Галяутдинов

Номер патента: 1755112

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Галяутдинов, Самборский, Сусоров

МПК: C08G 2/06, G01N 5/00

Метки: диметиловых, полимерах, полиоксиметиленгликолей, триоксана, эфиров

...Массовая доля изо-амилового спирта в растворе более 2,0% нецелесообразна, так как уже этог количества достаточно для смачивания даж мелкодисперсного полимерного полуфабр ката. Концентрация едкого натрия в раствор зависит от массовой доли нестабильной час ти в анализируемых образцах полимеров подбирается экспериментальным путем: оптимальная 8 - 12%-ная концентрация ЙаОН, при этом с точки зрения смачиваемости наиболее удобно соотношение между 5 полимерным полуфабрикатом и щелочнымраствором 1:10.Способ осуществляется следующим образом. В стеклянные пробирки со шлифом (параллельные опыты) вместимостью 75- 10 100 см помещают анализируемые навескиполимерного полуфабриката в количестве 2,5-3,5 г, взятые с погрешностью не более 0,0002 г. Туда...

Номер патента: 1647856

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Галяутдинов, Гарицын, Клопов, Назаренко, Свинцицкая

МПК: H03K 3/295

Метки: триггер, шмитта

...уровень логической "1". При повышении входного уровня черезоткрытый транзистор 2 поступает ток, кото 10 рый усиливается транзистором 11 и втекает в базу транзистора 15, одновременно открывается транзистор 4 и ток в базу транзистора 9 убывает. В результате напряжение на базе транзистора 9. и на выходе 16 схемы ток источника 14 тока поступает в базу транзистора 11, при дальнейшем снижении выходного сигнала транзистор 2 закрывается, По достижении напряжением на выходе 16 уровня логического "О" включается диод 12 20 и лишний ток источника 14 тока поступает в коллектор транзистора 15. Диод 8 поддерживает на базе транзистора 9 напряжение, необходимое для его закрытия, Ток потреблений в этом случае близок току источника 14. Включение...

Номер патента: 1584649

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Баязитов, Галяутдинов, Туриянский

МПК: H01L 21/268

Метки: имплантированных, кремния, отжига, слоев

...пласти. ны с толщиной 400 мкм р 10 Ом.П р и м е р .4. То же,. что,в при" меах 1-3, но в качестве источника 10 изучения для проведения антнпланариоо отжига на длине волны М0,9 мкм ийользуют лазер на кристалле ЫР (с Р-ентрами)., накачиваемый рубиновым лайнером наносекундного диапазона. 15,П р и м е р 5. То же, что в при-, мерах 1-4, но в качестве источника излучения для проведения антипланариого отжига на длине волны М 1,2 мкм исттользук 1 т на кристалле ИР (с Р"цент"20 рами , накачиваемой лазером УАСМ+Предлагаемое изобретение позволяет значительно повысить эффективность отжига имплантированных слоев кремния при облучении полупроводниковойпластины импульсом света наносекундного диапазона с антипланарной стороны, Отжиг может быть...

Номер патента: 1031293

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Галяутдинов, Саинов, Хайбуллин, Штырков

МПК: G01J 5/50

Метки: импульсном, кристалла, нагреве, температуры

...воспроизнодимость измеряемой температуры, Цель изобретения - повышение точности и быстродействия способа.Поставленная цель достигается тем, что в способе определения температуры кристалла при импульсном нагреве путем регистрации изменения температурно-зависимого параметра кристалла под действием импульсного нагрева и сравнения с зависимостью изменения этого параметра при непрерывном нагреве 5 10 кристалл облучают пучком электронов с энергией 30 в 1 кэВ и регистрируют изменение интенсивности одного из рефлексов элект 15 ронно-дифракционной картины наотражение.На Фиг, 1 дана схема устройствадля реализации предлагаемого способа, на фиг, 2 приведен график зависимости интенсивности рефлексаб 20 от температуры для монокристалла кр":мния на...

Номер патента: 504435

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Баязитов, Галяутдинов, Зарипов, Хайбуллин, Штырков

МПК: H01L 21/265

Метки: легирования, полупроводников

...20Экспериментально было установлено, что процесс электрической активации и устранения радиальных нарушений при гветовом облучении происходит практически мгновенно. Поэтому, при использовании 25 коротких импульсов светового излучения 1 например, длительностью й 15 нс) не должно происходить диффузионного перераспределения внедренной примеси, Таким образом, предлагаемый способ элек- щ трической активации внедренной примеси и устранения рациационных нарушений в ионно легироранном слое позволяет реализовать такой режим, при котором профиль распределения внедренных атомов35 примеси практически сохраняется неиз-. менным.Предлагаемыйспособ позволяет путем соответствующего выбора значений интенсивности и длины волны светового излучения...

Номер патента: 933028

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Афанасьев, Галяутдинов, Дорохов, Комиссаров, Мазитов, Фазлыев, Шайдуллин, Шигапов, Энвальд

МПК: A01D 33/08

Метки: корнеклубнеплодов

...3 и 4, состоящее из валов и криволинейных пальцев 5. Пальцы 5 изогнуты в виде архимедовой спирали, чтобы исключить ударный прием клубней. Длина пальцев 5 у первого битера 3 уменьшается от середины к концам вала, а у второго наоборот. Устройство для очиеплодов работает след Масса "Почва+клубни подъемного элеваторае Составитель В. МещерскийКоля а Техред А. Бабине Корректор Е, Рошко ктор Н дэ 3992 2 Тираж 99 ПодпиВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035 Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектн сное 3 93302пальцами 5 рассеивающего битера 3,длина которых уменьшается к краям,и, вследствие их различной окружнойскорости, раздвигается, в стороныс одновременным перемещением...

Номер патента: 578784

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Галяутдинов, Закиров, Зарипов, Хайбуллин, Штырков

МПК: G03H 1/18

Метки: голограмм, материале, полупроводниковом

...записи интерференционной картины от объектного и опорного пучков излучения на полированной поверхности германиевого монокристалла после того, как эту поверхность бомбардируют быстрьки ионами электроактивной примеси,При произвольном выборе режима бомбардировки (т.е. дозы облучения и энергии внедряемых ионов) этот способ эффективен лишь в длинноволновой области спектра за частотой ШР плазменного резонанса и не позволяет получить достаточно хорошую дифракцион ную эффективность при восстановленииобласти спектра и прилегаю области ближнего ИК-диапабуллин, М,Ф,Галяутдино о, при этом способе для и могут быть использова ектроактивные ионы, что сужает возможности спооказана дозовая завициента отражения моноания, облученного ионаией 80 кэВ...

Номер патента: 440368

Опубликовано: 25.03.1976

Авторы: Галяутдинов, Зарипов, Туриянский, Хайбуллин, Штырков

МПК: G03H 1/04

Метки: голограмм, материале, полупроводниковом

...комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 мешивании при 135 - 140 С дополнительно добавляют порциями также гидроокись бария.Для лучшего отделения не растворимых в масле составных частей продукт реакции может быть разбавлен, например, рафинированными фракциями минеральных масел, растительными, животными и синтетическими маслами.Пример 1. В сосуде с мешалкой смеши. вают 100 ч, технической сульфокислоты с мол. в. 520, смешанной в соотношении 1:2 с веретенным маслом при 50 С, с 10 ч. нонилфенола, 2 ч. 37%-ного водного раствора формальдегида, 10 ч. окиси кальция и 22 ч. воды при температурах между 50 и 60 С; смесь насыщается при перемешивании в...

Номер патента: 490368

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Галяутдинов, Зарипов, Туриянский, Хайбуллин, Штырков

МПК: G03C 9/08

Метки: голограмм, материале, полупроводниковом

...отражения в экспоиированных и неэкспо нироганных областях голограммного материала, как известно, зависит контраст голографической решетки, а, следовательно, к,п.д, то есть дифракционная эффектив ность голограммы бРазность коэффициента отражения дляэкспонированных и неэкспонированныхобластей увеличивается путем повышения,концентрации свободных носителей в результате электрической активации внедренной примеси в экспонированных областях, которая определяет величину коэффициента отражения электромагнитных волнв ИК-диапазоне длин волн,П р и м е р, Высокоомный полупроводник, например, кремний , -типа сисходной концентрацией электроновф 10см з после соответствуюшей обработки(шлифовка, полировка) бомбардируюг наионном ускорителе...