Способ изготовления дифракционной решетки

Номер патента: 466432

Опубликовано: 05.04.1975

Автор: Дорофеев

МПК: G01N 19/02

Метки: величины, контакта, пары, поверхности, трения

...показана схема осуществленияспособа.Рабочую поверхность плиты 1 доводочногостанка закрывают фотобумагой 2, располагая 5 ее светочувствительным слоем наружу, сообщают плите 1 и сепаратору 3 с отверстиями 4 для размещения притираемых деталей рабочее движение (показано стрелками), включают лампу о и засвечивают фотобумагу 2 че рез овсрстия 1. По о; ончании засвечиваниялампу 5 выключают, останавливают плиту 1и сепаратор 3, а фотобумагу 2 проявляют иопределяют площадь и интенсивность засвечивания. По их величине оценивают размеры 15 поверхности контакта плиты 1 с деталями иинтенсивность изнашивания плиты, а также распределение интенсивности изнашивания по поверхности контакта.При использовании фотобумаги с одинако- .20 вой...

Номер патента: 1569763

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Жилинский, Калениченко, Тищенко, Тяпкин

МПК: G01W 1/18

Метки: влажности, воздуха, значением, известным, пара, смеси

...камеры или нагнетания атмосферного воздуха создают в ней необходимое исходное разрежение (давление), после чего вводят перегретый до заданной в камере температуры водяной пар до тех пор, .пока общее давление смеси.в камере на становится равным заданному значению, а.зятем по приведенной формуле вычисляют истинное парциальное давление пара в полученной смеси. По известным15697 бЭ Формула изобретения дР Рс Р Р Составитель С, 1 Пдин Техред Л,Сердюкова Корректор С.Рекмар Редактор И. щербакЗаказ 1447 Тирая 345 Подиси е ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям ири ГК 11 Т СССР 113035, Москва, Ж, Раущская иаб., д4/5Производственно-издательский комбииаг "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 значениям парциального...

Номер патента: 1542332

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Мкртчан

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности, полупроводниковых, структур

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку в травителе на основе перекиси водорода и удаление кислородсодержащих примесей с поверхности химической обработкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества полупроводниковых структур арсенида галлия за счет снижения уровня загрязнения поверхности углеродом и сохранения геометрических размеров структур, в качестве травителя на основе перекиси водорода используют концентрированный водный раствор перекиси водорода и обработку в нем проводят в течение 5 - 10 мин, затем промывают структуры деионизованной водой в течение 10 - 15 мин, а кислородсодержащие примеси удаляют химической обработкой в концентрированном водном растворе аммиака в...

Номер патента: 1559980

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Башевская, Колмакова, Пащенко, Сарнацкий, Тюнькова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности

Способ очистки поверхности арсенида галлия, включающий химико-механическую полировку поверхности арсенида галлия, окисление поверхности путем химической обработки в концентрированном растворе перекиси водорода при одновременном воздействии ультразвука, удаление окисла с поверхности, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества очистки за счет снижения уровня углеродных загрязнений, окисление поверхности проводят не более чем через 10 мин после химико-механической полировки в растворе, дополнительно содержащем соль щелочного металла, при следующем соотношении ингредиентов, мас.Соль щелочного металла 2 7,4Перекись водорода (30%-ная) Остальноев течение 7 15 мин.

Номер патента: 705986

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Волков, Лысогоров, Мизеров, Портной, Смирницкий

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционной, монокристалла, поверхности, решетки

...шагом и различными углами блеска. Решение этой проблемы позволяет существенно расширить спектральный интервал таких приборов, что ведет к расширению круга задач, решаемых,ими. Кроме того, при создании целого ряда интегрально-оптических и оптоэлектронных приборов возможность получать решетки с различными углами блеска позволяет направленно изменять их основные характеристики.Предлагаемый технологический процесс изготовления решетки заключается в следующем.Изготавливают монокристалл (подложка будущей решетки) с исходной кристаллографической плоскостью, наиболее устойчивой к какому-либо химическому травителю (аналогично устойчивой к фотохимическому травителю или устойчивой при ионно-плазменном распылении).705986 Рабочую поверхность...