Мощный полупроводниковый модуль

(51)5 Н 01 1 25/О ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ АВТОРСКОМ ЕТЕЛ ЬСТВУ считантениямощнсчет т нический инст н, Л.В.Го а, 19873,(54) МОЩНЫЙ ПОЛУПОВМОДУЛЬ(57) Изобретение относитсяниковой технике, к выпрямкам, и может быть использоных преобразовательных ус ВЫИ полупровод тельным бло ано в различ ойствах, рас(56) Каталог фирмы ТозЫЬЗаявка ФРГ йв 30053кл. Н 011 25/00, 1981,ных на токи до 1000 А, Целью изобреявляется упрощение конструкцииого полупроводникового модуля за ого, что каждая полупроводниковая структура 1 и 2 дополнительно снабжена прижимной планкой 13, обеспечивающей прижим всех элементов сборки, и парой изолирующих ограничителей 7, которые закреплены на основании 5. Каждая пара ограничителей фиксирует положение полупроводниковой структуры 1 и 2 на общем токосъеме и положение изолирующей пластины 6 на медном основании 5. Общий токосъем выполнен в виде двух кругов, соединенных перемычкой 4, входящей в зазор между соседними из каждой пары ограничителей 7, и на ней закреплен силовой вывод 9 4 илИзобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к выпрямительным блокам, и может быть использовано вразличных преобразовательных устройствах, рассчитанных на токи до 1000 А.Цель изобретения - упрощение устройства.На фиг. 1 представлен разрез модулябез корпуса; на фиг. 2 - модульвид сверху;на фиг. 3 - нижний токосъем, сечение А-Ана фиг. 1; на фиг. 4 - элемент модуля -изолирующий ограничитель,Полупроводниковые структуры 1 и 2 установлены на общем токосъеме 3, которыйвыполнен в виде двух кругов, соединенныхперемычкой 4. Общий токосъем расположенна медном основании 5 и отделен от негоизолирующей пластиной 6 из окиси бериллияили Ай. Перемычка 4 входит в зазор междусоседними изолирующими ограничителями7 из фторопласта. Каждая пара ограничителей фиксирует полупроводниковые структуры 1 на общем токосъеме 3 и изолирующиепластины 6 на медном основании 5, Ограничители закреплены на основании винтами 8,В центре скругления перемычки 4 припаянцилиндрический силовой вывод 9,На верхней поверхности полупроводниковых структур расположены верхние токосъемы 10 с опорными шайбами 11, тарельчатыми пружинами 12 и прижимнымипланками 13. Верхний токосъем изолированот прижимной системы изолирующей втулкой 14,Изолирующие ограничители (фиг. 4)представляют собой фторопластовые прямоугольники с двумя отверстиями для крепления, одна сторона которых проточена поокружности под диаметр полупроводникового элемента и изолирующей пластины.Высота определяется сборочными элементами 1,2,3, 6, 11, 12.Опорные шайбы 11, тарельчатые пружины 12 и прижимные планки 13 образуютприжимную систему для каждой полупроводниковой структуры. С их помощью осуществляется торированный прижим с усилием 1200 кг для диаметра структуры 50 мм, 10 цепи анод - катод (9 -10).15 Применение изолирующих ограничите 20 25 30 35 40 45 В дальнейшем всю сборку помещают в пластмассовый корпус и заливают эпоксидным компаундом,Представленная конструкция может быть тиристорно-диодная, тиристорно-тиристорная,диодная,транзисторно-диодная и т.д. на токи от 400 до 800 А и напряжением 1000 - 1500 В,Подобная конструкция при последовательном соединении диодов работает как одно плечо диодного моста, т.е, при подаче переменной нагрузки на общий силовой вывод 9 постоянный ток снимается с выводов лей, винтов и раздельных прижимных пластин обеспечивает автоматизацию сборки, позволяет собирать все узлы модуля без перекосов и соостно, что в конечном итоге сокращает тепловые потери, т.е. улучшает В 1 на 2 - Зо . Цилиндричиские силовые выводы 9, 10 позволяют более эффективно отводить тепло от работающих элементов, что дает возможность увеличить нагрузочную способность на предлагаемый модуль = на 10 по сравнению с плоскими выводами.Применение общего токосъема намного упрощает монтажную схему при коммутации выводов в преобразовательных устройствах.Кроме того, применение предлагаемого модуля в схемах трехфазных преобразователей повышает их эффективность на10%Формула изобретения Мощный полупроводниковый модуль, содержащий полупроводниковые структуры, установленные на общем токосъеме, изолированном от основания, и средства прижима к основанию, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения, общий токо- съем выполнен в виде двух кругов, соединенных перемычкой, на которой закреплен общий силовой вывод, а средства прижима выполнены в виде планок по числу полупроводниковых структур, каждая из которых снабжена двумя изолирующими ограничителями, закрепленными на основании.1631627 Составитель О. НаказнаТехред М.Моргентал актор М.Банду орректор С,Черни Заказ 551 Тираж 351 Подписное . ВНИИЛИ Государственного комитета по изобретениям и Открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 роизворственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина