Способ получения сверхпроводящего тонкого слоя
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1632382
Авторы: Вильхельмус, Корнелис, Хенрикус
Текст
П у Н 01 Ь 39/ ГОСУД фСТ 8 ЕНН 1 зй ИЭОЬРЕТЕНИЯМ ПРИ ГИИТ СО:РНОМИТЕТощъпищм ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯПАТЕНТУ 91, Бюп. У 8филип Глоэламп брик Кер, Корнэонкус МутМария Ван ус Хорнелн Хенрикус А с Альберту 35, (6), р.882 в МКЯ БухароВцретсоп 3-24. Ьвтгаст.а ТеврегаС е 1 в, Арг щих свойств я реакции межи сверхпрово 3 э ,Р 4(72) Виль хельмлис Адривнуссарс и ХенрикуХал (Ю)(56) РЬув Ееч В8823, 987 .Ехепдед Ав 1 ца оЕ НСВТдцсйога, Апай Изобретение относится к технологии получения сверхпроводяаоас тонких сло-вЦелью изобретения является повыщение критической темпеоатуры и улучюение сверхпроводяслоя эа счет исключениду материалом подложкидящим тонким слоем.Исключение взаимодействия сверхпроводящего тонкого слоя ТЗа Сц Отс подложкой достигается эа счет того, что сверхпроводящий тонкий слой осс сдают на подложке, поверхность которой состоит из соединения, имеющего. состав, лежащий на линии раздела фаз с УВа СцОфаэоаой диаграммы УО- ВаО - СцО. 2(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ТОНКОГО СЛОЯ(57) Изобретение относится к технологии получения плнок сверхпроводников, Целью изобретения является по вьаение критической температчры Та пленок и улучщенне нх сверхпроводящих свойств, Взаимодействие УВаСцО- пленок с материалом подложки (МРО, 81),приводит к ухудшению сверхпроводящих свойств. Для исключения этого взаимодействия предложено перед нанесением планки УВаСцэО т наносить на подложку слоЯ У ВаСцО. Способ позволяет наносить пленки УВагСц 0 т-ЙТс" 90 К Нанлучщне результаты были получены при использовании подложек, поверхность которых состоит из У ВаСцО, .На фиг. прдставпена диаграмма фазового состояния У О - ВаО - СцО, на которой показаны как УВа СцзОт 6а так н ТВаСцО - соединения, находящиеся на линии раздела Фаз; на фиг.2 результат измерения электрического сопротивления сверхпроводящего тонкого слоя на подложке иэ У ВаСцО в зависимости от температуры.Свврхпрлводящий тонкий слой ТВаСцЗОт , температурная заьисмность электросопротнвления котар 1 го показана на фиг.2, был нанесен ; рн помощи плаэжнного распыления на подложку иэ ТвВаСцО, Посла нанес1632382 ния сверхпроводящий тонкий .лой бьн подвергнут окислению при 900 С а течение 24 ч и затем охлажден до 20 фС за 8 ч.:н,йст ел. за счет искд:енкреакдии между материалом подпоакии сверхпрводящим тонкки словсверхпроводящий тонкий слой наносятна подлояху, состав которой соответствует линни разддча фаз мааду материалом поалоакн н саерхпроводящимтонким слоем на диаграмме состоянияУ О - ВаО - СцО,2.Способ по и.1, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что поверхность подложки прдставяет собой слой изУ ВаСиО. Формула изобретения 1.Способ попучения сверхпроводящего тонкого слоя, состоящий а нанесении слоя ТВаСцОтна подпояску, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повиюания критической температур:я и улучшения сверхпроводящих Сц 0 15 20 15 10 00 100 200-ПК) 015 28 цС 07 Состзвитесдь И.ФальсковскийТекред Л,Кравчук Корректор С,Черни Редактор Л.Лежнина Под 1 Ис и Ое Тираж 355 Заказ 559 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям нри ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5
СмотретьЗаявка
4356251, 28.07.1988
Н. В, Филип Глоэлампевфабрнкен
ВИЛЬХЕЛЬМУС КОРНЕЛИС КЕР, КОРНЕЛИС АДРИАНУС ХЕНРИКУС АНТОНИУС МУТСАРС, ХЕНРИКУС АЛЬБЕРТУС МАРИЯ ВАН ХАЛ
МПК / Метки
МПК: H01L 39/00
Метки: сверхпроводящего, слоя, тонкого
Опубликовано: 28.02.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1632382-sposob-polucheniya-sverkhprovodyashhego-tonkogo-sloya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения сверхпроводящего тонкого слоя</a>
Способ дефектоскопии тонких диэлектрических материалов
Номер патента: 896526
Опубликовано: 07.01.1982
Авторы: Баженов, Зубков, Митькин
МПК: G01N 27/24
Метки: дефектоскопии, диэлектрических, тонких
...Бокшан Заказ 11689/33 Тираж ЯЯ 2 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 1 3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4се их изготовления образуются сквозные проколы. Сквозные проколы и каналы в материале могут образовываться и при его эксплуатации, например, за счет, деформации при тепловом расширении и других воздействиях. Наличие сквозных каналов существенно снижает качество диэлектрических материалов, их электрическую прочность.Способ дефектоскопии осуществляется следующим образом.На одну сторону контролируемого материала наносят феррожидкость, размеры частиц которой меньше размеров пор материала. Материал помещают в магнитное поле, градиент...
Способ неразрушающего контроля покрытий и тонких слоев материалов и изделий
Номер патента: 1237970
Опубликовано: 15.06.1986
Авторы: Беспалько, Захаров, Твердохлебов
МПК: G01N 29/04
Метки: неразрушающего, покрытий, слоев, тонких
...помощью сильноточного ускорителя. 1 электронов облучают импульсным потоком частгггг через коллпиатор2 контролируемое изделие 9. Контролируемое изделие 9 размещают нормально пучку так, чтобы покрытие или поверхностный слой материала находилсясо стороны облучения. Возникающиеакустические сигналы регистрируютсяс противоположной облучаемой поверхности контролируемого изделия 9 широкополосным детектором гг, с акустической линией 3 задержки, предназначенной для разделения электромагнитных помех ускорителя 1 электронови акустических импульсов, Электрический сигнал с пьезодетектора дифференцируется шунтирующим сопротивлением 5 и регистрируется на экранескоростного осциллографа 7. При малой амплитуде акустического сигналавключается широкополосный...
Кювета для спектрофотомётрирования тонких слоев жидкости
Номер патента: 102158
Опубликовано: 01.01.1955
МПК: G01N 21/23
Метки: жидкости, кювета, слоев, спектрофотомётрирования, тонких
...рдиличиыо,азор,1 пол учдть нтннрп стеклииык с гаки(е. Ъ 1 пыли нш. числа вкл- лышси в ко 1 пл(кте до одного даг мчи(льиуяо коиомио.Нд и 1 псже 1 зобрджецд скема кюветы, Овст состоит н стокпа (1), вк;- ,ьппа 1,2) 1 двух крьИи-к 3) и 4), нос(ж(нп,к ца оииичсский контдкт, Тот и,(и иной ввор д) для достижения нужной тол игны слоя жидкости создастся призИчшя одного и того же вцлддьппаизве(тпой то;пци(ной 11) и набора сменнык ст;кди,е из обьчш(то ст, кла с рдлличнои вь 1(отои в). В ивт Гць 1 коцструкц(пяк кювет из(нчи зазора д) дотиг 1(тся применением набора сменнык вк.тддьписй с рдз;ги пни толцпной ,б) ири пензаИно высоте 1 В) стакан 1.Вклддьпп 2) гзгот иляется гл криегдллическпк материалов, а стдк(пп 1) из о(н(чно ( стекла. На ковету...
Способ определения теплопроводности тонких слоев
Номер патента: 482663
Опубликовано: 30.08.1975
МПК: G01N 25/18
Метки: слоев, теплопроводности, тонких
...возникающих при подогрев" гсриемника током и радиацией, после некоторых преобразований следует зависимость: 25/г Х, - толщина исследуемого слоя его теп.попроводность,Ьт, Хтв тоЛЩИНа И ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ пластины, через которую пропускают ток, Н - плотность тепловыделения, отнесенная к единице площади исследуемого слоя,Ть Т, - температуры поверхности исследуемого слоя при подогреве его радиацией и током. Погрешность определения коэффициента теплопроводности Х, уменьшается с повышением плотности тепловыделения Н и коэффициента Х. Эти параметры легко подобрать в зависимости от условий и требовании проводимого эксперимента,Погрешность определения коэффициента теплопроводности не превышает 10 - 15% и зависит в основном от точности измерения...
Способ подготовки тонких слоев сорбентов
Номер патента: 199485
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: G01N 30/90
Метки: подготовки, слоев, сорбентов, тонких
...мало изменяется в течение 30 мин при выдерживании его в атмосфере лаборатории, относительная влажность которой может ко. лебаться от 45 до 70%, Указанного времени вполне достаточно, чтобы нанести исследуе мые пробы на подготовленный слой и поместить его в камеру для хроматографирования,НКЙХ СЛОЕВ СОРБЕНТОВ Для стабилизирования окиси алюминия по активности в незакрепленных слоях (без связуощего компонента), слои готовят из хроматографической окиси алюминия 111 степени активности. Прп использовании окиси алюминия другой активности предварительно доводят влажность адсорбента до 5,5%, а затем уже готовят тонкие слои и помещают их в камеру для стабилизации по активности, Если в камере стабилизируют тонкие слои окиси алюминия, закрепленные...
Предыдущий патент: Излучатель света
Следующий патент: Магнетрон
Случайный патент: Устройство для заполнения пустот строительных панелей утеплителем