при100-250 С. Это обеспечивает возможность совмещения процессов изготовления эмиттеров электронов на основе алмазоподобных полупроводникови других элементов фотоэлектронногоприбора, в частности фотокатода идинодов, что упрощает технологию 10 прибора.Примером изготовления эмиттераэлектронов может служить изготовление эффективного вторичноэлектронного эмиттера на основе поликристал лического слоя фосфида галлия, используемого в качестве первого динода ФЭУ с сурьмяно-щелочным...

Номер патента: 611263

Опубликовано: 15.06.1978

Авторы: Дунаевская, Масленков, Подоксина, Стучинский

МПК: H01J 39/00

Метки: активировки, вторично-электронных, меди, основе, сплавных, эмиттеров

...эа счет глубокого окислприводит к образомнию на поверхности эмитеров диэлектрических пленок, соэдаюшихнестабильность анодного тока эмиттеров иухудщаюших световую характеристику прибора в целом,Бель изобретения - повышение стабильности анодного токе, улучшение световойхарактеристики и сокращение времени вхождения прибора в режим,Цель достигаетс по предлагаемому способу после в отдельномвакуумном объеме проводят распылениеСоставитель Ю, КутенинРедактор И. Шубина Техред Н. Бабрука Корректор В, Сердюк Заказ 3164/42 Тираж 960 ПодписноеЦНИИПИ. Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская набд, 4/5 филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 щелочного металла, а окисление в...

Номер патента: 474869

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Климин, Стучинский, Шефтель

МПК: H01J 29/10

Метки: мишень, передающей, секон, телевизионной, типа, трубки

...галоге- ично-электронкоиетыйниданой неи галогенив качестве одщей высокий ия м,пшен,и,его усилени твительност этои труб Пмет изобретения ается лектр ия (Сз т изеский СзВг,нноц трубигнальную скцй слой,проводи- целью увеусиления скцй слой вести слой цезия позвокоэффициенты и Секона за гости процесса с присоединением заявки зобретение относится к элприборам.звестна мигпень передающетрубки типа Секон, содедиэлектрический слой,нахлора, обладающего вторпроводимостью.днако коэффкщиент внутренмишени, определяющий чувки, недостаточно высок.редлояенная мишень отлиой тем, что пористый дивыполнен цз галогенида це, Сз 1.-). Применение галогенидов ляет получить более высокие внутреннего усиления в мишен счет более высокой эффектив...

Номер патента: 357624

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Вильдгрубе, Мостовский, Рогельберг, Стучинский, Титова, Шпичинецкий

МПК: H01J 43/10

Метки: вторичноэлектронный, эмиттер

...металлами имеют недостаточно высокий коэффициент вторичной электронной эмиссии.Предлагаемый вторичноэлектронный эмиттер, выполненный из сплава алюминия с литием (0,5 - 4%), окисленного при температуре 400 - 500 С, обеспечивает получение повышенного коэффициента вторичной эмиссии при энергии первичных электронов 50 - 80 эв.Экспериментальной проверкой установлено, что эмиттеры из сплавов алюминий - литий после соответствующей активировки при энергиях 50 - 80 эв имеют коэффициент вторичной эмиссии 3 - 3,5. Для обеспечения таких значений коэффициента вторичной эмиссии содержанне лития в0,5%.Поскольку эную конфигурны из тонкихтовления пластмогут содержаактивированиятивной вторичгреве динодовпературах 400 миттеры (диноды) имеют...

Номер патента: 356717

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Афонина, Воробьева, Климин, Стучинский

МПК: H01J 43/22

Метки: динод, прострелбного, типа

...пр ного типа состоит в том, что они о относительно низкими значениями ко ента вторично-электронной эмиссиистаточно высоких энергиях первичнь тронов (Ер=4 - -5 кэв). На чертеже изображен динод прострго типа предложенной конструкции.Динод содержит мелкоструктурную серасположенную на сетке алюминиевуюку 2, фоточувствительный слой 3.В одном из вариантов эмиттер изговается следующим образом,Слой сурьмы напыляют на тонкую алюми ниевую пленку 2, поддерживаемую мелкоструктурной сеткой 1. Прозрачность алюминиевых подложек составляет примерно 80 - 85%.Слой сурьмы напыляют до потери прозрачкости на 30 - 35%. Обработку слоя в парах 15 щелочных металлов проводят в режимах,обычных для изготовления фотокатодов КСзЬЬ, до получения максимального...

Номер патента: 337843

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Вильдгрубе, Климин, Стучинский, Титова, Шпичинецкий

МПК: H01J 1/32

Метки: 337843

...сплавы, обладающие хорошими литейными качествамп и,поддающийся штамповке. Такие сплавы достаточно жаропрочны и формоустойчивы и обладают высокими вторичноэмиссионными характеристиками, близкими к свойствам сплава алюминий - магний - литий. ете,н дмет и 1. Вторленный и основе ме Изобретение относится к области материалов для радиоэлектроники, в частности кэмиттерам вторичных электронов,Известный эмиттер вторичных электроновдля фотоумножителей, получаемый прогревом 5в окислительной атмосфере сплава на основеалюминия, содержащего в качестве активныхприсадок литий и магний, обладает высокимивторичноэмиссионными свойства. Однако дляизготовления динодов сложной формы, активпруемых прогревами при температурах до600 - 640 С, что требуется...

Номер патента: 314249

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Вильдгрубе, Вители, Климин, Стучинский, Титова, Федорова, Шпичинецкий

МПК: H01J 1/28

Метки: вторйчно-элект1ронный, эмиттер

...ЭМИТТЕР Предмет изобретени Йзобретение относится к электроннь 1 м приборам, а именно, к электронным умножителям,Известны вторично-электронные эмиттерыиз тройного сплава на алюминиевой основе,содержащие в качестве активных элементовщелочной металл (например, литий) и щелочно-земельный металл (например, магний).Известный сплав не обеспечивает сохранения формы эмиттеров вторично-электронныхумножителей при прогреве их до температуры выше 560 С, обязательном в процессе активировки, необходимой для достижения наибольшего коэффициента ухгножения сплава.Предлагаемый эмиттер содержит, кромеуказанных компонентов (0,3 - 5% магния и0,05 - 3% лития), титан в количестве0,5 - 5%. Этот эмиттер выдерживает высокотемпературный прогрев (до 620"С) без...

Номер патента: 308468

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Афонина, Стучинский

МПК: G01R 7/18

Метки: вторичноэлектронный, эмиттер

...Х,1971 621,383:537.533(088.8) орн Совете Министров СССРДа Авторыизобретени Ф. Афонина и Г, Б. Стучински 1" "3 Л НАЯ аявител ЧНОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭМИТТЕР Полученн ным 6 (приДругим п ра являетс видимой об ы в нтом ичи- троости. едмет изобретения в виде тон.и цезий, отвышения конего введен Втор ичноэлектой пленки, содеичаюитийся темффициента вторарий. онныиржащ что, стчной эмиттер " теллур целью п миссии,овы- ввеботкой слоя, спарах цезия. Изобретение отноборам, а именно Р р н умножителям.Известны вторичноэлектронные эмиттер виде теллуроцезиевого слоя с коэффицие вторичноэлектронной эмиссии (квээ) вел ной до 4,5 (при энергии первичных элек нов 100 эв) и 9 - 10 в максимуме зависимДанный вторичноэлектронный эмиттер основе теллуроцезиевого слоя...

Номер патента: 323051

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Мггза, Мостоеский, Стучинский

МПК: H01J 1/32

Метки: вторично-электронный, эмиттер

...по п. 1, отлсссссссоссийссс тем, что поверхностный слой представляет собой систему из окислов двух щсло шых металлов.3. Втс)рично-эсестроннь 11 эмиттер по п. 1, ОТЛи)ССССОСССССйСЯ тСМ, Чтв ПОВЕРХНОСтиЫЙ СЛОЙ представляет собой систему из окислов щелочного и щелочно. земельного металлов,Изобретение может быть использовано при изготовлсшш элсктровакуумных приборов.Известны вторично-электронные эмиттсры с активным поверхност)ы:)1 слоем из окисла щелочного или щелочноземельного металла. 5Предлагаемый эмиттер отличается тем, что с)КТИВНЫЙ НОВСРХНОСТНЫЙ СЛОЙ НРСДСТДВЛ 51 СТ собой полностью окисленную систему из окислов не мснсс двух металлов из грушы, включающей щслочиые и щелочно. земельные ме. 10 таллы. Это увеличивает коэффициент...

Номер патента: 273840

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Рахметулов, Стучинский

МПК: H01J 31/26

Метки: медленных, передающая, пучком, разверткой, телевизионная, трубка, электронов

...основного не- проводящего высокопористого слоя, осуществляемым путем,пыления основного материала (КС 1, Сз 1 и,прочие) в той же газовой атмосфере. Тонкие пленки таких сурьмяно-щелочных соединений на поверхности зерен основного высокопаристого,непроходящего слоя могут быть получены при обработке в парах щелочных металлов пленок сурьмы, напыленных ,в вакууме на,зерна заранее сформированного основного слоя, Процессы напыления мате,риала основного слоя и фотоэмиссионного материала могут многократно чередоваться с целью получения прослоек из зерен фоточувствительного материала внутри ооновного высокопористого непроводящего слоя.Принцип действия предложенной трубки ,предусматривает зарядку поверхности мишсни до отрицательного потенциала...

Номер патента: 268554

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Вильдгрубе, Мостовский, Стучинский, Шпичинецкий

МПК: H01J 1/32

Метки: 1«otek, техническая, яагкктно

...содержания активных элементов определяется возможностью изготовления цз спла 10 вов динодов путем деформировация илц обработки резанием. Он состазляет для мапшя ц лития 5 - 10%. изобретения д м Вторично-элект сплава, содержа талл, например что, с целью повь 20 ной эмиссии, осн бой один цз след серебро илп золо ноземельного мет талл, например ло ма то,аллтий Изобретение относится к электронцои технике.Известны вторично-электронные эмиттеры из тройных сплавов, содержащих щелочно-земсльцый металл, например магний,Предлагаемый эмиттер отличается от этих известных эмиттеров тем, что сплав содержит один из металлов: алюминий, серебро или золото, в который, кроме магния, введен щелочной металл, например литий в (количестве 0,01 - 10%)....