Патенты с меткой «моп-транзистора»

Номер патента: 1824656

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Борисов, Венков

МПК: H01L 21/335

Метки: моп-транзистора

...формируют охранную область 2. Для этого формируется маскирующая область 6 и проводится имплантация ионами легирующей примеси. например, бора с энергией Е = 40 кэВ и дозой д = 10 мкКл/см. После имплантации удаляется слой 6 и проводится термообработка при температуре 1000 С в течение 120 мин в инертной среде для активации примеси и рвзгонки примеси имплантируемой примеси на глубину 1 мкм,Полевой оксид кремния формируется толщиной 0,8-1,0 мкм термообработкой поверхности кремниевой подложки в окисляющей среде при температуре 950 С в течение 30 мин и давлении 15 атм (фиг,3), Удаляется диэлектрическая маска 5, затем наносят слой поликремния толщиной 0,3 мкм. При этом на поверхности полевого окисла толщиной поликремния равна 0,3 мкм....