Способ изготовления моп-транзистора

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ18246 РЕСПУБЛИК 19) 121/33 ГОСУДАРСТВЕННО ВЕДОМСТВО ССС (ГОСПАТЕНТ ССС АТЕНТНОЕ Ои)ЗИАД ЕТЕН САНИ ельский институт исовВ,В. Технология дниковых прибохем. М.: Высшая, М Мир, 198 Я МОП-ТРАНкроэлек"роникОП-транзистора 9, 10, контакт кединения 12.оба более покую сущностьующих операстоко ций.Нв поверхнос1, например из ксти КДБ - 10, поформируется под2 термообработкщей и инертной1 ОООС в течение ется слой о На поверхн кремния 4 наносится силэна при 40 пА и тем К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Курносов А.И., Юдинпроизводства полупроворов для интегральных сшкола, 1986. с.357-358.Зи С. Технология СБИт.2, с.209-211.(57) Использование; миспособ изготовления М Изобретение относится к области микэлектроники и может быть использовано производстве интегральных схем с высой плотностью упаковки. Целью изобретения является увеличениеточности воспроизведения размера поликремниевого затвора и снижение толщиныполикремниевой разводки,Предлагаемый способ изготовленияМОП транзистора иллюстрируется фиг.1-7,на которых приведены сечения структуры наразличных этапах изготовления и введеныследующие обозначения,Кремниевая подложка 1, охранная область 2, слой подзатворного окисла 3, слойполикремния 4. область диэлектрическоймаски 5, фоторезистивный маскирующийслой 6, слой полевого окисла 7. затвор 8,производстве интегральных схем. Сущность изобретения: перед формированием диэлектрической маски формируют подзатворный окисел и наносят слой поликремния толщиной Ь 1, после формирования диэлектрической маски проводят травление слоя поликремния толщиной Ь 1 до подзатворного окисла, формируют охранную область и полевой окисел, затем удаляют диэлектрическую маску и формируют слой поликремния толщиной Н нанесением слоя поликремния толщиной п 2, где п 2 - Н - и 1, после чего формируют из поликремния затвор и разводку, Способ позволяет увеличить точность воспроизведения размера поликремниевого затвора и снизить толщину поликремниевой разводки. 7 ил. вая, истоковая области подложке 11, межсхемные соПример реализации спо лно раскрывающий техниче предложения состоит из сле ти кремниевой подложки емния р-типа проводимоле химической обработки атворный окисел кремния й подложки 1 в окисляюсредах при температуре 60 мин. При этом формиру ксида кремния толщинои 500 А ость слоя 2 наносится слой поли- толщиной 0.3 мкм, Поликремний методом из газовой базы моно- пониженном давлелии равном пературе 620 С.На поверхности слоя поликремния формируется маскирующий слой диэлектрика, состоящий из оксида кремния толщиной 0,05 мкм и нитрида кремния толщиной 0,1 мкм. Из этого слоя формируются области 5 в местах расположения активных областей МОП-транзистора (фиг.1). Для этого методом фотолитографии формируются области фоторезистивного маскирующего слоя и проводится травление диэлектрической маски 5. После травления маскирующего слоя 5 проводят травление слоя поликремния до подэатворного окисла, затем формируют охранную область 2. Для этого формируется маскирующая область 6 и проводится имплантация ионами легирующей примеси. например, бора с энергией Е = 40 кэВ и дозой д = 10 мкКл/см. После имплантации удаляется слой 6 и проводится термообработка при температуре 1000 С в течение 120 мин в инертной среде для активации примеси и рвзгонки примеси имплантируемой примеси на глубину 1 мкм,Полевой оксид кремния формируется толщиной 0,8-1,0 мкм термообработкой поверхности кремниевой подложки в окисляющей среде при температуре 950 С в течение 30 мин и давлении 15 атм (фиг,3), Удаляется диэлектрическая маска 5, затем наносят слой поликремния толщиной 0,3 мкм. При этом на поверхности полевого окисла толщиной поликремния равна 0,3 мкм. Методами фотолитографии и травлениями формируется поликремниевый затвор 8 транзистора толщиной 0,6 мкм. Затем формируются области истока и стока, Для этого формируют маску из фоторезиста 6 и прово.дят имплантацию ионов легирующей примеси, например фосфора с энергией Е = 80 кэВ и дозой д 200 мкКл/см . Последующая термообработка приводит к активации имплантируемой примеси в области стока, истока и затвора. Термообработка происходит в окисляющей атмосфере при температуре 950 С до достижения поверхностного сопротивления стока и истока 50 Ом/О, при этом на поверхности кремниевой подложки формируется оксид кремния толщиной 0,2- 0,3 мкм, Операциями фотолитографии и ионного легирования бором энергией Е - 60 кэВ и дозой д - 200 мкКл/см формируется контакт к подложке (11). Последующая термообработка при температуре 950 С обес-печивает активацию примеси с поверхностисопротивлением 60 Ом/а,5 Заключительным этапом изготовлениятранзистора является формирование межсхемных соединений. Для этого вскрываются контактные окна к активным областям структуры МОП-транзистора и формируют ся металлизированные соединения иэ алюминия или его сплавов с кремнием.Так как толщина поликремния в местахпересечений металлизации с поликремниевой разводкой уменьшена до 0,3 мкм по 15 сравнению с прототипом, то это снизит вероятность разрыва металлизированных соединений, что в конечном итоге вместе с таким фактором как защита области канала МОП-транзистора при технологических опе 20рациях слоем поликремния приведет к повышению надежности изготовления.Этот способ найдет широкое применение в технологии изготовления ИС,25 Формула изобретенияСпособ изготовления МОП-транзисторав кремниевой подложке, включающий формирование диэлектрической маски над местом активных областей транзистора,30 формирование охранной области и полевого окисла, удаление диэлектрической маски,формирование подзатворного окисла, слояполикремния толщиной Н, затвора и разводки из поликремния, областей стока и ис 35 тока, изоляции и металлизации, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью увеличения точности воспроизведения размера поликремниевого затвора и снижения толщиныполикремниевой разводки, перед формиро 40 ванием диэлектрической маски формируютподзатворный окисел и наносят слой поликремния толщиной Ь 1, где Ь 1 Н, после формирования диэлектрической маскипроводят травление слоя поликремния тол 45 щиной Ь 1 до подзатворного окисла, формируют охранную область и полевой окисел,затем удаляют диэлектрическую маску иформируют слой полкремния толщиной Ннанесением поликремния толщиной Ь 2, где50 Ь 2 = Н-п, после чего формируют из поликремния затвор и разводку, 1824656)Ю ОГ. 7 остэвитель Б, Венковехред М.Моргентал Корректор Е. П лэкова едактор эказ 2227 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям и 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 ТСС роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10