Минаждинов

Номер патента: 1378740

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Алавердян, Артамонов, Афанасьев, Ильичев, Инкин, Минаждинов, Полторацкий, Шелюхин

МПК: H01S 3/18

Метки: лазер, периодической, структурой

Лазер с периодической структурой, включающий полупроводниковую подложку с расположенной на ней двойной гетероструктурой (ДГС) и омические контакты, отличающийся тем, что, с целью уменьшения управляющей мощности, управления диаграммой направленности и повышения граничной частоты модуляции, на верхнем слое ДГС расположен первый дополнительный слой того же типа проводимости, что и у прилегающего к нему слоя ДГС, на первом дополнительном слое расположен монокристаллический изолирующий слой Ga1-zAlzAs:O, в котором выполнены параллельные канавки с наклонными стенками, глубина канавок больше толщины изолирующего, но меньше суммы толщин изолирующего и первого дополнительного слоев, расстояние между канавками меньше 10 мкм,...

Номер патента: 1391424

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Алавердян, Артамонов, Афанасьев, Жуков, Иванютин, Ильичев, Инкин, Минаждинов, Полторацкий, Шелюхин

МПК: H01S 3/19

Метки: лазер, полевым, управлением

Лазер с полевым управлением, содержащий полупроводниковую сильнолегированную подложку, на которой расположены слои, образующие двойную р-n-гетероструктуру (ДГС), полупроводниковый слой n-GaAs с контактами истока, стока и электродом затвора, а также омический контакт к подложке, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работы лазера в непрерывном режиме путем улучшения теплоотвода, указанный полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, а между ним и подложкой размещен монокристаллический изолирующий слой AlGaAs:O, причем в полупроводниковом и монокристаллическом изолирующем слоях имеется канавка с наклонными стенками, глубина которой больше...

Номер патента: 1074161

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Арендаренко, Барил, Минаждинов, Мягков, Овечкин, Слепнев, Федоров

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, полупроводниковых, соединений, эпитаксии

...подложкодержателем соосно с нимпо высоте (0,1-0,15)Вд и выполненв виде тора диаметром (11-1,2)Ппс отверстиями на внутренней его поверхности, гдеи диаметр подложкодержателя. Кроме того, экран расположен от подложкодержателя на высоте (О 3 0,4) 0 п,На чертеже показано устройстводля газовой эпитаксии полупроводниковых соединений.Устройство вклюцает реакционнуюкамеру, состоящую из крышки 1 и основания 2, внутри которой расположены подложкодержатель 3 в видедиска с отверстием 4 в центре длявывода ПГС, газораспределитель 5,выполненный в виде тора с отверстиями на внутренней его поверхностидля ввода ПГС, установленный надподложкодержателем 3 соосно с ним,и экран 6, расположенный над газораспределителем 5. Подложкодержатель 3 может быть...

Номер патента: 867249

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Абагян, Бондарь, Брагин, Коган, Коташевский, Минаждинов, Невский, Патрашин

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод

...крайней мереодин дополнительный слой, замкнутыйсо слоем того же типа проводимостии Образующий р-и-переход со слоем,на котором он расположен. В этом случае образуется р-и-р(п-р-п)-структура, в которой слои р-типа (и-типа) электрически замкнуты между собой, а ток пропускается обычным образом. Тогда, при сохранении суммарного тока питания, ток, протекающийчерез каждый р-п-переход, равен половине тока питания, а выводимыйсветовой поток равен сумме потоков,выводимых от каждого р-и-перехода ипревышает световой поток, выводимый35 из обычного светодиода при такомже токе питания. При этом площадьзаявляемого светодиода равна площадиобычного светодиодаРабота светодиода осуществляетсяследующим образом,Замыкаются контактыи б. Затемк светодиоду...