Устройство для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СООЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Резнико 3873,432,КОНТРОЛЯ ЗАРЯДОУПРОВОДНИКОВЫХ 8 опорного т напряжение де так, чтобы 11 обеспечиваностная плот" величину заают по вели ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМд ПРИ П 1 НТ СССР(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯВОЙ СТАБИЛЬНОСТИ ПОЛСТРУКТУР(57) Изобретение относится к полупроводниковой технике и может бытьиспользовано для контроля зарядовойстабильности полупроводниковых структур. Цепь изобретения " повыщениеточности контроля. Устройство содержит коронирующий электрод, зонды дляконтакта со структурбй, основание Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в технологии изготовленияполупроводниковых приборов.Цель изобретения - повыщение точности контроля..На чертеже показана функциональ-ная схема устройства для контролязарядовой стабильности полупроводниковых структур,Устройство содержит коронирующий .электрод 1, зонды 2 для контроляструктур, основание 3 для пластин,измеритель 4 электрических парамет-.ров, переключатель 5, токосъемный(51) 5 Н 01 1 21 бб для пластины, измеритель электрических параметров, переключатель, то-,косъемный резистор, элемент памяти,источник опорного напряжения, регул:рующий элемент, генератор постоянного высокого напряжения С помощьюисточника опорного напряжения на коронирующем электроде напряжение устанавливается таким, чтобы обеспечивалась необходимая плотность заряда.При этом величину заряда на пластине оценивают по величине падениянапряжения на токосъсмном резисторе,затем по сигналу "измерение", подаваемому с управляющего выхода измерителя электрических параметров науправляющие входы переключателя иэлемента памяти, основание соединяет.ся с входом измерителя электрическихпараметров, а элемент памяти запоминает величину напряжения на токосъемном резисторе, 1 ил,резистор б, элемент 7 памяти, источник 8 опорного напряжения, регулирующий элемент 9, генератор 10 постоянного высокого напряжения. Измеряемая пластина обозначена позици" ей 11. Устройство работает следуюобразом.С помощью источниканапряжения устанавливаюна коронирующем. электрона измеряемой пластинелась необходимая поверхность заряда. При этомряда,на пластине оценивСоставитель К.БеленоТехред А.Кравчук едакт Корректор Н.Борисова монин Подписи Заказ 1900 ж 377 и ГКНТ СССР открытиям д. 4/5ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям 113035, Москва, Ж, Раушская ннно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,оизво 3 149963 чине падения напряжения на токосъемном резисторе 6, затем по сигналу "измерение", подаваемому с управляющего выхода измерителя электрических параметров на управляющие входы переключателя 5 и элемента 7 памяти, переключатель 5 переходит в положение, при котором основание 3 соединяется со вторым входом измерителя 4 10 электрических параметров, а элемент памяти 7 запоминает величину напряжения на токосъемном резисторе б, . которая предшествовала сигналу "измерение". При этом напряжение на коронирующем электроде поддерживается неизменным в процессе измерения параметров структуры. По окончании сигнала "измерение" устройство пере 1 одит в исходное состоя" 20 ние. 1Любое изменение условий коронного разряда в воздухе вызывает изменение падения напряжения на токосъемном 25 резисторе, что приводит к увеличению или уменьшению напряжения на коронирующем электроде,. что, в свою очередь, обеспечивает, поддержание постоянной плотности заряда на пластине, 30 Наличие заряда на поверхности структуры приводит к изменейию заряда, находящегося в защитном слое структуры, что в свою очередь отражается на измеряемых характеристиках или параметрах, которые сравниваются сэталоном. По виду характеристие или по значению переметров кон" тролирует зарядную стабильность 1Формула изобретенияУстройство для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур, содержащее основание для закрепления пластины со структурами, измеритель параметров структур, зонды для подключения электродов структуры к первому входу измерителя, генератор высокого постоянного напряжения, один выход которого соединен с коронирующим электродом, а другой заземлен, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения точности контроля, оно содержит дополнительно элемент памяти. токосъем, ный резистор, переключатель, регулирующий элемент источник опорногоэнапряжения, щйчем общий контакт переключателя соединен с основанием для пластины, нормально замкнутыми .контакт соединен с одним выводом то. косъемного резистора и входом элемента памяти, другой вывод токосъемного резистора соединен с общей шиной устройства, а выход элемента памяти соединен с первым входом регулирующего элемента, второй вход которого соединен с первым выходом источника опорного напряжения, второй вход которого соединен с общей шиной устройства, а выход регулирующего элемента соединен с управляющим входом генератора высокого напряжения, при этом управляющие входы переключателя и элемента памяти соедйнены с управляющим выходом измерителя параметров, второй вход которого соединен с нормально разомкнутым контак-, том переключателя.
СмотретьЗаявка
4095754, 22.05.1986
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1589
РЫСКИН Е. З, РЕЗНИКОВ Г. З, БОРУНОВА Н. М
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: зарядовой, полупроводниковых, стабильности, структур
Опубликовано: 23.04.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1499631-ustrojjstvo-dlya-kontrolya-zaryadovojj-stabilnosti-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур</a>
Предыдущий патент: Способ электрохимической дезактивации титановых сплавов
Следующий патент: Устройство для плавного включения и отключения преобразователя
Случайный патент: Фундамент сейсмостойкого здания