Полупроводниковый модуль

Номер патента: 1820962

Авторы: Бернат, Богомяков, Горохов, Дученко, Якунин

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК НТНОЕ ГОСУДАР СТ ВЕ ННОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ИЯ ОПИ ПАТЕН ческий инсти ученко, Н.Н,Бернат, унинотехнический инстиаегех (ОЯА), 1989,3654527, кл, 357-76,4067041, кл. 357 - 80,КОВЫЙ МОДУЛЬ я является повышея путем увеличения ванием и коллекто(21) 5018355 07(56) Каталог фирмы Ро(54) ПОЛУПРОВОДНИ Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к выпрямительным блокам, и может быть использовано в качестве вторичных источников питания в различных преобразовательных устройствах.Целью изобретениние надежности модулрасстояния между осно р ным выводом.На фиг.1- изобракен предлагаемыймодуль, разрез; на фиг.2 - то же, вид сверку.Модуль содеркит полупроводниковые структуры 1 (транзисторные и диодные элементы, соединенные в определенной последовательности), которые расположены на монтажной площадке 2 выводной рамки.Монтажная площадка изолирована от мед-, ного основания 3 керамической подложкой 4, имеющей металлизацию, По меньшей мере один из выводов 5 рамки (коллекторный вывод) выполнен с изгибом, который начинается от края монтажной площадки и за, Ы 1820962 АЗ(57) Область использования: в выпрямительных блоках в качестве вторичных источников питания в . различных преобразовательных устройствах. За счет того, что, по меньшей мере, один из выводов выводной рамки, на монтажной площадке которой расположены полупроводниковые структуры, выполнен с изгибом, геометрические камеры которого выбирают из соотношения - = 0,62-0,8, где а - высота, Ь -аширина изгиба, увеличивается расстояние между основанием и коллекторным выводом. Это позволяет повысить надежность модуля. 2 ил. канчивается не доходя до торцевой поверхности корпуса 6, что определено его геометрическими размерами; а - высотой изгиба, относительно нижней плоскости монтажной площадки 2 и Ь - шириной изгиба,В конкретном случае размеры изгиба лежат в пределах: а = 1 - 1,2 мм, Ь = 1,5 - 1,6а мм,.что соответствует отношению - = 0,62 - -0,8 и не выходит за его пределы. Увеличение размеров изгиба приводит к тому, что неоправданно возрастает расход материала, Изгиб выходит за пределы стандэртного корпуса, а это ведет к увеличению размера корпуса, и, следовательно, теряется возможность взаимозаменяемости приборов. Уменьшение размеров ведет к снижению электрических параметров по пробою, которые регламентированы, и, соответственно, к снижению надежности. Использование стандартного оборудования в свою очередь требует точной установки в одной плоскости верхней плоскости основания 3 и верхнейбручар к Подписноезобретениям и открытияРаушская наб., 4/5 и ГКНТ СС атент", г, У ород, ул,Гагарина, 1 енно-издательскии комбин оиз плоскости выводов 5, что тоже является определяющим при выборе размеров изгиба. Поперечное сечение изгиба может иметь любую форму (прямоугольную., трапецеидальную), однако, изгиб, приведеннцй в примере, определяется наибольшей технологичностью его изготовления. При работе прибора на вход модуля подают сигнал, а выходной сигнал снимают с коллекторной цепи. Модуль работает как обычный транзистор, лишь с тем различием, что он имеет защитный диод:Предлагаемая конструкция увеличивает надежность, модуляи позволяет наладить аказ 2043 Тираж ВНИИПИ Государственного комитета и 113035, Москва, Ж серийное производство практически без его переоснащения.Формула изобретения Полупроводниковый модуль, содержа- Б щий полупроводниковые структуры с выводами, расположенные на монтажной площадке выводной рамки, изолированной от основания, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что по меньшей мере один из выводов рамки 10 выполнен с изгибом, при этом высота изгиба "а" относительно нижней плоскости монтажной площадки выводной рамки и его ширина "Ь" выбраны из соотношения0;62 - 0,8.а

Смотреть

Заявка

5018355, 26.12.1991

ВСЕСОЮЗНЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. И. ЛЕНИНА

ГОРОХОВ ЛЮДВИГ ВАСИЛЬЕВИЧ, ДУЧЕНКО ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, БЕРНАТ НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ, БОГОМЯКОВ АНАТОЛИЙ АНАТОЛЬЕВИЧ, ЯКУНИН ВЛАДИМИР МИХАЙЛОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01L 23/14, H01L 25/03

Метки: модуль, полупроводниковый

Опубликовано: 07.06.1993

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1820962-poluprovodnikovyjj-modul.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый модуль</a>

Похожие патенты