Первеев

Номер патента: 1670180

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Первеев

МПК: F04C 3/00, F04C 9/00

Метки: роторная

...11 равна наружному размеру втулки 14. меньшая сторона паза 15- сторона квадрата, диагональ которого равна диаметру оси 13 поршня 7, Паэ 15 в крышке 4 ориентирован своей большей стороной вдоль оси симметрии впускного и выпускного окон 19 и 20 соответствующей крышки 4 или 5, а на рото 55 нием рабочих камер, и впускные ивыпускные окна, при этом в одной из торцовых крышек выполнен паз, в котором с возможностью углового перемещения установлен хвостовик поворотной оси поршня, и уплотнительные элементы, о т л и -1015203035 40 45 50 ре 16 и поршне 7 установлены уплотнительные элементы 25, Хвостовик 10 оси 9 поршня 7 может быть закреплен в торцовой крышке 4 под углом у, соответствующим максимальному угловому смещению его в пазу 15 торцовой...

Номер патента: 1650221

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Глазунова, Никифорова, Первеев, Стыценко, Чижик

МПК: B01D 3/32, B01D 53/18

Метки: колонна, тепломассообменная

...7; из которых переливается на поверхность нижерасположенного слоя насадки 3. Из нижнего слоя насадки 3 через сборные желоба 6 жидкость перетекает в коллекторный желоб 12, из которого по переливным трубам через штуцер 15 выводится из корпуса 1 колонны. Поток пара (газа) через штуцер 16 и вспомогательные узлы 12 и 10 нижней проставки 2 движется по каналам насадки 3, обмениваясь массой и теплом со стекающей жидкостью. Иэ нижнего слоя насадки 3 пар проходит через вспомогательные узлы 7, 10 и 12 промежуточных и верхней проставок 2, слои насадок 3 и 4 (сепарационной насадки) и через штуцер 17 выводится из корпуса 1 колонны, Отсепарированная в слое насадки 4 жидкость по перераспределительным элементам 5 стекает в распределитель 7 и подается на...

Номер патента: 1629930

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Вишневская, Лысенко, Первеев

МПК: H01L 21/467

Метки: дифракционной, решетки

...ввода-вывода излучения идифракционных решеток.Целью изобретения является повышение качества решетки путем увеличения отношения глубины штриха к перду этой решетки,Для изготовления дифракционнойрешетки на поверхности образца из арсенида галлия методом фотолитографиипредварительно Формируют защитнуюмаску из двуокиси алюминия, послеэтого образец подвергают ионнохимическому травлению в газовой смеси,изготовления ицтегрально-оптич эл емецтов ввода-вывода и злуч ец дифракционцых решеток. Цель из ция - повышение качества решет состоящей из 95+0,5 об,Е ксеноца и5+0,5 об,Е паров воды при энергииионов 1-1,5 кэВ и плотности ионноготока 1-2 мА/см . Использование водородсодержащей газовой смеси приводитк образованию легколетучих гидридовмышьяка,...

Номер патента: 1603505

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Кравченко, Первеев, Потапов

МПК: H02M 7/12

Метки: переменного, постоянное, управляемый

...накапливает заряд, пропорциональный току нагрузки.При поступлении на базу транзистора 4 с вйхода узла 20 импульса отрицательной полярности, а на базу тран- . зистора 15 с выхода узла 21 - импульса положительной полярности транзисторы 4 и 15 закрываются, а ток нагрузки в течение некоторого времени будет 5.,1 6035 ды 32 и 35, принадлежащие цепи коллектор - база транзисторов 26 и 27 узлов 20 и 21, объединены между собой и подключены к первому выходу широт но-импульсного модулятора 6.Преобразователь работает следующим образом.При запуске широтно-импульсного модулятора 6 на его первом выходе формируется последовательность импульсов, длительность которых пропорциональна уровню напряжения на входе управления. На втором (инверсном) выходе...

Номер патента: 1409275

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Ларин, Первеев

МПК: A61K 35/14, A61M 1/36

Метки: лечения, псориаза

...и В. И. Нерве (53) 616.517 (088.8) (56) Базыка Л. П. Вестник дер и венерологии, 984, Мо 10, с. 50. (54) СПОСОБ ЛЕЧЕНИЯ ПСОР (57) Изобретение относится к касается дерматологии. Цель изоб лечения за счет максиия числа процедур плазнение осложнений, свячужеродного белка при плазмафереза. Для этоым способом производят мл крови, тут же вводят люкина. Из пробы отдерменные элементы крови огическом р.ре и вводят409275 Составитель.1, СтоляроваРедактор М, 1 игкина Текред И. Верее Корректор Н. КорольЗаказ 34157 Тираж 655 ПодписноеВНИИПИ Госдарственннго комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж 35, Раъшская наб., д, 4/5Производственно. полиграфическое предприятие, г Ужгород, ул. Г 1 роектная, 4 Рецидива нет. Больной представлен...

Номер патента: 1377252

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Вишневская, Дмитриев, Первеев

МПК: C03C 23/00

Метки: асферической, поверхности

...ее воздействию на проходящую световую волну, произвольной формы, работающую в монохроматическом свете, можно адекватно заменить ее киноформом, т.е. ступенчатой структурой, которая обеспечивает скачкообразное изменение фазы проходящей волны на 2 п при переходе между зонами, и непрерывное изменение фазы в пределах каждой зоны, определяемое изменением оптической толщины материала киноформа,Однако киноформ представляет собой структуру высокой частоты и ее изготовление представляет сложную технологическую задачу (ширина зон киноформа может составлять величину в несколько мкм, на которой необходимо сформировать непрерывный профиль заданной формы).С учетом этого способ получения асферических поверхностей путем изготовления структуры,...

Номер патента: 1149161

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Первеев, Потапов, Смотров, Шанявский

МПК: G01N 30/34

Метки: градиента, жидкостном, формирования, хроматографе, элюирования

...с градиентомконцентрации, показанным на фиг.2,Устройство для формирования градиента элюирования содержит сосуд 1с растворителем, сообщающийся с сосудом 2, содержащим разбавитель.Сосуд 2 связан через насос 3 с колонкой хроматографа (не показана) иснабжен мешалкой ч. Сосуд 1 содержит вертикальный осевой стержень 5,на который по всей оси сосуда 1 уложены съемные диски 6 переменногодиаметра. Устройство для формирования градиента элюирования работает следующим образом,Скорости жидкостей, втекающих ивытекающих из сосуда 2, легко контролировать путем выбора соотносящихсямежду собой площадей поперечного сечения сосудов 1 и 2, занимаемыхрастворителем и разбавителем, поскольку уровни жидкостей в них понижаются равномерно. Предлагаемым...

Номер патента: 1148582

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Башмаков, Первеев, Петунин, Потапов, Шанявский, Шелаев

МПК: A01C 7/04

Метки: аппарат, высевающий, пневматический

...семян выполнена уменьшающейся в направлении к выходному концу.На фиг. 1 изображен пневматический высевающий аппарат в аксонометрии; на фиг. 2 - то же, вид сбоку; на фиг. 3 - пневматический высевающий аппарат в раз- . резе, вид сбоку; на фиг. 4 - разрез А-А на фиг. 3; на фиг, 5 - разрез Б-Б на фиг. 3; на фиг, 6 и 7 - процесс транспортирования семян по каналу соответственно при сообщении к источнику избыточного давления сначала нечетной части, а затем четной части отверстий дна канала; на фиг, 8 - зависимоеть частоты подключений отверстий дна канала транспортировки семян к источнику вакуума и избыточного давления воздуха от скорости движения сеялки; на фиг. 9 - зависимость частоты подключения отверстий дна канала к источнику...

Номер патента: 1004286

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Голубева, Муранова, Первеев, Степуро

МПК: C03C 17/30

Метки: асферических, поверхностей

...имеющие слабую связьсо слоем, т. е. удаляются атомы,сконденсированные в направленияхкристаллизации с малой энергиейсвязи и с менее плотной упаковкой,Обработанный ионной полировкойна глубину 0,2-0;3 мкм слой характеризуется высокими значениями энергии связи зародышей и последующеенанесение пленки сопровождаетсяуменьшением свободной энергии образования.Таким образом, ионная полировкавызывает увеличение и активизациюцентров кристаллиэации, вследствиечего конденсированная пленка обнаруживает плотную мелкодисперснуюструктуру при хорошей адгезии к подложке.Выборслоя в диапазоне 1-2 мкмопределяется градиентом асферичности, т. е. изменением величины асферичности на 1 мм дуги осевого сечения. Если асферичность детали меньше 1 10 ф то толщина...

Номер патента: 1002263

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Вишневская, Первеев

МПК: C03C 23/00

Метки: оптических, поверхности, формообразования

...ионов в 1-2 кэВ и плотности ионного тока 0,5-4. ма/см через маску из углеродистой стали, обработку ведут ионами рабочего газа, дополнительно содержащего ксенон при следующем соотношении ингредиентов, мас.4Тетрафторид углерода 78-82 Ксенон 18-22 При добавлении к тетрафториду углерода молекул ксенона происходит уменьшение концентрации химически ак тивных частиц плазмы (Фтора), а сост ветственно и плотности переосажденПри содержании ксенона в смеси менее 183 полного удаления переосажденного слоя из нелетучих продуктов взаимодействия с поверхности детали не происходит, что характеризуется повышенным светорассеянием.Смесь, содержащая 20 ксенона и 803 тетрафторида углерода, является оптимальной, так как позволяет сохра нить оптическое...

Номер патента: 947113

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Вишневская, Первеев, Черезова

МПК: C03C 23/00

Метки: оптических, поверхностей, формообразования

...комбинации рабочий газ-материал маски-материал детали (марка,оптического стекла),Цель изобретения - повышение произво-.дительности формообразования деталей избезщелочного стекла (т.е. увеличение скорости обработки оптических стекол с сохранением оптического качества обрабатываемых поверхностей),Поставленная цель достигается темчто в способе формообразования, включающем обработку пучком ионов через маску, обработку осуществляют пучком ионов тетрафторида углерода с энергией ионов 1,5 кэВ при плотности ионного тока0,5-4 мА/см через маску из углеродистой стали.Способ осуществляется следующим образом.Деталь для асферизации из стекла марки СТК или другого безщелочного стеклапомещают в рабочую камеру и обрабатывают пучком ионов тетрафторида...

Номер патента: 738200

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Аширов, Наумчук, Первеев, Трестман

МПК: H05B 41/392

Метки: газоразрядной, лампы, потоком, световым

...транзистора 9 с переменным резистором 10, разделительногоконденсатора 11, резистора 12, генераторанапряжения 13 и ключа 14.Рассмотрим работу схемы сначала врежиме стабилизации светового потока, азатем в режиме модуляции. 55В режиме стабилизации после зажигания лампы переменным резистором 10 " = усмановййвают ток смещения регулйрующего транзистора таким, чтобы гбк-через 0 флампу был меньше максимального на величину, достаточную для обработки нестабильностей, обусловле 1 пых пульсациями напряжения выпрямителя и процессами горения газового разряда в лампе, Так как газовая лампа является стабилизатором напряжения, то фотодиод 6, включенный последовательно с нагрузочным резистором, оказывается запитанным стабилизированным...

Номер патента: 652741

Опубликовано: 15.03.1979

Авторы: Аширов, Первеев, Трестман

МПК: H05B 41/39

Метки: газоразрядных, ламп, потока, светового, стабилизации

...па ферритовом кольце, вместе с шунтирующим конденсатором имеет гораздо меньшие габариты и вес, чем переменный резистор, и таким образом достигается снижение общих габаритов и веса устройства. Формула изобретения Устройство для стабилизации светового потока газоразрядных ламп, питаемых через выпрямитель и зажигаемых от высоковольтного источника повышенной частоты, содержащее регулирующий элемент на параллельно соединенных мощных транзисторах, один из силовых электродов которых подсоединен к одному из пол 1 осов выпрямителя, а другой подключен к клемме для подсоединения газоразрядной лампы, фотоэлемент, реагирующий на световой поток лампы, подключенный через усилитель к базам транзисторов, блок за 1 циты и блок поджига, один конец...

Номер патента: 614050

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Захарова, Орданьян, Первеев, Травникова, Фролова

МПК: C03C 17/30

Метки: покрытие, светопоглощающее

...Далее смесь сушат и спекают при температуре .000-1400 С в вакууме не ниже 5-10 мм рт,ст. или в среде инертного газа при атмосферном давлении.Двуокись кремния в виде кусочков плавленного кварца испаряют в режиме614050 формула изобретения Составитель И. Черн явскаяРедактор А.Мурадян Техред Н.Андрейчук Корректор С.Гауасиня акаэ 361.1/20 ЦИНИПИ Го ираж 596омитета Сове бретений и о 35, Раушская ПодписноеМинистров СССРрытийб.:, д. 4/5 сударственногопо делам иэо 13035, Москва, ЖЮ л ППН Патентф ужгород ул. Проектная, 4 или дЧ 4.кВт; 1 100-150 ггг А. Из порошков бкО н Ег.Опрессуют таблетки при давлении 150 ат/см , При испарении бгг 02 .мощность испарителя, составляеткВт (Г 5 кВг 1 20 ггг А). При испарении ЪО 2 мощность испарителя 0,7 кВт (...

Номер патента: 528529

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Первеев, Родичев

МПК: G02B 5/28

Метки: интерференционное, переменное, фильтрующее

...па псе равпомерпьгмп по толщине слоями 1 не показано), размещсн в кювете 2, имегощпй два окна 3 и 4 прозрачными для всего диапазона рабочих длин волн. Кювета 2 заполнена гомогенной иммерсионной жидкостью 5 с показателем преломления гг, равным для диапазона рабо. Ковринаодурушина оставителТехред Е Корректор Л. Орлова ифиц акто Заказ 218 Изд. Ъв 1632 Тираж 654 ИИПИ Государственного комитета Совета Минист по делам изобретений и открытий 113035, Москва, К, Раушская наб д, 45ПодписСССР ипограф Сапунова,чих длин волн показателю преломления пп прозрачной подложки интер ференцион ного фильтра 1. Ось вращения 6 фильтра 1 перпендикулярна оптической оси устройства. Перед кюветой 2 расположен поляризатор 7, плоскость поляризации которого...

Номер патента: 492516

Опубликовано: 25.11.1975

Автор: Первеев

МПК: C07D 5/42

Метки: 3-дифенилбензофурана, производных

...продуктов подтверждено методами ИК и ЯМР спектроскопии.П р и м е р 1. Получение,2,3-дифенилб-метоксибензофурана.Ь трехгорлой колбе, снавженнсй мешаа-фкой, термометром и капельйой воронкой, ксмеси 21,6 г (0,2 моля) внизола и 6,28г (0,035 моля) комплекса ВГ Н РО, щ3 3 4нагретой до 100 С, прибавляют в течение1 часа раствор 10,5 г (0,05 моля) бенэила в 21,6 г (0,2 моля) вниэола, Затемсмесь дополнительно перемешивают 5 час,разбавляют водой и отгоняют с паром непроревгировввщий анизол (или экстрагируютдиэтиловым эфиром, отгоняют растворительи в, вакууме- непроревгировавший аниэол).Получают продукт в виде вязкой массы,кристаллиэующейся при стоянии. После перек- Зфристаллизации получают 14,9 г (99% оттеории) 2,3-дифенил-б-метоксибензофурана в...

Номер патента: 434082

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Кошмнна, Первеев

МПК: C07D 213/74

Метки: аминопиридинов, арилзамещенных

...(1).10 г 4-диметиламино-метил-фенил,3 бутадиенкарбонитрила нагревают в 70%-ном водном диоксане в ампуле при 100 С в течение 100 час. Продукт циклизации экстрагируют эфиром, сушат сульфатом магния и разгоняют в вакууме. Т. кип. 140 - 142 С (2 мм рт. ст.); п о 1,6210; д 4 1,0600; выход 70%.25 Найдено, %: С 79,10; Н ,60; Х 13,10;МК 70,50.Вычислено, %: С 79,24; Н 7,55; Х 13,20;МК 66,73.Пример 230 цилпиридин (1,й СННг Составитель С. Дашкевич Техред Н, Куклина Корректоры: В. Петрова и Е. Давыдкина Редактор К. Вейсбейн Заказ 3323/19 Изд,1765 Тираж 506 Подписное ЦНИИП 1 Л Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, К, Раушская наб., д. 45Типография, пр. Сапунова, 2 10 г...

Номер патента: 393718

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Муранова, Первеев

МПК: G02B 5/28

Метки: интерференционный, фильтр

...прослоек же невозможно получить слои ХпТе, толщиной более 1,5 мкм, Использование прослоек в фильтре позволяет уменьшить размер кристаллов, образующих тонкослойное покрытие, уменьшить его рассеяние, улучшить адгезию покрытия к подложке. Известны интерференционные фильтры, изготовленные путем нанесения вакуумным испарением на подложку чередующихся слоев с высоким и низким показателем преломления. 10Однако такие интерференционные фильтры не могут быть использованы для спектральной области дальше 20 мкм, во-первых, потому, что выбор веществ, прозрачных в этой области, ограничен, во-вторых, в интерферен ционных светофильтрах слои относительно большой толщины кристаллизуются с образованием крупных кристаллов, что приводит к сильному...

Номер патента: 255240

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Завгородний, Киевский, Первеев

МПК: C07C 45/67, C07C 49/84

Метки: 2-ди(г-алкоксифенил)-3-бутанонов

...алкилфениловые эфира и а-дике- тоны.Способ заключается в том, что алкилфениловые эфиры, например анизол, фенегол, подвергают взаимодействию с а-дикетонами, например диацетилом, в присутствии катализатора ВзНзР 04 предпочтительно в молярном соотношении 8: 1: 0,5.,П р и м е р 1, Получение 2,2-ди(а-метоксифенил) -3-бутанона. К интенсивно перемешиваемой смеси 21,6 г (0,2 моль) анизола и 4,5 г (0,025 люль),комплекса ВзНзРО, при40 С в течение 1 час прибавляют смесь 21,6 г(0,2 моль) анизола и 4,3 г (0,05 моль) диацстила. Затем смесь дополнительно перемеши 5 вают в течение 10 час.Получают 10,3 г (72 % теорехода) 2,2-ди(п-.метокспфенил)т. пл.1 С (из метанола).Найдено, %: С 76,52; Н 7,26.10 С 1 зН 2 оОз.Вычислено, %: С 76,2; Н 7,05.П р и м е р...

Номер патента: 254304

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Белышкин, Первеев

МПК: C23C 14/06, C23C 14/36

Метки: пленок, тонких

...из набора пластинок распыляемьп веществ.К недостаткам этого способа относятся неоднородность имического состава пленок, трудность регулирования состава, а также сложность изготовления мозаичного катода,Предложенный способ позволяет получать пленки, однородные по химическому составу, и легко регулировать ик состав, Он отличается тем, что в качестве многокомпонентного катода используют порошкообразную смесь распыляемых веществ.Способ состоит в том, что тонкие пленки получают путем катодного распыления с использованием в качестве многокомпонентного катода порошкообразной смеси распыляемык веществ. Для изготовления пленок ц рошки распыляемык веществ смешивают в необходимойконцентрации ц полученную смесь насыпаюттонким слоем (2 - 5 лж) на...

Номер патента: 237140

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Иргал, Первеев, Шильникова

МПК: C07C 209/22, C07C 211/25, C07C 211/40 ...

Метки: ряда, соединений, циклопентадиенового

...с т. кип. 108 - 109"С при 1 лглг рт. ст, и выходом 20,; с 4 0,9552; г 1 о 1,5470.10,50 6,72.- С;Нт или о диалкил подвергают я - окисью еловые проами, выход Яе - алкилы, напримерзаключающийся в том, ч апример дибутиламины,йствию с диацетиленовойевании до 70 - 75 С. Цгделяют изве:тными метоет 20 - 25/с. где й,= амины, взаимоде при нагр дукты вьссставля Й с Получение соед диенового ря ой боковой цеп г л е н о в а я сс-окись н-ил) -пентин - 3. горлой колбе с обрат мешалкой. К 22 г ди ина 1-хлор) -2-(пропп растворенного в 100 ненигаю,1,2 акцию ным хоацетизе н-ил) ттгг трЕтНайдено, с/с: С 82,32; НВычислено, о/о: С 82,65; 0,41; г Пример 1. циклопента н ен асы щен н Л, Диацет Эпокси- (и ропг проводят в тре лодильником и нового хлоргидр...

Номер патента: 234821

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Первеев, Суетин

МПК: C23C 14/26

Метки: 234821

...локи 5, можно менять величину мпк вещества. под и п ропо Устроист ме, содерж тель, отлич ленной под паритель, п ной трубки стием, чере крепленнаянитом. о дл щее аюи(е ачи в ттате окан кото наб с присоединением заявкиИзобретение относиия покрытий в вакууме.Известно устройство для испарения веществ в вакууме, содержащее питатель и объемный испаритель.Предложенное устройство отличается от известного тем, что питатель выполнен в виде удлиненной трубки, оканчивающейся конусом с отверстием, через которую протянута проволока, закрепленная на бойке, связанном с элект ромагнитом.Данное устройство обеспечивает направленную подачу веществ микропорциями в испарптель.На чертеже схематически изображено описываемое устройство в общем виде.Устройство...